找货询价

一对一服务 找料无忧

专属客服

服务时间

周一 - 周六 9:00-18:00

QQ咨询

一对一服务 找料无忧

专属客服

服务时间

周一 - 周六 9:00-18:00

技术支持

一对一服务 找料无忧

专属客服

服务时间

周一 - 周六 9:00-18:00

售后咨询

一对一服务 找料无忧

专属客服

服务时间

周一 - 周六 9:00-18:00

FZ3600R12KE3

型号:

FZ3600R12KE3

描述:

IGBT模块[ IGBT-modules ]

品牌:

INFINEON[ Infineon ]

页数:

8 页

PDF大小:

254 K

Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ3600R12KE3  
IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter  
Höchstzulässige Werte / maximum rated values  
Kollektor-Emitter-Sperrspannung  
collector-emitter voltage  
TÝÎ = 25°C  
V†Š»  
1200  
V
Kollektor-Dauergleichstrom  
DC-collector current  
T† = 70°C, TÝÎ = 150°C  
T† = 25°C, TÝÎ = 150°C  
I† ÒÓÑ  
I†  
3600  
4700  
A
A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom  
repetitive peak collector current  
t« = 1 ms  
I†ç¢  
PÚÓÚ  
7200  
15,0  
A
kW  
V
Gesamt-Verlustleistung  
total power dissipation  
T† = 25°C, TÝÎ = 150°C  
Gate-Emitter-Spitzenspannung  
gate-emitter peak voltage  
V•Š»  
+/-20  
Charakteristische Werte / characteristic values  
min. typ. max.  
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung  
collector-emitter saturation voltage  
I† = 3600 A, V•Š = 15 V  
I† = 3600 A, V•Š = 15 V  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
1,70 2,15  
2,00 2,50  
V
V
V†Š ÙÈÚ  
V•ŠÚÌ  
Q•  
Gate-Schwellenspannung  
gate threshold voltage  
I† = 145 mA, V†Š = V•Š, TÝÎ = 25°C  
5,0  
5,8  
35,0  
0,5  
6,5  
V
µC  
Â
Gateladung  
gate charge  
V•Š = -15 V ... +15 V  
Interner Gatewiderstand  
internal gate resistor  
TÝÎ = 25°C  
R•ÍÒÚ  
CÍþÙ  
Eingangskapazität  
input capacitance  
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V  
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V  
V†Š = 1200 V, V•Š = 0 V, TÝÎ = 25°C  
V†Š = 0 V, V•Š = 20 V, TÝÎ = 25°C  
260  
12,0  
nF  
nF  
mA  
Rückwirkungskapazität  
reverse transfer capacitance  
CØþÙ  
I†Š»  
I•Š»  
tÁ ÓÒ  
Kollektor-Emitter Reststrom  
collector-emitter cut-off current  
5,0  
Gate-Emitter Reststrom  
gate-emitter leakage current  
400 nA  
Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)  
turn-on delay time (inductive load)  
I† = 3600 A, V†Š = 600 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓÒ = 0,8 Â  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
0,60  
0,66  
µs  
µs  
Anstiegszeit (induktive Last)  
rise time (inductive load)  
I† = 3600 A, V†Š = 600 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓÒ = 0,8 Â  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
0,23  
0,22  
µs  
µs  
tØ  
tÁ ÓËË  
tË  
Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)  
turn-off delay time (inductive load)  
I† = 3600 A, V†Š = 600 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓËË = 0,2 Â  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
0,82  
0,96  
µs  
µs  
Fallzeit (induktive Last)  
fall time (inductive load)  
I† = 3600 A, V†Š = 600 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓËË = 0,2 Â  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
0,15  
0,18  
µs  
µs  
Einschaltverlustenergie pro Puls  
turn-on energy loss per pulse  
I† = 3600 A, V†Š = 600 V, L» = 20 nH  
V•Š = ±15 V, di/dt = 16000 A/µs (TÝÎ=125°C) TÝÎ = 125°C  
R•ÓÒ = 0,8 Â  
TÝÎ = 25°C  
mJ  
mJ  
EÓÒ  
735  
570  
Abschaltverlustenergie pro Puls  
turn-off energy loss per pulse  
I† = 3600 A, V†Š = 600 V, L» = 20 nH  
V•Š = ±15 V  
R•ÓËË = 0,2 Â  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
mJ  
mJ  
EÓËË  
Kurzschlussverhalten  
SC data  
V•Š ù 15 V, V†† = 900 V  
I»†  
V†ŠÑÈà = V†Š» -LÙ†Š ·di/dt  
pro IGBT / per IGBT  
pro IGBT / per IGBT  
t« ù 10 µs, TÝÎ = 125°C  
14000  
A
Innerer Wärmewiderstand  
thermal resistance, junction to case  
RÚÌœ†  
RÚ̆™  
8,40 K/kW  
Übergangs-Wärmewiderstand  
thermal resistance, case to heatsink  
6,40  
K/kW  
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)  
