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IXKH70N60C5

型号：

IXKH70N60C5

描述：

CoolMOSâ ?? ¢ 1 ）功率MOSFET[ CoolMOS™ 1) Power MOSFET ]

品牌：

IXYS[ IXYS CORPORATION ]

页数：

4 页

PDF大小：

111 K

下载PDF手册
IXKH 70N60C5  
CoolMOS™ 1) Power MOSFET  
ID25  
VDSS  
=
70A  
= 600V  
RDS(on) max = 0.045Ω  
N-Channel Enhancement Mode  
Low RDSon, High VDSS MOSFET  
Ultra low gate charge  
D
TO-247 AD (IXKH)  
G
G
D
S
q
D(TAB)  
S
Features  
MOSFET  
• fast CoolMOS™ 1) power MOSFET  
Symbol  
VDSS  
Conditions  
Maximum Ratings  
4th generation  
TVJ = 25°C  
600  
20  
V
- High blocking capability  
- Lowest resistance  
VGS  
V
- Avalanche rated for unclamped  
inductive switching (UIS)  
- Low thermal resistance  
due to reduced chip thickness  
• Enhanced total power density  
ID25  
ID90  
TC = 25°C  
TC = 90°C  
70  
48  
A
A
EAS  
EAR  
single pulse  
repetitive  
1950  
3
mJ  
mJ  
ID = 11 A; TC = 25°C  
dV/dt  
MOSFET dV/dt ruggedness VDS = 0...480 V  
50 V/ns  
Applications  
• Switched mode power supplies  
(SMPS)  
Symbol  
Conditions  
Characteristic Values  
(TVJ = 25°C, unless otherwise specified)  
• Uninterruptible power supplies (UPS)  
• Power factor correction (PFC)  
• Welding  
min. typ. max.  
RDSon  
VGS = 10 V; ID = 44 A  
40  
3
45  
mΩ  
• Inductive heating  
• PDP and LCD adapter  
VGS(th)  
IDSS  
VDS = VGS; ID = 3 mA  
2.5  
3.5  
10  
V
VDS = 600 V; VGS = 0 V  
TVJ = 25°C  
TVJ = 125°C  
µA  
µA  
50  
1) CoolMOS™ is a trademark of  
Infineon Technologies AG.  
IGSS  
VGS  
=
20 V; VDS = 0 V  
100  
190  
nA  
Ciss  
Coss  
VGS = 0 V; VDS = 100 V  
f = 1 MHz  
6800  
320  
pF  
pF  
Qg  
Qgs  
Qgd  
150  
35  
50  
nC  
nC  
nC  
VGS = 0 to 10 V; VDS = 400 V; ID = 44 A  
td(on)  
tr  
td(off)  
tf  
30  
20  
100  
10  
ns  
ns  
ns  
ns  
VGS = 10 V; VDS = 400 V  
ID = 44 A; RG = 3.3 Ω  
RthJC  
0.2 K/W  
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.  
© 2009 IXYS All rights reserved  
20090209d  
1 - 4  
IXKH 70N60C5  
Source-Drain Diode  
Symbol  
Conditions  
Characteristic Values  
(TVJ = 25°C, unless otherwise specified)  
min. typ. max.  
IS  
VGS = 0 V  
44  
A
VSD  
IF = 44 A; VGS = 0 V  
0.9  
1.2  
V
trr  
QRM  
IRM  
600  
17  
60  
ns  
µC  
A
IF = 44 A; -diF/dt = 100 A/µs; VR = 400 V  
Component  
Symbol  
Conditions  
Maximum Ratings  
TVJ  
Tstg  
operating  
-55...+150  
-55...+150  
°C  
°C  
Md  
mounting torque  
0.8 ... 1.2  
Nm  
Symbol  
Conditions  
Characteristic Values  
min. typ. max.  
RthCH  
with heatsink compound  
0.25  
6
K/W  
g
Weight  
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.  
© 2009 IXYS All rights reserved  
20090209d  
2 - 4  
IXKH 70N60C5  
TO-247 AD Outline  
Symbol  
Inches  
min  
Millimeters  
max  
0.209  
0.102  
0.098  
0.845  
0.640  
0.216  
min  
max  
A
0.185  
0.087  
0.059  
0.819  
0.610  
0.170  
4.70  
2.21  
5.30  
2.59  
A1  
A2  
D
E
E2  
e
1.50  
2.49  
20.79  
15.48  
4.31  
21.45  
16.24  
5.48  
0.215 BSC  
5.46 BSC  
L
0.780  
-
0.140  
0.212  
0.800  
0.177  
0.144  
0.244  
19.80  
-
3.55  
5.38  
20.30  
4.49  
3.65  
6.19  
L1  
ØP  
Q
S
0.242 BSC  
6.14 BSC  
b
0.039  
0.065  
0.102  
0.015  
0.515  
0.020  
0.530  
-
0.055  
0.094  
0.135  
0.035  
-
0.053  
-
0.291  
0.99  
1.65  
2.59  
0.38  
13.07  
0.51  
13.45  
-
1.40  
2.39  
3.43  
0.89  
-
1.35  
-
7.39  
b2  
b4  
c
D1  
D2  
E1  
ØP1  
700  
600  
500  
400  
300  
200  
100  
0
250  
200  
150  
100  
50  
140  
10 V  
8 V  
8 V  
TJ = 25°C  
20 V  
=
VGS  
TJ = 150°C  
7 V  
10 V  
120  
100  
80  
60  
40  
20  
0
7 V  
6 V  
VGS  
=
20 V  
5.5 V  
6 V  
5 V  
5.5 V  
4.5 V  
5 V  
4.5 V  
0
0
40  
80  
120  
160  
0
5
10  
15  
20  
0
5
10  
15  
20  
TC [°C]  
V
[V]  
V
[V]  
DS  
DS  
Fig. 1 Power dissipation  
Fig. 2 Typ. output characteristics  
Fig. 3 Typ. output characteristics  
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.  
© 2009 IXYS All rights reserved  
20090209d  
3 - 4  
IXKH 70N60C5  
0.16  
0.12  
0.08  
0.04  
0.12  
0.1  
320  
280  
240  
200  
160  
120  
80  
ID = 44 A  
VGS = 10 V  
TJV = 150°C  
VDS > 2·RDS(on) max · ID  
25 °C  
5.5 V  
5 V  
=
VDS  
6 V  
6.5 V  
7 V  
0.08  
0.06  
0.04  
0.02  
20 V  
98 %  
150 °C  
typ  
TJ =  
40  
0
0
0
0
20  
40  
60  
80  
100  
-60  
-20  
20  
60  
j [°C]  
100  
140  
180  
0
2
4
6
8
10  
I D [A]  
T
V
[V]  
GS  
Fig. 4 Typ. drain-source on-state  
resistance characteristics of IGBT  
Fig. 5 Drain-source on-state resistance  
Fig. 6 Typ. transfer characteristics  
10 3  
10 2  
10 1  
10 0  
10 5  
10 4  
10 3  
10 2  
10 1  
10 0  
12  
10  
8
ID = 11 A pulsed  
VGS = 0 V  
f = 1 MHz  
Ciss  
VDS = 50 V  
1 20 V  
40 0V  
150 °C, 98%  
25 °C  
TJ =150 °C  
Coss  
6
25 °C, 98%  
4
Crss  
2
0
0
0.5  
1
1.5  
2
0
50  
100  
[V]  
150  
200  
0
50  
100  
150  
V
[V]  
Q gate [nC]  
V
SD  
DS  
Fig. 7 Forward characteristic  
of reverse diode  
Fig. 8 Typ. gate charge  
Fig. 9 Typ. capacitances  
10 0  
10 -1  
10 -2  
10 -3  
2000  
700  
660  
620  
580  
540  
ID = 11 A  
ID = 0.25 mA  
1500  
1000  
500  
0.5  
0.2  
D = tp/T  
0.1  
0.05  
0.02  
0.01  
single pulse  
0
10 -6  
10 -5  
10 -4  
10 -3  
10 -2  
10 -1  
10 0  
20  
60  
100  
140  
180  
-60  
-20  
20  
60  
100  
140  
180  
T
j [°C]  
T
j [°C]  
t p [s]  
Fig. 10 Avalanche energy  
Fig. 11 Drain-source breakdown voltage  
Fig. 12 Max. transient thermal  
impedance  
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.  
© 2009 IXYS All rights reserved  
20090209d  
4 - 4  
厂商 型号 描述 页数 下载

