存储芯片供需格局重构：海外大厂重启本土以外产能布局，AI 需求拉长景气周期

发布时间：昨天 10:51

类别：行业动态

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进入 2026 年下半年，全球存储行业正在上演一轮复杂的供需博弈，AI 服务器带来海量存储需求，带动 HBM、NAND、DRAM 全线景气走高，同时各大厂商开始重新评估全球产能布局策略。

近期，海外存储大厂 SK 海力士正式确认重启大连 NAND 闪存二厂建设项目，这座搁置数年的工厂将完成设备导入，预计 2026 年底进场，2027 年上半年实现投产，整体 NAND 产能规模提升约 50%。这一动作也被市场解读为，面对全球 AI 算力爆发带来的存储缺口，企业选择盘活已有厂区资源，快速补充供给，而不是从零新建厂房。韩国官方出口数据显示，8 月上旬芯片出口同比大幅增长 155.4%，存储产品成为拉动出口的核心力量，侧面印证行业景气上行。

但供给扩张不等于立刻缓解缺货。集邦咨询分析指出，2026 年 NAND 闪存依旧维持 4%‑5% 的位元缺口，处于缺货状态；厂商资源优先倾斜高附加值 DRAM 与 HBM，NAND 更多依靠制程迭代提升容量，晶圆新增产能有限，大规模供需缓和预计要等到 2027 年下半年之后。

资本市场与现货市场已经出现分化。多家投行提示，HBM 超高涨幅阶段或将告一段落，但普通 DRAM、NAND 的价格韧性依旧较强。国内 MCU 厂商国民技术官宣，10 月 1 日起部分产品上调 10‑20%，背后是工业、AI 周边硬件带动通用芯片需求走高，产能分配紧张的现实矛盾。

行业也看到风险点：存储属于强周期行业，一旦 AI 资本开支不及预期，叠加消费电子终端需求复苏不及预期，高位价格存在回调风险。对于产业链上下游企业而言，如何平衡长单锁货与现货采购，成为供应链管理的重要课题。