
先进封装成AI芯片决胜关键:英特尔EMIB良率突破90%,长电科技全球份额持续提升
2026 年 5 月,全球先进封装市场迎来关键突破:英特尔EMIB(嵌入式多芯片互连桥)技术良率突破 90%,并在美国、越南同步推进产能扩张,加速追赶台积电 CoWoS;国内封测龙头长电科技上调 20

OpenAI联合五大巨头发布MRC协议:AI集群互联革命,国产交换芯片迎来替代窗口期
2026 年 5 月 6 日,OpenAI 联合AMD、博通、英特尔、微软五大科技巨头,正式发布MRC(多路径可靠连接)协议,并将其贡献给 OCP 开放计算项目,引发全球 AI 算力集群互联架构革命性

国产AI芯片底层架构突破:寒序科技联手三星,8nm eMRAM芯片实现亚洲首例商业化
2026 年 5 月 8 日,国产 AI 芯片企业寒序科技联合三星及生态伙伴 SEMIFIVE,基于三星 8 纳米 eMRAM 工艺的边缘 AI 芯片成功流片,这是亚洲范围内首个实现商业化落地的 8n

三星技术与市值双突破:2nm良率追平台积电,HBM4垄断AI存储高端市场
2026 年 5 月,三星电子迎来历史性时刻:市值突破1 万亿美元,成为继台积电之后亚洲第二家、韩国首家迈入 “万亿俱乐部” 的科技企业。业绩爆发背后,是三星在先进制程、HBM 存储领域的技术突破与市

台积电双节点战略落地:2nm全面冲刺,A系列新工艺剑指AI与手机双赛道
2026 年 5 月,台积电在年度技术峰会上正式公布2nm(N2)与 A 系列差异化工艺路线,同步加速先进产能扩张与技术迭代,巩固全球代工龙头地位,同时应对 AI 算力爆发与手机市场分化的双重需求。在

国产AI芯片进入商业化拐点:自给率将达86%,从“能用”到“好用”全面跨越
2026 年 5 月,国产 AI 芯片产业迎来里程碑式拐点:从 “政策驱动” 转向 “利润驱动”,从 “可用” 迈向 “好用”,自给率快速提升。摩根斯坦利报告预测,中国 AI 芯片市场规模 2030

存储超级周期持续发酵:HBM一货难求,DRAM一季度暴涨95%,国产HBM3e迎突破
2026 年 5 月,全球存储芯片市场超级周期持续强化,供需失衡达到历史峰值。WSTS 数据显示,2026 年 3 月全球半导体销售额同比增长 88.1%,其中存储芯片同比暴涨 271.1%(接近 4

联发科挖角台积电研发大将:先进封装成必争之地,AI算力军备竞赛升级
2026 年 5 月 3 日,联发科官方确认,台积电前研发副总经理余振华正式加盟,担任非全职顾问。余振华是台积电 “研发六骑士” 之一,深度参与台积电 2nm/3nm 工艺、CoWoS 先进封装技术研

AMD上调预期至1200亿美元:智能体AI引爆CPU需求,与Meta/OpenAI深度绑定
2026 年 5 月 6 日,AMD 在财报电话会上大幅上调服务器 CPU 市场预期,将 2030 年总潜在市场规模(TAM)从 600 亿美元上调至 1200 亿美元,年复合增长率从 18% 提升至
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