IXYS

 		IXKC13N80C 的CoolMOS功率MOSFET ISOPLUS220[ CoolMOS Power MOSFET ISOPLUS220 ] 2 页

LITTELFUSE

 		IXKC15N60C5 [ Power Field-Effect Transistor, ] 5 页

LITTELFUSE

 		IXKC19N60C5 [ Power Field-Effect Transistor, ] 5 页

IXYS

 		IXKC19N60C5 [ Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 600V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ISOPLUS220, 3 PIN ] 4 页

IXYS

 		IXKC20N60C 的CoolMOS功率MOSFET在ISOPLUS220套餐[ CoolMOS Power MOSFET in ISOPLUS220 Package ] 2 页

LITTELFUSE

 		IXKC23N60C5 [ Power Field-Effect Transistor, ] 5 页

IXYS

 		IXKC23N60C5 [ Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 600V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ISOPLUS220, 3 PIN ] 4 页

IXYS

 		IXKC40N60C 的CoolMOS功率MOSFET ISOPLUS220[ CoolMOS Power MOSFET ISOPLUS220 ] 2 页

IXYS

 		IXKF40N60SCD1 的CoolMOS功率MOSFET系列肖特基二极管和超快速反并联二极管的高压ISOPLUS I4 -PAC[ CoolMOS Power MOSFET with Series Schottky Diode and Ultra Fast Antiparallel Diode in High Voltage ISOPLUS i4-PAC ] 2 页

IXYS

 		IXKG25N80C 的CoolMOS功率MOSFET ISO264[ CoolMOS Power MOSFET ISO264 ] 2 页

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