宽禁带功率器件全球专利博弈全面升级，跨境诉讼常态化，专利成为行业核心竞争壁垒

发布时间：昨天 10:28

类别：行业动态

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2026 年下半年，碳化硅、氮化镓市场持续放量，新能源汽车、光伏储能、AI 服务器电源需求持续走高，全球宽禁带半导体赛道的市场竞争，已经从产能、成本比拼，升级为大规模跨境专利攻防战，多家头部企业在中美欧多地法院互相发起诉讼，专利博弈深刻改写全球功率半导体产业格局36氪。

7 月上旬，Wolfspeed 在美国特拉华联邦法院对 Navitas 提起诉讼，指控对方旗下 GaNFast、GaNSlim、GaNSafe 全系列氮化镓产品，以及 GeneSiC 碳化硅 MOSFET、SiCPAK 功率模块侵犯 5 项底层发明专利，专利覆盖器件结构、晶体管设计、功率集成模块架构，几乎触及 Navitas 全部主力产品线，诉求包含永久销售禁令、侵权损害赔偿以及专利许可费用追索。Navitas 第一时间公开回应，认为本次诉讼毫无事实依据，产品采用差异化器件架构，将积极应诉抗辩电子工程专...。

几乎同一时间段，英飞凌与英诺赛科横跨中、美、德三地的氮化镓专利纠纷持续发酵，形成双向诉讼对峙局面。国内司法流程中，苏州中院一审判决英飞凌 G3 系列氮化镓产品落入专利保护范围，下发停止销售行为保全禁令，后续最高法知识产权法庭驳回复议，维持禁令效力，慕尼黑电子展现场涉案产品被执行撤展处理；海外层面，慕尼黑地方法院、美国 ITC 先后作出多轮裁决，部分针对英诺赛科旧款产品的禁令生效，但新一代主力产品并未受到禁令约束，可以继续在海外市场开展商业销售。双方互相提起专利无效、侵权诉讼，多条司法程序同步推进，拉锯仍将持续较长周期36氪。

梳理多起案件不难发现，宽禁带领域底层基础专利大多掌握在海外老牌厂商手中，经过数十年积累已经构建起密集专利网络。在行业发展早期，市场规模有限，企业之间以技术合作、专利交叉许可为主；而现在 SiC、GaN 进入大规模商用，市场蛋糕快速扩大，专利就成为市场竞争的重要工具。企业既可以通过诉讼限制竞争对手市场扩张，也可以推动专利授权，获取稳定收益。

对于国内功率半导体企业，这一系列跨境专利战带来明确启示。跟随式研发很容易落入现有专利保护范围，出海会直接面临知识产权风险。单纯依靠产品性能、价格优势不足以支撑全球化经营，必须坚持两条路线并行：一方面持续布局自主原创专利，围绕衬底生长、新型器件结构、封装模块设计构建自己的专利壁垒；另一方面建立完整的专利风险排查机制，提前开展自由实施评估，规避高风险技术方案，积极推动交叉许可谈判。

行业机构判断，未来 2‑3 年，随着车载、储能市场持续爆发，宽禁带半导体的专利诉讼还将更加频繁。知识产权能力，已经和工艺良率、成本控制并列，成为功率器件企业核心的生存能力。