FZ 1800 R 16 KF4
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Vorläufige Daten
Preliminary data
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Kollektor-Dauergleichstrom
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
Gesamt-Verlustleistung
collector-emitter voltage
DC-collector current
VCES
IC
1600 V
1800 A
3600 A
11 kW
repetitive peak collctor current
total power dissipation
gate-emitter peak voltage
DC forward current
tp=1 ms
ICRM
Ptot
VGE
IF
tC=25°C, Transistor /transistor
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Dauergleichstrom
+/- 20 V
1800 A
3600 A
3,4 kV
Periodischer Spitzenstrom
Isolations-Prüfspannung
repetitive peak forw. current
insulating test voltage
tp=1ms
IFRM
VISOL
RMS, f=50 Hz, t= 1 min.
Charakteristische Werte / Characteristic values: Transistor
min.
typ.
max
3,9 V
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
collector-emitter saturation voltage
iC=1,8kA,vGE=15V, tvj=25°C
iC=1,8kA,vGE=15V, tvj=125°C
iC=120mA, vCE=vGE, tvj=25°C
fO=1MHz,tvj=25°C,vCE=25V,vGE=0
vCE=1600V, vGE=0V, tvj=25°C
vCE=1600V, vGE=0V, tvj=125°C
vCE=0V, vGE=20V, tvj=25°C
vCE=0V, vGE=20V, tvj=25°C
iC=1,8kA,vCE=900V
vCE sat
-
3,5
4,6
5,5
270
12
120
-
-
5,0 V
6,5 V
Gate-Emitter-Schwellspannung
Eingangskapazität
gate threshold voltage
input capacity
vGE(th)
Cies
4,5
-
-
-
-
-
- nF
Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current
iCES
- mA
- mA
Gate-Emitter Reststrom
Emitter-Gate Reststrom
Einschaltzeit (induktive Last)
gate leakage current
iGES
iEGS
ton
600 nA
600 nA
gate leakage current
-
turn-on time (induktive load)
vL=15V,RG=1,2 , tvj=25°C
-
-
0,8
1,0
- µs
- µs
vL=15V,RG=1,2
, tvj=125°C
Speicherzeit (induktive Last)
Fallzeit (induktive Last)
storage time
iC=1,8kA,vCE=900V
ts
vL=15V,RG=1,2 , tvj=25°C
vL=15V,RG=1,2 , tvj=125°C
iC=1,8kA,vCE=900V
-
-
1,1
1,3
- µs
- µs
fall time (inductive load)
tf
vL=15V,RG=1,2
vL=15V,RG=1,2
=25°C
, tvj
-
-
0,25
0,30
- µs
- µs
=125°C
, tvj
Charakteristische Werte / Characteristic values:
Transistor / transistor
- mWs
- mWs
Einschaltverlustenergie pro Puls
turn-on energy lost per puls
Eon
Eoff
-
-
750
450
iC=1,8kA,vCE=900V,L
S=50nH
vL=15V,RG=1,2
, tvj=125°C
Abschaltverlustenergie pro Puls
turn-off energy lost per puls
=50nH
iC=1,8kA,vCE=900V,LS
vL=15V,RG=1,2
=125°C
, tvj
Inversdiode / Inverse diode
Durchlaßspannung
forward voltage
iF=1,8kA, vGE=0V, tvj=25°C
iF=1,8kA, vGE=0V, tvj=125°C
iF=1,8kA, -diF/dt=600A/µs
vRM=900V, vEG=10V, tvj=25°C
vRM=900V, vEG=10V, tvj=125°C
iF=1,8kA, -diF/dt=1,8kA/µs
vRM=900V, vEG=10V, tvj=25°C
vRM=900V, vEG=10V, tvj=125°C
VF
-
-
2,4
2,2
2,8 V
- V
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
IRM
-
-
1100
1300
- A
- A
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
Qr
-
-
180
400
- µAs
- µAs
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case Transistor / transistor, DC
RthJC
0,011 °C/W
0,027 °C/W
0,006 °C/W
150 °C
Diode, DC
Übergangs-Wärmewiderstand
Höchstzul. Sperrschichttemperatur
Betriebstemperatur
thermal resistance, case to heatsink pro Module / per Module
RthCK
tvj max
tc op
max. junction temperature
operating temperature
storage temperature
pro Module / per Module
Diode / diode
-40...+125 °C
-40...+125 °C
Lagertemperatur
tstg
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix
Seite 3
Al2O3
Innere Isolation
internal insulation
terminals M6 / tolerance +/-15%
terminals M4 / tolerance +5%/-10%
terminals M8
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung mounting torque
M1
M2
5 Nm
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse terminal connection torque
2 Nm
8...10 Nm
ca.2300 g
Gewicht
weight
G
Bedingungen für den Kurzschlußschutz
Conditions for short-circuit protection
Unabhängig davon gilt bei abweich. Bedingungen / with regard to other conditions
v = V -12 nH x Idic/dtI
CEM
tfg=10µs, vLF=vLR = 15V,
RGF=RGR = 1,2
tvj=125°C
VCC=1000V
VCEM=1300V
CES
iCMK1 18000A
iCMK2 13500A
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit dem
zugehörigen Technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid
in
combination with the belonging technical notes.
eupec
GmbH + Co KG, Max-Planck-Str. 5, D59581 Warstein, Telefon +49 (0)2902/ 764-0, Telefax /764-256
