存储超级周期持续发酵：HBM一货难求，DRAM一季度暴涨95%，国产HBM3e迎突破

发布时间：2026-5-9

类别：行业动态

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2026 年 5 月，全球存储芯片市场超级周期持续强化，供需失衡达到历史峰值。WSTS 数据显示，2026 年 3 月全球半导体销售额同比增长 88.1%，其中存储芯片同比暴涨 271.1%（接近 4 倍）；一季度 DRAM 合约价暴涨 90%-95%，NAND 闪存涨幅达 55%-60%，部分现货价格一年涨近 10 倍。

涨价核心驱动力来自AI 服务器爆发式需求。单台 AI 服务器对 DRAM 需求是普通服务器的 8 倍、NAND 的 3 倍，HBM 高带宽内存更是刚需 —— 单颗英伟达 Vera Rubin 芯片搭载 12 颗 HBM3e，总带宽达 8.2TB/s。Yole Group 预测，2026 年全球 HBM 市场规模达 629 亿美元，同比暴涨 82%，供需缺口持续扩大，交期普遍超 18 个月。

供给端，韩系厂商垄断 HBM 产能，传统存储供给收紧。SK 海力士占据全球 50% HBM 市场份额，率先量产 HBM3e，深度绑定英伟达；三星占比 30%，主攻 HBM3/HBM4，供应 AMD、英特尔；美光占比 20%，加速 HBM3e 扩产，2026 年底量产。三大厂商将 70% 先进产能转向 HBM，传统 DRAM、NAND 供给大幅收缩，价格持续飙升。

国产 HBM 产业迎来历史性突破，长鑫存储 HBM3e 样品通过测试，2026 年有望成为全球第四大 HBM 供应商；长电科技 HBM3e 封装方案良率稳定超 92%，进入国内头部 AI 企业送样认证；通富微电、华天科技加速 2.5D 堆叠技术研发，国产 HBM 全产业链实现从 0 到 1 突破。

行业预测，存储超级周期将持续至 2028 年。2026 年全球存储市场规模突破 5000 亿美元，HBM 成为增长核心引擎；国产存储企业凭借技术突破与成本优势，2028 年全球市场份额有望突破 15%，打破韩系垄断，支撑国产 AI 芯片产业自主可控。