/
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)  
prepared by: MB  
approved by: PL  
date of publication: 2010-11-03  
revision: 3.1  
1
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ3600R12KE3  
Diode-Wechselrichter / diode-inverter  
Höchstzulässige Werte / maximum rated values  
Periodische Spitzensperrspannung  
repetitive peak reverse voltage  
TÝÎ = 25°C  
Vçç¢  
IŒ  
1200  
3600  
7200  
1550  
V
A
Dauergleichstrom  
DC forward current  
Periodischer Spitzenstrom  
t« = 1 ms  
IŒç¢  
I²t  
A
repetitive peak forward current  
Grenzlastintegral  
Vç = 0 V, t« = 10 ms, TÝÎ = 125°C  
I²t - value  
kA²s  
Charakteristische Werte / characteristic values  
min. typ. max.  
Durchlassspannung  
forward voltage  
IŒ = 3600 A, V•Š = 0 V  
IŒ = 3600 A, V•Š = 0 V  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
2,20 2,80  
2,00 2,60  
V
V
VŒ  
Rückstromspitze  
peak reverse recovery current  
IŒ = 3600 A, - diŒ/dt = 16000 A/µs (TÝÎ=125°C) TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
1150  
1800  
A
A
Vç = 600 V  
V•Š = -15 V  
Iç¢  
Sperrverzögerungsladung  
recovered charge  
IŒ = 3600 A, - diŒ/dt = 16000 A/µs (TÝÎ=125°C) TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
170  
405  
µC  
µC  
Vç = 600 V  
V•Š = -15 V  
QØ  
Abschaltenergie pro Puls  
reverse recovery energy  
IŒ = 3600 A, - diŒ/dt = 16000 A/µs (TÝÎ=125°C) TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
54,0  
105  
mJ  
mJ  
Vç = 600 V  
V•Š = -15 V  
EØþÊ  
Innerer Wärmewiderstand  
thermal resistance, junction to case  
pro Diode / per diode  
pro Diode / per diode  
RÚÌœ†  
RÚ̆™  
14,0 K/kW  
K/kW  
Übergangs-Wärmewiderstand  
thermal resistance, case to heatsink  
10,5  
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)  
/
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)  
prepared by: MB  
approved by: PL  
date of publication: 2010-11-03  
revision: 3.1  
2
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ3600R12KE3  
Modul / module  
Isolations-Prüfspannung  
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min  
insulation test voltage  
V𻥡  
2,5  
kV  
Material für innere Isolation  
material for internal insulation  
AlèOé  
32,0  
Kriechstrecke  
creepage distance  
Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink  
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal  
mm  
mm  
Luftstrecke  
clearance distance  
Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink  
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal  
20,0  
Vergleichszahl der Kriechwegbildung  
comparative tracking index  
CTI  
> 400  
min. typ. max.  
4,00  
Übergangs-Wärmewiderstand  
thermal resistance, case to heatsink  
pro Modul / per module  
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K) / ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)  
RÚ̆™  
LÙ†Š  
K/kW  
nH  
Modulinduktivität  
stray inductance module  
10  
Modulleitungswiderstand,  
Anschlüsse - Chip  
module lead resistance,  
terminals - chip  
T† = 25°C, pro Schalter / per switch  
R††óôŠŠó  
0,12  
m  
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur  
maximum junction temperature  
Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter, Brake-Chopper  
Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter, Brake-Chopper  
TÝÎ ÑÈà  
TÝÎ ÓÔ  
TÙÚÃ  
150  
°C  
°C  
°C  
Temperatur im Schaltbetrieb  
temperature under switching conditions  
-40  
-40  
125  
125  
Lagertemperatur  
storage temperature  
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung  
mounting torque  
Schraube M6 - Montage gem. gültiger Applikation Note  
screw M6 - mounting according to valid application note  
M
4,25  
-
5,75 Nm  
2,3 Nm  
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse  
terminal connection torque  
Schraube M4 - Montage gem. gültiger Applikation Note  
