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FZT851

型号：

FZT851

描述：

SOT223 NPN硅平面高电流[ SOT223 NPN SILICON PLANAR HIGH CURRENT ]

品牌：

DIODES[ DIODES INCORPORATED ]

页数：

3 页

PDF大小：

57 K

下载PDF手册
SOT223 NPN SILICON PLANAR HIGH CURRENT  
(HIGH PERFORMANCE) TRANSISTORS  
FZT851  
FZT853  
ISSUE 2 - OCTOBER 1995  
FEATURES  
C
*
*
*
*
Extremely low equivalent on-resistance; RCE(sat) 44mΩ at 5A  
6 Amps continuous current, up to 20 Amps peak current  
Very low saturation voltages  
E
Excellent hFE characteristics specified up to 10 Amps  
C
B
PARTMARKING DETAILS -  
DEVICE TYPE IN FULL  
COMPLEMENTARY TYPES - FZT851  
FZT853  
FZT951  
FZT953  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
FZT851  
150  
60  
FZT853  
200  
100  
6
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICM  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
V
6
V
Peak Pulse Current  
20  
10  
A
Continuous Collector Current  
Power Dissipation at Tamb=25°C  
IC  
6
3
A
Ptot  
W
°C  
Operating and Storage Temperature  
Range  
Tj:Tstg  
-55 to +150  
*The power which can be dissipated assuming the device is mounted in a typical manner on a  
P.C.B. with copper equal to 4 square inch minimum  
3 - 260  
FZT851  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
= 25°C unless otherwise stated)  
amb  
PARAMETER  
SYMBOL MIN. TYP.  
MAX. UNIT CONDITIONS.  
Collector-Base Breakdown  
Voltage  
V(BR)CBO  
V(BR)CER  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
150  
150  
60  
220  
220  
85  
V
V
V
V
IC=100µA  
Collector-Emitter  
Breakdown Voltage  
IC=1µA, RB ≤1kΩ  
IC=10mA*  
IE=100µA  
Collector-Emitter  
Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown  
Voltage  
6
8
Collector Cut-Off Current  
Collector Cut-Off Current  
Emitter Cut-Off Current  
50  
1
nA  
µA  
VCB=120V  
VCB=120V,  
Tamb=100°C  
ICER  
R ≤1kΩ  
50  
1
nA  
µA  
VCB=120V  
VCB=120V,  
Tamb=100°C  
IEBO  
10  
nA  
VEB=6V  
Collector-Emitter Saturation VCE(sat)  
Voltage  
50  
mV  
mV  
mV  
mV  
IC=0.1A, IB=5mA*  
IC=1A, IB=50mA*  
IC=2A, IB=50mA*  
IC=6A, IB=300mA*  
100  
170  
375  
Base-Emitter  
VBE(sat)  
VBE(on)  
hFE  
1200 mV  
IC=6A, IB=300mA*  
Saturation Voltage  
Base-Emitter  
Turn-On Voltage  
1150 mV  
IC=6A, VCE=1V*  
Static Forward  
Current Transfer  
Ratio  
100  
100  
75  
200  
200  
120  
50  
IC=10mA, VCE=1V  
IC=2A, VCE=1V*  
IC=5A, VCE=1V*  
IC=10A, VCE=1V*  
300  
25  
Transition  
Frequency  
fT  
130  
MHz  
IC=100mA, VCE=10V  
f=50MHz  
Output Capacitance  
Switching Times  
Cobo  
45  
pF  
VCB=10V, f=1MHz  
ton  
toff  
45  
1100  
ns  
ns  
IC=1A, IB1=100mA  
IB2=100mA, VCC=10V  
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤2%  
Spice parameter data is available upon request for this device  
3 - 261  
FZT851  
TYPICAL CHARACTERISTICS  
1.6  
1.4  
1.2  
1.0  
0.8  
0.6  
0.4  
300  
200  
100  
0.8  
IC/IB=10  
IC/IB=50  
VCE=5V  
VCE=1V  
0.6  
0.4  
0.2  
0.2  
0
0
0.01  
100  
0.1  
1
10  
0.01  
0.1  
1
10  
100  
IC - Collector Current (Amps)  
C
I
Collector Current (Amps)  
-
CE(sat)  
V
C
v I  
hFE v IC  
VCE=1V  
2.0  
2.0  
1.5  
1.0  
0.5  
1.5  
1.0  
0.5  
IC/IB=10  
IC/IB=50  
1
1
0.001  
0.01  
0.1  
10  
100  
0.001  
0.01  
0.1  
10  
100  
C
I
Collector Current (Amps)  
-
C Collector Current (Amps)  
I -  
BE(sat)  
V
C
v I  
BE(on)  
V
C
v I  
Single Pulse Test Tamb=25 °C  
100  
10  
1
DC  
1s  
100ms  
10ms  
1ms  
100µs  
0.1  
0.1  
1
10  
100  
VCE - Collector Voltage (V)  
Safe Operating Area  
3 - 262  
厂商 型号 描述 页数 下载

ZETEX

 		FZT1047A NPN硅平面中功率高增益晶体管[ NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR ] 4 页

KEXIN

 		FZT1047A NPN硅平面中功率高增益晶体管[ NPN Silicon Planar Medium Power High Gain Transistor ] 2 页

DIODES

 		FZT1047A SOT223 NPN硅平面[ SOT223 NPN SILICON PLANAR ] 4 页

TYSEMI

 		FZT1047A 5安培连续电流20安培的脉冲电流。[ 5 Amp continuous current, 20 Amp pulse current. ] 2 页

DIODES

 		FZT1047ATA [ 暂无描述 ] 4 页

ZETEX

 		FZT1047ATA [ Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 10V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin, SOT-223, 4 PIN ] 4 页

DIODES

 		FZT1047ATC [ Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 10V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin, SOT-223, 4 PIN ] 4 页

DIODES

 		FZT1048 [ 暂无描述 ] 3 页

ZETEX

 		FZT1048A NPN硅平面中功率高增益晶体管[ NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR ] 3 页

KEXIN

 		FZT1048A NPN硅平面中功率高增益晶体管[ NPN Silicon Planar Medium Power High Gain Transistor ] 2 页

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