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相较DRAM的发展,Nand Flash领域看起来能更快追上韩国

 
  一般认为,比起门坎较高的DRAM,中国企业进入NAND领域会成长得更快。如今美国直接施压,预计DRAM和NAND内存的发展差距会进一步拉大。虽然也有人认为,美国可能会对所有中国内存企业施压,但和从去年福建晋华与美光公司的诉讼问题不同,目前NAND领域并未出现特别的制裁措施,况且美国在找不到理由的情况下,可能也无法任意制裁中国企业。
根据韩国科技媒体《DDaily》6日报导,半导体产业人士透露,比起DRAM市场,来自中国的NAND企业威胁已近在眼前。虽然DRAM也得持续保持关注,但目前DRAM要想对韩国企业产生影响还很难,然而NAND要影响韩国企业,可能只剩一年多的时间就看得到。
布局中国市场的韩国半导体设备企业相关人士表示,先前设备业界对中国内存半导体市场的期待很大,但最近这样的期待感已经消失。他解释道,DRAM不仅很难讨论量产时期,最近还引发了美国制裁,因此暂时排除了DRAM。
至于NAND,相关业界人士表示,一方面长江存储已经加快脚步,预计明年第四季将量产64层3D NAND,另一方面,64层虽然开始生产,但预计占比不会很大,因为长江存储主要目标是快速进入128层量产。
长江存储是紫光集团的子公司,韩国的设备产业也透露,紫光集团通过长江存储和集团内其他后期工程专门企业制定双轨战略,长江存储专门负责运转3D,而另一边则运用英特尔芯片专门负责后期工程的生产。长江存储这边已经延迟超过1年,但到明年第三季度,量产的确切时间将就会出现轮廓。
整体看来,随着中国的DRAM市场受贸易战影响,未来发展变得难以预测,但紫光集团正在加速开发NAND,日前才投入240亿美元在成都建造新的基地,这意味着紫光集团进入NAND市场将成为「时间之争」。此外,紫光集团目前没有出现诉讼问题,NAND也和军事敏感沾不上边,技术难度也相对较小,发展的阻力不多。