screw M4 - mounting according to valid application note  
Schraube M8 - Montage gem. gültiger Applikation Note  
screw M8 - mounting according to valid application note  
1,7  
8,0  
-
-
M
G
10  
Nm  
g
Gewicht  
weight  
2250  
prepared by: MB  
approved by: PL  
date of publication: 2010-11-03  
revision: 3.1  
3
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ3600R12KE3  
Ausgangskennlinie IGBT-Wechselr. (typisch)  
output characteristic IGBT-inverter (typical)  
I† = f (V†Š)  
Ausgangskennlinienfeld IGBT-Wechselr. (typisch)  
output characteristic IGBT-inverter (typical)  
I† = f (V†Š)  
TÝÎ = 125°C  
V•Š = 15 V  
7200  
7200  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
V•Š = 19V  
V•Š = 17V  
V•Š = 15V  
6000  
4800  
3600  
2400  
1200  
0
6000  
4800  
3600  
2400  
1200  
0
V•Š = 13V  
V•Š = 11V  
V•Š = 9V  
0,0  
0,5  
1,0  
1,5  
V†Š [V]  
2,0  
2,5  
3,0  
3,5  
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0  
V†Š [V]  
Übertragungscharakteristik IGBT-Wechselr. (typisch)  
transfer characteristic IGBT-inverter (typical)  
I† = f (V•Š)  
Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)  
switching losses IGBT-inverter (typical)  
EÓÒ = f (I†), EÓËË = f (I†)  
V†Š = 20 V  
V•Š = ±15 V, R•ÓÒ = 0.8 Â, R•ÓËË = 0.2 Â, V†Š = 600 V  
7200  
2000  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
EÓÒ, TÝÎ = 125°C  
EÓËË, TÝÎ = 125°C  
1800  
6000  
4800  
3600  
2400  
1200  
0
1600  
1400  
1200  
1000  
800  
600  
400  
200  
0
5
6
7
8 9  
V•Š [V]  
10  
11  
12  
0
900 1800 2700 3600 4500 5400 6300 7200  
I† [A]  
prepared by: MB  
approved by: PL  
date of publication: 2010-11-03  
revision: 3.1  
4
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ3600R12KE3  
Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)  
switching losses IGBT-Inverter (typical)  
EÓÒ = f (R•), EÓËË = f (R•)  
Transienter Wärmewiderstand IGBT-Wechselr.  
transient thermal impedance IGBT-inverter  
ZÚÌœ† = f (t)  
V•Š = ±15 V, I† = 3600 A, V†Š = 600 V  
2400  
10  
EÓÒ, TÝÎ = 125°C  
EÓËË, TÝÎ = 125°C  
ZÚÌœ† : IGBT  
2100  
1800  
1500  
1200  
900  
600  
300  
0
1
i:  
rÍ[K/kW]: 0,87  
τÍ[s]:  
1
2
3,24  
3
3,29  
4
1
0,00382 0,02997 0,05634 0,6897  
0,1  
0,001  
0
1
2
3
R• [Â]  
4
5
6
0,01  
0,1  
t [s]  
1
10  
Sicherer Rückwärts-Arbeitsbereich IGBT-Wr. (RBSOA)  
reverse bias safe operating area IGBT-inv. (RBSOA)  
I† = f (V†Š)  
Durchlasskennlinie der Diode-Wechselr. (typisch)  
forward characteristic of diode-inverter (typical)  
IŒ = f (VŒ)  
V•Š = ±15 V, R•ÓËË = 0.2 Â, TÝÎ = 125°C  
8000  
7200  
I†, Modul  
I†, Chip  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
7200  
6000  
4800  
3600  
2400  
1200  
0
6400  
5600  
4800  
4000  
3200  
2400  
1600  
800  
0
0
200  
400  
600 800  
V†Š [V]  
1000 1200 1400  
0,0  
0,5  
1,0  
1,5  
VŒ [V]  
2,0  
2,5  
3,0  
prepared by: MB  
approved by: PL  
date of publication: 2010-11-03  
revision: 3.1  
5
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ3600R12KE3  
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)  
switching losses diode-inverter (typical)  
EØþÊ = f (IŒ)  
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)  
switching losses diode-inverter (typical)  
EØþÊ = f (R•)  
IŒ = 3600 A, V†Š = 600 V  
R•ÓÒ = 0.8 Â, V†Š = 600 V  
120  
130  
EØþÊ, TÝÎ = 125°C  
EØþÊ, TÝÎ = 125°C  
120  
110  
110  
100  
90  
80  
70  
60  
50  
40  
30  
20  
10  
0
100  
90  
80  
70  
60  
50  
40  
30  
20  
10  
0
0
900 1800 2700 3600 4500 5400 6300 7200  
IŒ [A]  
0
1
2
3
R• [Â]  
4
5
6
Transienter Wärmewiderstand Diode-Wechselr.  
transient thermal impedance diode-inverter  
ZÚÌœ† = f (t)  
100  
ZÚÌœ† : Diode  
10  
1
i:  
rÍ[K/kW]: 0,94  
1
2
4,63  
3
4,02  
4
4,41  
τÍ[s]:  
0,00285 0,02647 0,04452 0,07451  
0,1  
0,001  
0,01  
0,1  
t [s]  
1
10  
prepared by: MB  
approved by: PL  
