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5N20V

型号：

5N20V

描述：

漏源电压VDS 20 V栅源电压VGS -12 V[ Drain-Source Voltage VDS 20 V Gate-Source Voltage VGS -12 V ]

品牌：

TYSEMI[ TY Semiconductor Co., Ltd ]

页数：

2 页

PDF大小：

278 K

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IC  
Product specification  
5N20V  
TSSOP-8  
■ Features  
Unit: mm  
● RDS(ON)≤40mΩ @VGS=4.5V  
● RDS(ON)≤45mΩ @VGS=2.7V  
1 : Drain1  
2 : Source1  
3 : Source1  
4 : Gate1  
D1  
D2  
S2  
5 : Gate2  
S1  
S1  
D1  
6 : Source2  
7 : Source2  
8 : Drain2  
S2  
G2  
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Symbol  
VDS  
Rating  
Unit  
V
20  
±12  
5
Gate-Source Voltage  
VGS  
ID  
V
Drain-Current  
-Continuous  
-Pulsed  
A
(NOTE 1)  
(NOTE 2)  
IDM  
20  
A
Power Dissipation  
PD  
1.5  
W
Thermal Resistance,Junction- to-Ambient  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
RθJA  
Tj.Tstg  
83  
℃/W  
℃
-55 to 150  
Note: 1. Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature.  
2. When Mounted on minimum recommended footprint.  
http://www.twtysemi.com  
sales@twtysemi.com  
1 of 2  
4008-318-123  
IC  
Product specification  
5N20V  
■ Electrical Characteristics Ta = 25℃  
Parameter  
Drain-Source Breakdown Voltage  
Zero Gate Voltage Drain Current  
Gate-Body Leakage  
Symbol  
VDSS  
IDSS  
Test conditions  
VGS=0V,ID=1mA  
Min  
20  
Typ Max  
Unit  
V
VDS=18V,VGS=0V  
1
μA  
nA  
V
IGSS  
VGS=±12V,VDS=0V  
±100  
Gate Threshold Voltage  
VGS(th) VDS=VGS,,ID=250μA  
0.6  
VGS=4.5V,ID=2.5A  
RDS(ON)  
30  
37  
40  
45  
mΩ  
mΩ  
pF  
pF  
pF  
ns  
Drain- Source on-state Resistance  
VGS=2.7V,ID=2.5A  
Input Capacitance  
Output Capacitance  
Reverse Transfer Capacitance  
Turn-On Delay Time  
Rise Time  
Ciss  
460  
200  
50  
VDS = 15V, VGS = 0V,f =1.0MHZ  
Coss  
Crss  
tD(on)  
tr  
7
33  
ns  
VDD=10V,ID=2.5A,VGS=4.5V,  
RGEN=4.7Ω  
Turn-Off Delay Time  
Fall Time  
tD(off)  
tf  
27  
ns  
10  
ns  
Total Gate Charge  
Gate-S ource Charge  
Gate-Drain Charge  
Diode Forward Voltage  
Diode Forward Current  
Qg  
8.5  
1.8  
2.4  
11.5  
nC  
nC  
nC  
V
VDS = 10V, ID = 4.5A,VGS = 4.5V  
IS=5A, VGS=0  
Qgs  
Qgd  
VSD  
1.2  
5
IS  
A
http://www.twtysemi.com  
sales@twtysemi.com  
2 of 2  
4008-318-123  
厂商 型号 描述 页数 下载

ETC

 		5N20DL2 模拟IC\n[ Analog IC ] 1 页

UTC

 		5N25G-TN3-R [ 3.8A, 250V LOGIC N-CHANNEL MOSFET ] 6 页

UTC

 		5N25G-TN3-T [ 3.8A, 250V LOGIC N-CHANNEL MOSFET ] 6 页

UTC

 		5N25L-TN3-R [ 3.8A, 250V LOGIC N-CHANNEL MOSFET ] 6 页

UTC

 		5N25L-TN3-T [ 3.8A, 250V LOGIC N-CHANNEL MOSFET ] 6 页

UTC

 		5N25Z [ 3.8A, 250V N-CHANNEL MOSFET ] 6 页

UTC

 		5N25ZG-TN3-R [ 3.8A, 250V N-CHANNEL MOSFET ] 6 页

UTC

 		5N25ZG-TN3-T [ 3.8A, 250V N-CHANNEL MOSFET ] 6 页

UTC

 		5N25ZL-TN3-R [ 3.8A, 250V N-CHANNEL MOSFET ] 6 页

UTC

 		5N25ZL-TN3-T [ 3.8A, 250V N-CHANNEL MOSFET ] 6 页

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