功率半导体进入量价齐升周期，第三代半导体碳化硅、氮化镓加速渗透新能源与AI电源市场

发布时间：1小时前

类别：行业动态

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2026 年全球功率半导体行业迎来明确的高景气周期，叠加 AI 数据中心高压电源、新能源汽车、光伏储能三大下游需求共振，海外 IDM 大厂、国内功率厂商接连启动调价，碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等第三代半导体产品加速从样品验证走向大规模装车、上机，整个赛道迎来持续的供需紧平衡状态，也成为国产半导体实现差异化突围的重要赛道。

进入下半年，全球头部功率厂商陆续发布调价通知，英飞凌、德州仪器、意法半导体、安森美等海外大厂先后上调功率器件报价；台系功率厂商强茂、台半计划在 10 月对现货产品再度上调 10%-15%。和前几年渠道囤货带来的短期涨价不同，本轮涨价来自原厂主动调整库存策略，瑞萨电子已经把全链条库存安全线从 120 天提升至 150 天，主动备货对冲供给缺口，这也印证本轮景气是真实下游需求拉动，而非短期炒作。机构统计数据显示，AI 数据中心机架功率密度持续走高，从传统的 120 千瓦向数百千瓦级别升级，高压、高效率的功率器件是电源系统不可或缺的基础器件，安森美管理层公开表示，2026 年全年 AI 数据中心业务营收有望达到 5 亿美元，是未来三年核心增长引擎，该板块单季度同比增速超过 100%。

在第三代半导体赛道，碳化硅衬底的国产化进度是今年产业最大亮点之一。天岳先进的碳化硅导电型衬底持续放量，8 英寸产品全球市占率突破 50%，在导电型、半绝缘型两大路线同步布局，覆盖 6/8/12 英寸全尺寸产品矩阵，长晶炉设备已经实现国产化，客户覆盖全球过半头部功率器件厂商，打破海外企业长期垄断格局。器件端，比亚迪半导体推出可以批量装车的 1500V 大功率碳化硅芯片，适配新能源车高压平台；扬杰科技建设车规级碳化硅晶圆工厂，750V 到 2300V 宽电压产品矩阵持续迭代，将 2026 年定为碳化硅业务放量关键年份；斯达半导、三安光电、士兰微等企业的碳化硅 MOS、氮化镓器件，陆续进入车企、储能逆变器、AI 服务器电源供应链，部分产品已经实现稳定批量供货财联社。

氮化镓方面，8 英寸产线规模化量产成为主线。英诺赛科 8 英寸氮化镓晶圆产线月产能已经提升至 2 万片，作为少数进入头部云厂商 800V 电源方案的本土氮化镓供应商，产品同时面向消费快充、服务器高压电源两大市场，是国内氮化镓赛道商业化落地的标杆企业。海外厂商同样在重金扩产：英飞凌在德累斯顿建设的功率半导体工厂、意法半导体意大利碳化硅 8 英寸产线、安森美捷克碳化硅工厂都将在 2026 到 2027 年陆续投产，全球产能扩张节奏，依然跟不上 AI、新能源车叠加带来的需求增速财联社。

国内成熟制程功率晶圆厂同样充分受益本轮行情，华虹宏力、立昂微、东微半导等企业上半年业绩大幅增长，多家企业归母净利润同比增幅超过 100%。功率半导体大多依托 8 英寸成熟制程晶圆，而 AI 芯片、各类专用芯片持续抢占 8 英寸产能，进一步挤压功率器件可用产能，供需缺口持续放大，原厂订单交期不断拉长，形成 “需求上涨、产能受限、价格上行” 的正向循环。

当然赛道的挑战同样清晰可见。从全球格局看，海外 IDM 厂商在车规级可靠性认证、长期供应链体系、高端器件专利上积累深厚，整体市场份额依然领先；国内厂商更多从衬底、外延、分立器件切入，高端功率模组、车规级认证周期漫长，认证失败、可靠性不达标的风险较高。同时碳化硅、氮化镓产线投资巨大，长晶良率管控难度高，行业也存在部分区域盲目上马项目的隐忧，如果下游需求节奏发生变化，后续可能出现产能过剩风险。

中长期来看，功率半导体是能源转型、算力基础设施建设的底层硬件，国内拥有全球最大的新能源车、光伏储能、算力中心市场，天然具备产业落地优势。行业共识是，未来竞争会从单纯拼价格、拼产能，转向车规可靠性、系统方案能力、配套专利体系的综合比拼。国内企业需要持续投入可靠性测试、车规认证，和车企、电源方案商深度联合开发，把衬底、外延、器件、模组的产业链打通，依托本土庞大应用市场，持续缩小和国际一线厂商的差距。