date of publication: 2010-11-03  
revision: 3.1  
6
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ3600R12KE3  
Schaltplan / circuit diagram  
Gehäuseabmessungen / package outlines  
prepared by: MB  
approved by: PL  
date of publication: 2010-11-03  
revision: 3.1  
7
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ3600R12KE3  
Nutzungsbedingungen  
Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die  
Beurteilung der Eignung dieses Produktes für Ihre Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten  
Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen.  
In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, für die wir eine liefervertragliche Gewährleistung  
übernehmen. Eine solche Gewährleistung richtet sich ausschließlich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen  
Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden für das Produkt und dessen Eigenschaften keinesfalls übernommen.  
Sollten Sie von uns Produktinformationen benötigen, die über den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und insbesondere  
eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem für Sie zuständigen  
Vertriebsbüro in Verbindung (siehe www.infineon.com, Vertrieb&Kontakt). Für Interessenten halten wir Application Notes bereit.  
Aufgrund der technischen Anforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei Rückfragen zu  
den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in  
Verbindung.  
Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in Anwendungen der Luftfahrt, in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder  
lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle  
- die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments;  
- den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen;  
- die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend empfehlen und  
gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig machen.  
Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben.  
Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten.  
Terms & Conditions of usage  
The data contained in this product data sheet is exclusively intended for technically trained staff. You and your technical  
departments will have to evaluate the suitability of the product for the intended application and the completeness of the product  
data with respect to such application.  
This product data sheet is describing the characteristics of this product for which a warranty is granted. Any such warranty is  
granted exclusively pursuant the terms and conditions of the supply agreement. There will be no guarantee of any kind for the  
product and its characteristics.  
Should you require product information in excess of the data given in this product data sheet or which concerns the specific  
application of our product, please contact the sales office, which is responsible for you (see www.infineon.com, sales&contact). For  
those that are specifically interested we may provide application notes.  
Due to technical requirements our product may contain dangerous substances. For information on the types in question please  
contact the sales office, which is responsible for you.  
Should you intend to use the Product in aviation applications, in health or live endangering or life support applications, please  
notify. Please note, that for any such applications we urgently recommend  
- to perform joint Risk and Quality Assessments;  
- the conclusion of Quality Agreements;  
- to establish joint measures of an ongoing product survey,  
and that we may make delivery depended on the realization  
of any such measures.  
If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers.  
Changes of this product data sheet are reserved.  
prepared by: MB  
approved by: PL  
date of publication: 2010-11-03  
revision: 3.1  
8
厂商 型号 描述 页数 下载

