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武汉新芯拼3D IC技术!“DRAM教父”高启全接重任定位三大方向

 
近日媒体报道紫光集团旗下武汉新芯近期高层大变动,由台湾“DRAM教父”高启全接下CEO一职,要以3D IC技术为利器,帮助公司大改造,力拼在3年内挂牌上市。如果成真,将成为紫光集团众多转投资公司中,最快挂牌上市的企业。
武汉新芯成立于2006年,2008年建成投产。2016年,在武汉新芯基础上,紫光集团、国家集成电路产业投资基金、湖北集成电路产业投资基金、湖北省科技投资集团共同出资组建长江存储科技有限责任公司,武汉新芯整体并入长江存储,成为长江存储全资子公司。
近日,传武汉新芯在紫光集团内部正在悄悄进行“大变身计划”,有“DRAM教父”之称的紫光集团执行副总裁、长江存储代行董事长高启全,正式接下武汉新芯执行长一职,着手进行全面改造。
在12月初,武汉新芯官方新闻稿宣布,基于其三维集成技术平台的三片晶圆堆叠技术研发成功。武汉新芯的晶圆级集成技术可将三片不同功能的晶圆(如逻辑、存储和传感器等)垂直键合,在不同晶圆金属层之间实现电性互连。与传统的2.5D芯片堆叠相比,晶圆级的三维集成技术能同时增加带宽,降低延时,带来更高的性能与更低的功耗。
武汉新芯技术副总裁孙鹏表示:“三维集成技术是武汉新芯继NOR Flash、MCU之外的第三大技术平台。武汉新芯的三维集成技术居于国际先进、国内领先水平,已积累了6年的大规模量产经验,能为客户提供工艺先进、设计灵活的晶圆级集成代工方案。”
武汉新芯自2012年开始布局三维集成技术,并于2013年成功将三维集成技术应用于背照式影像传感器,良率高达99%,随后陆续推出硅通孔(TSV)堆叠技术、混合键合(Hybrid Bonding)技术和多片晶圆堆叠技术。
重新定位瞄准三大业务
孙鹏指出,武汉新芯营运重新定位后的三大方向,分别为3D IC技术、自有品牌NOR Flash及MCU三大块。三片晶圆堆叠技术即属3D IC业务方向。
  3D IC是一个新的概念,利用许多高级技术实现电路密度的增加和体积的缩小,武汉新芯目前已经开始量产,算是大陆最早量产 3D IC的企业。孙鹏表示,3D IC 技术是 wafer-on-wafer 的接合技术,可以把不同性质和作用的芯片整合在一起,未来可以将不同的半导体元件堆叠在一起,如存储、处理器、传感器、 3D NAND 芯片等。
他强调,3D IC 与传统的 2.5D 芯片堆叠技术相比,晶圆级的三维集成技术能同时带、宽增加,降低延时,并且有更高的性能与更低的功耗,非常适合用在 AI 领域。
武汉新芯的第二条主轴是 NOR Flash 产品,过往都是做代工,但这一、二年公司策略转变,转型为部分经营自有品牌,部分开放代工。
第三条产品线是采用低功耗嵌入式闪存embedded Flash MCU,技术来源是基于 SST 的嵌入式闪存工艺,双方合作始于 2015 年左右,目前也进入 55/50 纳米工艺,应用于物联网、智能卡等产品上,未来会是公司旗下很重要的产品线。