英伟达与SK海力士签署多年深度绑定协议，联合研发HBM全链路方案，AI存储紧缺周期将延续至2028年

6 月 8 日，英伟达与 SK 海力士在韩国首尔举办战略合作签约仪式，双方敲定覆盖存储芯片联合定制、晶圆厂智能化改造、全球 AI 算力生态共建的长期合作框架，直面全球 HBM 高带宽内存持续紧缺的行业

全球光芯片产能竞赛全面打响，磷化铟衬底供需缺口70%，CPO产业化进入关键窗口期

2026 年 6 月，海内外光芯片、磷化铟衬底厂商集中发布大额扩产公告，一场围绕 AI 数据中心高速互连的全球产能竞赛正式拉开帷幕，高速光互连、CPO 光电共封装成为算力产业链确定性最高的高景气赛道，

台积电、英特尔、三星集体战略转向，后摩尔时代竞争核心转向先进封装与新材料

2026 年上半年，全球三大半导体制造龙头同步公布千亿级产业布局规划，行业发展逻辑迎来根本性转折：各家不再单一加码极致纳米制程研发，将核心资金、研发人力、新建产线资源全面倾斜先进封装、玻璃基板、复合散

晶镓半导体受让氮化铝AlN全套专利，成为全球唯一同时掌握GaN/AlN自主衬底知识产权厂商

6 月 10 日，第三代半导体产业传来重磅产学研转化消息，晶镓半导体正式受让山东大学团队全套氮化铝 AlN 单晶衬底制备核心技术与完整专利体系，叠加企业已规模化量产的氮化镓 GaN 衬底自研技术，一跃

江丰电子300mm高纯硅靶批量供货，半导体核心靶材实现关键自主突破

6 月 13 日，国内高端靶材龙头江丰电子对外确认，适配先进存储芯片制造的 300 毫米高纯硅靶材已实现稳定批量供货，超高纯钨靶、铜锰合金靶同步导入 HBM、DRAM 存储产线，彻底打破海外厂商在高端

芯联集成200亿布局绍兴车规级12英寸产线，成熟特色工艺赛道迎来扩产热潮

6 月 11 日晚间，科创板企业芯联集成发布重磅投资公告，公司与绍兴地方产业平台签署合资协议，总投资 200 亿元建设 12 英寸车规级数模混合芯片制造基地，单条产线规划月产能 5 万片，聚焦 28n

英伟达与SK海力士签署多年深度战略合作，联合研发下一代AI存储全链路方案

6 月 8 日，英伟达与 SK 海力士在韩国首尔举办战略合作签约仪式，双方高管团队全部出席，敲定覆盖存储芯片联合研发、晶圆厂智能化改造、AI 算力生态共建的长期绑定合作协议，直面全球 HBM 高带宽内

台积电发布COUPE标准化CPO平台，光电共封装进入规模化量产拐点

2026 年 6 月上旬，台积电正式对外发布面向 AI 算力数据中心的紧凑型通用光子引擎 COUPE，将自有 CoWoS 先进封装与硅光子工艺深度融合，推出行业首个统一标准 CPO（共封装光学）底层技

全球芯片地缘博弈升级，供应链加速分化为“自主可控”与“西方联盟”两大体系

2026 年以来，全球芯片领域地缘政治博弈持续升级，各国围绕技术主权、供应链安全、高端产能、人才争夺展开全方位竞争。美国持续加码出口管制、推动盟友协同限制；中国加速自主可控、构建本土产业链；欧盟、日本

全球存储芯片供需失衡加剧，HBM与AI驱动价格持续上行

2026 年 5 月 11 日，高盛发布最新半导体行业报告，大幅上调存储芯片全年涨幅预期：DRAM 全年涨幅 250%–280%，NAND Flash 涨幅 200%–250%，HBM 价格持续高位且