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3SK239L

型号：

3SK239L

品牌：

ETC[ ETC ]

页数：

5 页

PDF大小：

27 K

下载PDF手册
3SK239A  
GaAs N–Channel Dual Gate MESFET  
Application  
CMPAK-4  
UHF RF amplifier  
Features  
2
• Excellent low noise characteristics  
(NF = 1.3 dB typ at f = 900 MHz)  
• Capable of low voltage operation  
3
1
4
1. Source  
2. Gate1  
3. Gate2  
4. Drain  
Table 1 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Item  
Symbol  
Ratings  
Unit  
———————————————————————————————————————————  
Drain to source voltage  
V
12  
V
DS  
———————————————————————————————————————————  
Gate1 to source voltage  
V
–6  
V
G1S  
———————————————————————————————————————————  
Gate2 to source voltage  
V
–6  
V
G2S  
———————————————————————————————————————————  
Drain current  
I
50  
mA  
D
———————————————————————————————————————————  
Channel power dissipation  
P
100  
mW  
ch  
———————————————————————————————————————————  
Channel temperature  
Tch  
125  
°C  
———————————————————————————————————————————  
Storage temperature  
Tstg  
–55 to +125  
°C  
———————————————————————————————————————————  
Marking is “XR–”.  
3SK239A  
Table 2 Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Item  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Test conditions  
———————————————————————————————————————————  
Drain to source leakage  
I
—
—
50  
µA  
V
= 12 V, V  
= –3 V,  
DSX  
DS  
G1S  
current  
V
= 0  
G2S  
———————————————————————————————————————————  
Gate1 to source  
V
–6  
—
—
V
I
= –10 µA,  
(BR)G1SS  
G1  
breakdown voltage  
V
= V  
= 0  
G2S  
DS  
———————————————————————————————————————————  
Gate2 to source  
V
–6  
—
—
V
I
= –10 µA,  
(BR)G2SS  
G2  
breakdown voltage  
V
= V  
= 0  
G1S  
DS  
———————————————————————————————————————————  
Gate1 leakage current  
I
—
—
–5  
µA  
V
V
= –5 V,  
G1SS  
G1S  
G2S  
= V  
= 0  
DS  
———————————————————————————————————————————  
Gate2 leakage current  
I
—
—
–5  
µA  
V
V
= –5 V,  
G2SS  
G2S  
G1S  
= V  
= 0  
DS  
———————————————————————————————————————————  
Drain current  
I
14  
19  
28  
mA  
V
= 5 V,  
DSS  
DS  
V
= V  
= 0  
G1S  
G1S  
———————————————————————————————————————————  
Gate1 to source cutoff  
V
—
–1.2  
–1.6  
V
V
= 5 V, V  
= 0,  
G1S(off)  
DS  
G2S  
voltage  
I
= 100 µA  
D
———————————————————————————————————————————  
Gate2 to source cutoff  
V
—
–1.2  
–1.6  
V
V
= 5 V, V  
= 0,  
G2S(off)  
DS  
G1S  
voltage  
I
= 100 µA  
D
———————————————————————————————————————————  
Forward transfer  
|y |  
20  
31  
—
mS  
V
= 5V, V  
= 1 V,  
fs  
DS  
G2S  
admittance  
I
= 10 mA, f = 1 kHz  
D
———————————————————————————————————————————  
Input capacitance  
Ciss  
—
0.58  
1.0  
pF  
V
= 5 V,  
DS  
——————————————————————————————  
V
= V  
= –3 V,  
G1S  
G2S  
Output capacitance  
Coss  
—
0.36  
0.6  
pF  
f = 1 MHz  
——————————————————————————————  
Reverse transfer  
Crss  
—
0.028 0.05  
pF  
capacitance  
———————————————————————————————————————————  
Power gain  
PG  
17  
19  
—
dB  
V
= 5 V, V  
= 1 V,  
DS  
G2S  
——————————————————————————————  
I = 10 mA, f = 900 MHz  
D
Noise figure  
NF  
—
1.3  
2.0  
dB  
———————————————————————————————————————————  
3SK239A  
Maximum channel power dissipation curve  
200  
Typical output characteristics  
–0.1 V  
20  
16  
12  
8
0
150  
100  
50  
4
V
= –0.8 V  
6
G1S  
0
50  
100  
150  
200  
0
2
4
8
10  
Ambient Temperature Ta (°C)  
Drain to Source Voltage  
V
(V)  
DS  
Drain current vs. gate1 to source voltage  
20  
Drain current vs. gate2 to source voltage  
20  
V
= 5 V  
V
= 5 V  
DS  
DS  
0.4 V  
0
16  
12  
8
16  
12  
8
0.2 V  
0
–0.2 V  
–0.4 V  
–0.6 V  
–0.8 V  
= –1 V  
4
0
4
0
–0.8 V  
V
G2S  
V
= –1 V  
G1S  
–2.0  
–1.6 –1.2 –0.8  
–0.4  
G1S  
0
–1.0  
–0.6  
–0.2  
0.2  
0.6 1.0  
Gate1 to Source Voltage V  
(V)  
Gate2 to Source Voltage V  
(V)  
G2S  
3SK239A  
Forward transfer admittance  
vs. gate1 to source voltage  
Forward transfer admittance vs. drain current  
50  
50  
40  
30  
20  
V
= 5 V  
DS  
V
DS  
= 5 V  
f = 1 kHz  
V
= 1 V  
G2S  
40  
30  
20  
10  
f = 1 kHz  
1 V  
0.5 V  
0
–0.5 V  
10  
0
V
G2S  
= -1 V  
–1.2  
–2.0 –1.6  
–0.8  
–0.4  
G1S  
0
0
4
8
12  
16  
20  
Gate1 to Source Voltage V  
(V)  
Drain Current  
I
(mA)  
D
Power gain vs. drain current  
Noise figure vs. drain current  
25  
20  
15  
10  
5
2.0  
1.6  
1.2  
0.8  
0.4  
V
= 5 V  
= 1 V  
V
V
G2S  
= 5 V  
= 1 V  
DS  
DS  
V
G2S  
f = 900 MHz  
f = 900 MHz  
0
4
8
12  
16  
20  
0
4
8
12  
16 20  
Drain Current  
I
(mA)  
Drain Current  
I
(mA)  
D
D
3SK239A  
Power gain vs. drain to source voltage  
25  
Noise figure vs. drain to source voltage  
2.0  
20  
15  
10  
5
1.6  
1.2  
0.8  
0.4  
V
= 1 V  
V
= 1 V  
G2S  
G2S  
I = 10 mA  
D
I
= 10 mA  
D
f = 900 MHz  
f = 900 MHz  
0
2
4
6
8
10  
0
2
4
6
8 10  
Drain to Source Voltage  
V
(V)  
DS  
Drain to Source Voltage  
V
(V)  
DS  
Power gain vs. gate2 to source voltage  
25  
Gain reduction vs. gate2 to source voltage  
50  
V
DS  
= 5 V  
f = 900 MHz  
is fixed  
20  
15  
10  
40  
30  
20  
V
G1S  
for I =10mA  
D
at V  
=1V  
G2S  
V
G1S  
is fixed  
for I =10mA  
D
at V  
=1V  
= 5 V  
5
0
G2S  
10  
0
V
DS  
f = 900 MHz  
–1  
0
1
–1.5  
–1.0  
–0.5  
0
0.5  
1.0  
(V)  
Gate2 to Source Voltage  
V
(V)  
G2S  
Gate2 to Source Voltage V  
G2S  
厂商 型号 描述 页数 下载

