找货询价

一对一服务 找料无忧

专属客服

服务时间

周一 - 周六 9:00-18:00

QQ咨询

一对一服务 找料无忧

专属客服

服务时间

周一 - 周六 9:00-18:00

技术支持

一对一服务 找料无忧

专属客服

服务时间

周一 - 周六 9:00-18:00

售后咨询

一对一服务 找料无忧

专属客服

服务时间

周一 - 周六 9:00-18:00

3SK288

型号:

3SK288

品牌:

ETC[ ETC ]

页数:

7 页

PDF大小:

48 K

3SK288  
Silicon N Channel Dual Gate MOS FET  
Application  
VHF TV tuner RF amplifier  
MPAK-4  
Features  
2
3
• Low nose figure.  
NF = 1.5 dB typ.at f = 200 MHz  
• High gain.  
PG = 28.5 dB typ.at f = 200 MHz  
1
4
1. Source  
2. Gate 1  
3. Gate 2  
4. Drain  
Table 1 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Item  
Symbol  
Ratings  
Unit  
———————————————————————————————————————————  
Drain to source voltage  
V
12  
V
DS  
———————————————————————————————————————————  
Gate1 to source voltage  
V
±8  
V
G1S  
———————————————————————————————————————————  
Gate2 to source voltage  
V
±8  
V
G2S  
———————————————————————————————————————————  
Drain current  
I
25  
mA  
D
———————————————————————————————————————————  
Channel power dissipation  
P
150  
mW  
ch  
———————————————————————————————————————————  
Channel temperature  
Tch  
125  
°C  
———————————————————————————————————————————  
Storage temperature  
Tstg  
–55 to +125  
°C  
———————————————————————————————————————————  
Note:  
Marking is "ZH–"  
Attention: This device is very sensitive to electro static discharge.  
It is recommended to adopt apppropriate cautions when handing this transistor.  
3SK288  
Table 2 Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Item  
Symbol  
min.  
typ.  
max.  
Unit  
Test conditions  
———————————————————————————————————————————  
Drain to source  
V
12  
V
I
= 200 µA, V  
= –3 V,  
(BR)DSX  
D
G1S  
breakdown voltage  
V
= –3 V  
G2S  
———————————————————————————————————————————  
Gate1 to source  
V
±8  
V
I
= ±10 µA,  
(BR)G1SS  
G1  
breakdown voltage  
V
= V  
= 0  
G2S  
DS  
———————————————————————————————————————————  
Gate2 to source  
V
±8  
V
I
= ±10 µA,  
(BR)G2SS  
G2  
breakdown voltage  
V
= V  
= 0  
G1S  
DS  
———————————————————————————————————————————  
Gate1 cutoff  
current  
I
±100  
nA  
V
V
= ±6 V,  
G1SS  
G1S  
G2S  
= V  
= 0  
DS  
———————————————————————————————————————————  
Gate2 cutoff  
current  
I
±100  
nA  
V
V
= ±6 V,  
G2SS  
G2S  
G1S  
= V  
= 0  
DS  
———————————————————————————————————————————  
Drain current  
I
1
10  
mA  
V
= 4 V, V  
= 0.75 V,  
DS(on)  
DS  
G1S  
V
= 3 V  
G2S  
———————————————————————————————————————————  
Gate1 to source  
V
0
+0.6  
V
V
= 10 V, V  
= 3V,  
G1S(off)  
DS  
G2S  
cutoff voltage  
I
= 100 µA  
D
———————————————————————————————————————————  
Gate2 to source  
V
0
+1.0  
V
V
= 10 V, V  
= 3V,  
G2S(off)  
DS  
G1S  
cutoff voltage  
I
= 100 µA  
D
———————————————————————————————————————————  
Forward transfer  
|y |  
18  
23  
mS  
V
= 4V, V  
= 3 V,  
fs  
DS  
G2S  
admittance  
I
= 10 mA, f = 1 kHz  
D
———————————————————————————————————————————  
Input capacitance  
Ciss  
2.4  
3.0  
3.6  
pF  
V
= 4. V,  
DS  
——————————————————————————————  
V
= 3 V,I = 10 mA,  
D
G2S  
Output capacitance  
Coss  
1.0  
1.4  
1.8  
pF  
f = 1 MHz  
——————————————————————————————  
Reverse transfer  
Crss  
0.022  
0.03  
pF  
capacitance  
———————————————————————————————————————————  
Power gain  
PG  
23  
28.5  
dB  
V
= 4 V, V  
= 3 V,  
DS  
G2S  
——————————————————————————————  
I = 10 mA, f = 200 MHz  
D
Noise figure  
NF  
1.5  
2.5  
dB  
———————————————————————————————————————————  
3SK288  
Maximum Channel Power  
Dissipation Curve  
Typical Output Characteristics  
20  
16  
12  
8
200  
150  
100  
50  
V
= 3 V  
G2S  
1.2 V  
0.9 V  
0.6 V  
4
V
= 0.3 V  
8
G1S  
0
2
4
6
10  
0
50  
100  
150  
200  
Drain to Source Voltage V  
(V)  
DS  
Ambient Temperature Ta (°C)  
Drain Current vs.  
Gate 1 to Source Voltage  
Drain Current vs.  
Gate 2 to Source Voltage  
20  
16  
12  
8
20  
2.5 V  
V
= 4 V  
DS  
2.5 V  
3.0 V  
2.0 V  
1.5 V  
1.0 V  
16  
12  
8
2.0 V  
1.5 V  
V
G2S  
= 1.0 V  
4
4
V
= 0.5 V  
3
G1S  
V
= 4 V  
DS  
0
0
1
2
3
4
5
1
2
4
5
Gate 1 to Source Voltage V  
(V)  
Gate 2 to Source Voltage V  
(V)  
G2S  
G1S  
3SK288  
Forward Transfer Admittance  
vs. Gate 1 to Source Voltage  
Power Gain vs. Drain Current  
30  
24  
18  
