德国慕尼黑讯—英飞凌科技股份公司进一步壮大StrongIRFET 40-60 V MOSFET产品阵容，推出三款采用D2PAK 7pin+封装的新器件。这些新器件具备极低的RDS(on)和高载流能力，可针对要求高效率的高功率密度应用提供增强的稳健性和可靠性。这三款全新MOSFET瞄准电池供电应用，包括电动工具、电池管理系统和低压驱动装置等。

全新D2PAK 7pin+封装使得本已种类丰富的StrongIRFET?封装阵容更加壮大。这能带来更多选项，有助于选择应对设计挑战的理想功率器件。此外，全新封装的可互换引脚排列选项可带来出色的设计灵活性。相比标准的D2PAK 7pin封装而言，该全新系列器件的RDS(on)较之上一代器件减小13%，载流能力提高50%。譬如，标杆产品IRL40SC240是一款RDS(on)为0.65 mΩ、载流能力为360 A的40 V器件。

该封装经过优化，可容纳面积增加多达20%的裸片，同时具有与标准D2PAK 7pin相同的占板面积和引脚排列方式。因此，可以很容易取代传统的D2PAK 7pin和H2PAK封装。此外，该产品系列可提供标准电平和逻辑电平栅极驱动，从而为设计人员带来灵活的驱动方案。

供货情况

采用D2PAK 7pin+封装的StrongIRFET现在开始供货。