ETC

FZ300R06KF 晶体管| IGBT | N -CHAN | 600V V( BR ) CES | 300A I(C ) | M : HL093HW048\n[ TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 300A I(C) | M:HL093HW048 ] 1 页

ETC

FZ300R06KL 晶体管| IGBT | N -CHAN | 600V V( BR ) CES | 300A I(C ) | M : HL093HW048\n[ TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 300A I(C) | M:HL093HW048 ] 2 页

ETC

FZ300R10KF2 晶体管| IGBT | N -CHAN | 1KV V( BR ) CES | 300A I(C ) | M : HL093HW048\n[ TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 300A I(C) | M:HL093HW048 ] 1 页

ETC

FZ300R10KN 晶体管| IGBT | N -CHAN |双| 1KV V( BR ) CES | 300A I(C ) | M : HL093HW048\n[ TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1KV V(BR)CES | 300A I(C) | M:HL093HW048 ] 1 页

EUPEC

FZ300R12KE3B1G 与沟槽/场终止IGBT3埃姆康环保和高效率二极管62毫米C系列模块[ 62mm C-series module with the trench/fieldstop IGBT3 and Emcon High Efficiency diode ] 8 页

EUPEC

FZ300R12KE3G TECHNISCHE信息/技术信息[ Technische Information / technical information ] 8 页

ETC

FZ300R12KF 晶体管| IGBT | N -CHAN | 1.2KV V( BR ) CES | 300A I(C ) | M : HL093HW048\n[ TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 300A I(C) | M:HL093HW048 ] 2 页

ETC

FZ300R12KF2 晶体管| IGBT功率模块|独立| 1.2KV V( BR ) CES | 300A I(C )\n[ TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 300A I(C) ] 2 页

ETC

FZ300R12KL 晶体管| IGBT | N -CHAN | 1.2KV V( BR ) CES | 300A I(C ) | M : HL093HW048\n[ TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 300A I(C) | M:HL093HW048 ] 2 页

INFINEON

FZ3600R12HP4 IGBT - Wechselrichter / IGBT逆变器Höchstzulässige Werte /最大额定值[ IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter Höchstzulässige Werte / maximum rated values ] 9 页

PDF索引:

A

B

C

D

E

F

G

H

I

J

K

L

M

N

O

P

Q

R

S

T

U

V

W

X

Y

Z

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

IC型号索引:

A

B

C

D

E

F

G

H

I

J

K

L

M

N

O

P

Q

R

S

T

U

V

W

X

Y

Z

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

Copyright 2024 gkzhan.com Al Rights Reserved 京ICP备06008810号-21 京

0.251417s