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RYC002N05T316

型号：

RYC002N05T316

描述：

0.9V驱动N沟道MOSFET[ 0.9V Drive Nch MOSFET ]

品牌：

TYSEMI[ TY Semiconductor Co., Ltd ]

页数：

2 页

PDF大小：

1312 K

下载PDF手册
Product specification  
RYC002N05  
0.9V Drive Nch MOSFET  
Structure  
Dimensions (Unit : mm)  
SST3  
<SOT-23>  
Silicon N-channel MOSFET  
Features  
1) High speed switing.  
2) Small package(SST3).  
3)Ultra low voltage drive(0.9V drive).  
Abbreviated symbol : QJ  
Application  
Switching  
Packaging specifications  
Inner circuit  
(3)  
Package  
Taping  
T316  
3000  
Type  
Code  
Basic ordering unit (pieces)  
∗1  
RYC002N05  
∗2  
Absolute maximum ratings (Ta = 25C)  
Parameter Symbol  
Drain-source voltage  
(2)  
∗1 BODY DIODE  
(1)  
(1) Source  
(2) Gate  
(3) Drain  
Limits  
50  
Unit  
V
∗2 ESD PROTECTION DIODE  
VDSS  
VGSS  
ID  
Gate-source voltage  
8  
V
Continuous  
Pulsed  
200  
800  
150  
mA  
mA  
mA  
mA  
mW  
C  
Drain current  
*1  
IDP  
Continuous  
Pulsed  
IS  
Source current  
(Body Diode)  
*1  
*2  
ISP  
800  
Power dissipation  
PD  
200  
Channel temperature  
Tch  
Tstg  
150  
Range of storage temperature  
*1 Pw10s, Duty cycle1%  
55 to 150  
C  
*2 Each terminal mounted on a recommended land.  
Thermal resistance  
Parameter  
Symbol  
Rth (ch-a)*  
Limits  
625  
Unit  
Channel to Ambient  
C / W  
* Each terminal mounted on a recommended land.  
http://www.twtysemi.com  
sales@twtysemi.com  
4008-318-123  
1 of 2  
Product specification  
RYC002N05  
ꢀ
Electrical characteristics (Ta = 25C)  
Parameter  
Symbol  
IGSS  
Min.  
Typ.  
-
Max.  
Unit  
A VGS=8V, VDS=0V  
ID=1mA, VGS=0V  
A VDS=50V, VGS=0V  
Conditions  
Gate-source leakage  
-
10  
Drain-source breakdown voltage V (BR)DSS  
50  
-
-
1
V
Zero gate voltage drain current  
Gate threshold voltage  
IDSS  
-
-
VGS (th)  
0.3  
-
0.8  
2.2  
2.4  
2.8  
3.3  
9.0  
-
V
S
VDS=10V, ID=1mA  
-
1.6  
1.7  
2.0  
2.2  
3.0  
-
ID=200mA, VGS=4.5V  
ID=200mA, VGS=2.5V  
ID=200mA, VGS=1.5V  
ID=100mA, VGS=1.2V  
ID=10mA, VGS=0.9V  
ID=200mA, VDS=10V  
-
Static drain-source on-state  
resistance  
*
RDS (on)  
-
-
-
*
Forward transfer admittance  
Input capacitance  
Output capacitance  
Reverse transfer capacitance  
Turn-on delay time  
Rise time  
l Yfs l  
0.2  
Ciss  
Coss  
Crss  
td(on)  
tr  
-
-
-
-
-
-
-
26  
6
-
pF VDS=10V  
-
pF VGS=0V  
3
-
pF f=1MHz  
5
-
ns ID=100mA, VDD 25V  
ns VGS=4.5V  
ns RL=250  
ns RG=10  
*
*
*
*
8
-
Turn-off delay time  
Fall time  
td(off)  
tf  
17  
43  
-
-
*Pulsed  
Body diode characteristics (Source-Drain) (Ta = 25C)  
Parameter  
Forward Voltage  
Symbol  
Min.  
-
Typ.  
-
Max.  
1.2  
Unit  
V
Conditions  
*
VSD  
Is=200mA, VGS=0V  
*Pulsed  
http://www.twtysemi.com  
sales@twtysemi.com  
4008-318-123  
2 of 2  
厂商 型号 描述 页数 下载

ROHM

 		RYC002N05 0.9V驱动N沟道MOSFET[ 0.9V Drive Nch MOSFET ] 7 页

TYSEMI

 		RYC002N05 0.9V驱动N沟道MOSFET的高速switing 。小型封装（ SST3 ） 。[ 0.9V Drive Nch MOSFET High speed switing. Small package(SST3). ] 2 页

ETC

 		RYC130 光电\n[ Optoelectronic ] 8 页

ETC

 		RYC136 光电\n[ Optoelectronic ] 8 页

ETC

 		RYC143 光电\n[ Optoelectronic ] 8 页

ETC

 		RYC150 光电\n[ Optoelectronic ] 8 页

ETC

 		RYC230 光电\n[ Optoelectronic ] 8 页

ETC

 		RYC236 光电\n[ Optoelectronic ] 8 页

ETC

 		RYC240 光电\n[ Optoelectronic ] 8 页

ETC

 		RYC243 光电\n[ Optoelectronic ] 8 页

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