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FZT757TA

型号：

FZT757TA

描述：

SOT223 NPN硅平面中功率晶体管[ SOT223 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR ]

品牌：

ETC[ ETC ]

页数：

2 页

PDF大小：

100 K

下载PDF手册
SOT223 NPN SILICON PLANAR  
MEDIUM POWER TRANSISTOR  
ISSUE 3– FEBRUARY 1995  
FZT657  
FEATURES  
C
*
Low saturation voltage  
COMPLEMENTARY TYPE - FZT757  
PARTMARKING DETAIL - FZT657  
E
C
B
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICM  
VALUE  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
300  
Collector-Emitter Voltage  
300  
V
Emitter-Base Voltage  
5
V
Peak Pulse Current  
1
A
Continuous Collector Current  
Power Dissipation at Tamb=25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
IC  
0.5  
2
A
Ptot  
W
°C  
Tj:Tstg  
-55 to +150  
= 25°C unless otherwise stated).  
amb  
PARAMETER  
SYMBOL MIN.  
TYP.  
MAX. UNIT  
V
CONDITIONS.  
Collector-Base  
Breakdown Voltage  
V(BR)CBO  
300  
300  
5
IC=100µA  
Collector-Emitter  
Breakdown Voltage  
V(BR)CEO  
V
V
IC=10mA*  
Emitter-Base Breakdown V(BR)EBO  
Voltage  
IE=100µA  
Collector Cut-Off Current ICBO  
0.1  
VCB=200V  
µA  
Emitter Cut-Off Current  
IEBO  
0.1  
0.5  
VEB=3V  
µA  
Collector-Emitter  
Saturation Voltage  
VCE(sat)  
V
IC=100mA, IB=10mA*  
Base-Emitter  
Saturation Voltage  
VBE(sat)  
VBE(on)  
hFE  
1.0  
1.0  
V
V
IC=100mA, IB=10mA*  
IC=100mA, VCE =5V*  
Base-Emitter  
Turn-On Voltage  
Static Forward Current  
Transfer Ratio  
40  
50  
IC=10mA, VCE =5V*  
IC=100mA, VCE =5V*  
Transition Frequency  
fT  
30  
MHz  
pF  
IC=10mA, VCE=20V  
f=20MHz  
Output Capacitance  
Cobo  
20  
VCB =20V, f=1MHz  
*Measured under pulsed conditions. Pulse Width=300µs. Duty cycle ≤2%  
Spice parameter data is available upon request for this device  
3 - 213  
FZT657  
TYPICAL CHARACTERISTICS  
I
- Collector Current (Amps)  
I
- Collector Current (Amps)  
hFE v IC  
VCE(sat) v IC  
I
- Collector Current (Amps)  
I
- Collector Current (Amps)  
VBE(sat) v IC  
VBE(on) v IC  
1
0.1  
0.01  
0.001  
µ
1
10  
100  
1000  
VCE - Collector Emitter Voltage (V)  
I
- Collector Current (Amps)  
Safe Operating Area  
Switching Speeds  
3 - 214  
厂商 型号 描述 页数 下载

ZETEX

 		FZT1047A NPN硅平面中功率高增益晶体管[ NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR ] 4 页

KEXIN

 		FZT1047A NPN硅平面中功率高增益晶体管[ NPN Silicon Planar Medium Power High Gain Transistor ] 2 页

DIODES

 		FZT1047A SOT223 NPN硅平面[ SOT223 NPN SILICON PLANAR ] 4 页

TYSEMI

 		FZT1047A 5安培连续电流20安培的脉冲电流。[ 5 Amp continuous current, 20 Amp pulse current. ] 2 页

DIODES

 		FZT1047ATA [ 暂无描述 ] 4 页

ZETEX

 		FZT1047ATA [ Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 10V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin, SOT-223, 4 PIN ] 4 页

DIODES

 		FZT1047ATC [ Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 10V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin, SOT-223, 4 PIN ] 4 页

DIODES

 		FZT1048 [ 暂无描述 ] 3 页

ZETEX

 		FZT1048A NPN硅平面中功率高增益晶体管[ NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR ] 3 页

KEXIN

 		FZT1048A NPN硅平面中功率高增益晶体管[ NPN Silicon Planar Medium Power High Gain Transistor ] 2 页

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