台积电双节点战略落地:2nm全面冲刺,A系列新工艺剑指AI与手机双赛道
2026 年 5 月,台积电在年度技术峰会上正式公布2nm(N2)与 A 系列差异化工艺路线,同步加速先进产能扩张与技术迭代,巩固全球代工龙头地位,同时应对 AI 算力爆发与手机市场分化的双重需求。在先进制程竞争中,台积电 2nm 工艺(N2)作为首个全环绕栅极(GAA)节点,已进入量产冲刺阶段。该工艺采用纳米片晶体管结构,相较 3nm(N3E)在相同功耗下性能提升 10%-15%,或相同性能下功
国产AI芯片进入商业化拐点:自给率将达86%,从“能用”到“好用”全面跨越
2026 年 5 月,国产 AI 芯片产业迎来里程碑式拐点:从 “政策驱动” 转向 “利润驱动”,从 “可用” 迈向 “好用”,自给率快速提升。摩根斯坦利报告预测,中国 AI 芯片市场规模 2030 年将达 670 亿美元,国产芯片自给率从 2024 年的 33% 大幅提升至 86%,进入全球第一梯队。技术端,国产 AI 芯片性能全面对标国际主流,部分领域实现超越。寒武纪 MLU590 芯片在特定
存储超级周期持续发酵:HBM一货难求,DRAM一季度暴涨95%,国产HBM3e迎突破
2026 年 5 月,全球存储芯片市场超级周期持续强化,供需失衡达到历史峰值。WSTS 数据显示,2026 年 3 月全球半导体销售额同比增长 88.1%,其中存储芯片同比暴涨 271.1%(接近 4 倍);一季度 DRAM 合约价暴涨 90%-95%,NAND 闪存涨幅达 55%-60%,部分现货价格一年涨近 10 倍。涨价核心驱动力来自AI 服务器爆发式需求。单台 AI 服务器对 DRAM 需
联发科挖角台积电研发大将:先进封装成必争之地,AI算力军备竞赛升级
2026 年 5 月 3 日,联发科官方确认,台积电前研发副总经理余振华正式加盟,担任非全职顾问。余振华是台积电 “研发六骑士” 之一,深度参与台积电 2nm/3nm 工艺、CoWoS 先进封装技术研发,被誉为 “先进封装奠基人”。此次挖角,直指联发科在 AI 先进封装领域的战略布局。AI 芯片竞争已从 “工艺制程” 延伸至 “先进封装”。随着 HBM 堆叠层数突破 12 层、Chiplet 芯粒
AMD上调预期至1200亿美元:智能体AI引爆CPU需求,与Meta/OpenAI深度绑定
2026 年 5 月 6 日,AMD 在财报电话会上大幅上调服务器 CPU 市场预期,将 2030 年总潜在市场规模(TAM)从 600 亿美元上调至 1200 亿美元,年复合增长率从 18% 提升至超 35%,核心驱动力来自智能体 AI(Agentic AI)带来的 CPU 需求结构性爆发。传统数据中心中,CPU 与 GPU 配比约为 1:4 至 1:8,GPU 主导 AI 训练与推理。但智能体
2026 年 5 月,全球科技巨头苹果正式启动芯片代工多元化战略,打破长达十余年的台积电独家代工模式,同时与英特尔、三星展开深度代工洽谈,计划为 iPhone、Mac 主处理器建立 “第二供应曲线”,全球先进芯片制造格局正式从 “一家独大” 迈向 “三足鼎立”。长期以来,苹果 A 系列与 M 系列芯片 100% 依赖台积电先进工艺代工,双方深度绑定。但随着 AI 算力爆发,台积电 3nm 及以下先
国产EDA全链突破:华大九天AI设计平台获头部订单,打破海外数十年垄断
2026 年 4 月,国产 EDA(电子设计自动化)龙头华大九天发布新一代全流程 EDA 平台,新增 AI 芯片专用设计模块,支持千亿参数大模型训练芯片快速设计,已获国内 3 家头部 AI 企业订单,打破海外三巨头(Synopsys、Cadence、Mentor)数十年技术垄断,标志着国产 EDA 产业从 “局部替代” 迈向 “全链自主可控” 新阶段。EDA 作为芯片设计的 “工业母机”,是连接芯
RISC-V生态全面爆发:中科院牵头全产业链协同,香山处理器规模化商用
2026 年 3 月 26 日,中关村论坛年会 RISC-V 生态科技论坛上,中科院正式启动下一代开源芯片与系统研发,同步发布两大硬核成果:全球首个高性能开源 RISC-V 处理器 “香山”、全球首个开源片上互连网络 IP;并联合中国移动、中国电信、中兴通讯、阿里巴巴、腾讯、字节跳动等数十家产业链企业,启动全面支持 RISC-V 国际标准的操作系统联合研发,标志着国产 RISC-V 生态进入全链协
HBM供应链格局剧变:英伟达Vera Rubin芯片发布,国产HBM3e封装实现突破
2026 年 4 月 19 日,英伟达正式发布Vera Rubin AI 超级芯片平台,计划于 2026 年 Q3-Q4 量产,性能较上一代 Blackwell 提升 3.3 倍,单 Token 推理成本降至十分之一,成为 AI 算力供应链升级的核心引擎。与此同时,全球 HBM(高带宽内存)市场供需持续紧张,SK 海力士、三星、美光三足鼎立格局稳固,而国产 HBM3e 封装技术实现关键突破,长电科
国产汽车芯片里程碑:昊铂GT攀登版全车100%国产芯片上市,打破海外垄断
2026 年 4 月 12 日,广汽科技日发布重磅消息:旗下高端智能品牌昊铂 GT 攀登版将于 5 月正式上市,成为国内首款全车芯片 100% 国产化的智能汽车。从核心计算平台、智能座舱芯片到车身控制、电源管理、传感器芯片,全车无一颗依赖海外供应,标志着中国智能汽车彻底打破海外芯片垄断,迈入全产业链自主可控新时代。过去多年,全球车规级芯片市场被海外厂商牢牢掌控,国内车企长期面临 “缺芯少魂” 困境
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