ETC

 		3SK101 晶体管| MOSFET | N沟道| 20V V（ BR ） DSS |我30MA （D ） | MICRO -X\n[ TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 30MA I(D) | MICRO-X ] 1 页

ETC

 		3SK102 晶体管| MOSFET | N沟道| 20V V（ BR ） DSS |我30MA （D ） | MICRO -X\n[ TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 30MA I(D) | MICRO-X ] 1 页

ETC

 		3SK107 晶体管| MOSFET | N沟道| 20V V（ BR ） DSS |我30MA （D ） | DIP\n[ TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 30MA I(D) | DIP ] 11 页

ETC

 		3SK107E 晶体管| MOSFET | N沟道| 20V V（ BR ） DSS |我30MA （D ） | DIP\n[ TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 30MA I(D) | DIP ] 11 页

ETC

 		3SK107F 晶体管| MOSFET | N沟道| 20V V（ BR ） DSS |我30MA （D ） | DIP\n[ TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 30MA I(D) | DIP ] 11 页

ETC

 		3SK107G 晶体管| MOSFET | N沟道| 20V V（ BR ） DSS |我30MA （D ） | DIP\n[ TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 30MA I(D) | DIP ] 11 页

ETC

 		3SK108 晶体管| MOSFET | N沟道\n[ TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL ] 1 页

ETC

 		3SK108Q 晶体管| MOSFET | N沟道| 20V V（ BR ） DSS |我30MA （D ） | DIP\n[ TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 30MA I(D) | DIP ] 1 页

ETC

 		3SK108R 晶体管| MOSFET | N沟道| 20V V（ BR ） DSS |我30MA （D ） | DIP\n[ TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 30MA I(D) | DIP ] 1 页

ETC

 		3SK108S 晶体管| MOSFET | N沟道| 20V V（ BR ） DSS |我30MA （D ） | DIP\n[ TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 30MA I(D) | DIP ] 1 页

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