12  
6
40  
32  
24  
16  
8
V
= 4 V  
= 3 V  
DS  
V
= 4 V  
f = 1 kHz  
DS  
V
= 3.0 V  
G2S  
V
G2S  
f = 200 MHz  
2.5 V  
2.0 V  
1.5 V  
1.0 V  
0.5 V  
0.8  
Gate1 to Source Voltage V  
0
0.4  
1.2  
1.6  
2.0  
(V)  
0
4
8
12  
I
16  
20  
Drain Current  
(mA)  
G1S  
D
Noise Figure vs. Drain Current  
5
4
3
2
1
V
V
= 4 V  
DS  
= 3 V  
G2S  
f = 200 MHz  
0
4
8
12  
16  
(mA)  
20  
Drain Current  
I
D
3SK288  
S21 Parameter vs. Frequency  
S11 Parameter vs. Frequency  
Scale: 1 / div.  
1
90°  
.8  
1.5  
60°  
.6  
120°  
2
.4  
3
30°  
150°  
4
.2  
5
10  
.2  
.4 .6 .8 1.0 1.5 2 3 4 5 10  
0
180°  
0°  
–10  
–5  
–4  
–.2  
–30°  
–150°  
–3  
–.4  
–2  
–60°  
G2S  
–120°  
–.6  
–1.5  
–.8  
–90°  
–1  
Condition: V = 4 V , V  
= 3 V  
Condition: V = 4 V , V  
= 3 V  
G2S  
DS  
DS  
I
= 10 mA , Zo = 50  
I
= 10 mA , Zo = 50 Ω  
D
D
50 to 1000 MHz (50 MHz step)  
50 to 1000 MHz (50 MHz step)  
S12 Parameter vs. Frequency  
S22 Parameter vs. Frequency  
Scale: 0.004 / div.  
1
90°  
.8  
1.5  
60°  
.6  
120°  
2
.4  
3
30°  
150°  
4
.2  
5
10  
.2  
.4 .6 .8 1.0 1.5 2 3 4 5 10  
0
180°  
0°  
–10  
–5  
–4  
–.2  
–30°  
–150°  
–3  
–.4  
–2  
–60°  
G2S  
–120°  
–.6  
–1.5  
–.8  
–90°  
–1  
Condition: V = 4 V , V  
= 3 V  
Condition: V = 4 V , V  
= 3 V  
G2S  
DS  
DS  
I
= 10 mA , Zo = 50 Ω  
I
= 10 mA , Zo = 50 Ω  
D
D
50 to 1000 MHz (50 MHz step)  
50 to 1000 MHz (50 MHz step)  
3SK288  
Table 3 S Parameter (V = 4 V, V  
= 3 V, I = 10 mA, Z = 50 )  
DS  
G2S  
D
O
S11  
S21  
S12  
S22  
———————  
———————  
———————  
———————  
f (MHz)  
MAG  
ANG  
MAG  
ANG  
MAG  
ANG  
MAG  
ANG  
———————————————————————————————————————————  
50  
0.997  
–4.6  
2.37  
173  
0.001  
83.2  
0.989  
–2.8  
———————————————————————————————————————————  
100  
0.986  
–10.6  
2.35  
165  
0.002  
84.7  
0.986  
–5.6  
———————————————————————————————————————————  
150  
0.978  
–16.5  
2.31  
157  
0.002  
84.6  
0.984  
–8.1  
———————————————————————————————————————————  
200  
0.964  
–22.1  
2.28  
149  
0.003  
78.1  
0.982  
–10.7  
———————————————————————————————————————————  
250  
0.946  
–27.6  
2.22  
141  
0.004  
75.6  
0.977  
–13.6  
———————————————————————————————————————————  
300  
0.921  
–33.3  
2.16  
133  
0.005  
74.9  
0.969  
–16.2  
———————————————————————————————————————————  
350  
0.906  
–38.8  
2.10  
126  
0.005  
79.4  
0.962  
–18.8  
———————————————————————————————————————————  
400  
0.875  
–43.6  
2.03  
118  
0.006  
75.8  
0.956  
–21.2  
———————————————————————————————————————————  
450  
0.853  
–48.5  
1.96  
112  
0.006  
78.3  
0.950  
–23.8  
———————————————————————————————————————————  
500  
0.824  
–53.4  
1.89  
105  
0.006  
78.9  
0.945  
–26.1  
———————————————————————————————————————————  
550  
0.801  
–57.6  
1.81  
97.9  
0.006  
81.9  
0.938  
–28.7  
———————————————————————————————————————————  
600  
0.770  
–62.3  
1.74  
91.1  
0.007  
85.0  
0.931  
–31.3  
———————————————————————————————————————————  
650  
0.748  
–66.2  
1.66  
85.0  
0.008  
84.9  
0.925  
–33.5  
———————————————————————————————————————————  
700  
0.721  
–70.3  
1.59  
78.8  
0.008  
86.7  
0.918  
–35.9  
———————————————————————————————————————————  
750  
0.695  
–74.2  
1.52  
72.5  
0.009  
90.5  
0.914  
–38.4  
———————————————————————————————————————————  
800  
0.671  
–78.0  
1.46  
66.7  
0.009  
90.1  
0.907  
–40.9  
———————————————————————————————————————————  
850  
0.650  
–81.7  
1.40  
60.6  
0.009  
92.3  
0.901  
–43.3  
———————————————————————————————————————————  
900  
0.630  
–85.3  
1.34  
54.7  
0.010  
92.4  
0.895  
–45.9  
———————————————————————————————————————————  
950  
0.612  
–89.1  
1.28  
49.3  
0.011  
91.8  
0.888  
–48.2  
———————————————————————————————————————————  
1000  
0.519  
–92.1  
1.22  
43.6  
0.012  
92.7  
0.883  
–50.9  
———————————————————————————————————————————  
3SK288  
Package Dimensions  
Unit : mm  
+ 0.3  
– 0.1  
2.8  
2
1.9  
0.95 0.95  
3
+ 0.1  
– 0.06  
1
0.16  
+ 0.1  
– 0.05  
+ 0.1  
0.4  
0.4  
– 0.05  
4
2
3
0 ~ 0.1  
4
1
+ 0.1  
– 0.05  
+ 0.1  
– 0.05  
0.4  
0.6  
0.95  
1.8  
0.85  
1. Source  
2. Gate 1  
3. Gate 2  
4. Drain  
MPAK–4  
SC-61AA  
Hitachi Code  
EIAJ  
JEDEC  
厂商 型号 描述 页数 下载

ETC

3SK101 晶体管| MOSFET | N沟道| 20V V( BR ) DSS |我30MA (D ) | MICRO -X\n[ TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 30MA I(D) | MICRO-X ] 1 页

ETC

3SK102 晶体管| MOSFET | N沟道| 20V V( BR ) DSS |我30MA (D ) | MICRO -X\n[ TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 30MA I(D) | MICRO-X ] 1 页

ETC

3SK107 晶体管| MOSFET | N沟道| 20V V( BR ) DSS |我30MA (D ) | DIP\n[ TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 30MA I(D) | DIP ] 11 页

ETC

3SK107E 晶体管| MOSFET | N沟道| 20V V( BR ) DSS |我30MA (D ) | DIP\n[ TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 30MA I(D) | DIP ] 11 页

ETC

3SK107F 晶体管| MOSFET | N沟道| 20V V( BR ) DSS |我30MA (D ) | DIP\n[ TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 30MA I(D) | DIP ] 11 页

ETC

3SK107G 晶体管| MOSFET | N沟道| 20V V( BR ) DSS |我30MA (D ) | DIP\n[ TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 30MA I(D) | DIP ] 11 页

ETC

3SK108 晶体管| MOSFET | N沟道\n[ TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL ] 1 页

ETC

3SK108Q 晶体管| MOSFET | N沟道| 20V V( BR ) DSS |我30MA (D ) | DIP\n[ TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 30MA I(D) | DIP ] 1 页

ETC

3SK108R 晶体管| MOSFET | N沟道| 20V V( BR ) DSS |我30MA (D ) | DIP\n[ TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 30MA I(D) | DIP ] 1 页

ETC

3SK108S 晶体管| MOSFET | N沟道| 20V V( BR ) DSS |我30MA (D ) | DIP\n[ TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 30MA I(D) | DIP ] 1 页

PDF索引:

A

B

C

D

E

F

G

H

I

J

K

L

M

N

O

P

Q

R

S

T

U

V

W

X

Y

Z

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

IC型号索引:

A

B

C

D

E

F

G

H

I

J

K

L

M

N

O

P

Q

R

S

T

U

V

W

X

Y

Z

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

Copyright 2024 gkzhan.com Al Rights Reserved 京ICP备06008810号-21 京

0.206537s