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UZC836A

型号：

UZC836A

品牌：

DIODES[ DIODES INCORPORATED ]

页数：

2 页

PDF大小：

19 K

下载PDF手册
ZC830/ A/ B  
to  
ZC836/ A/ B  
SOT23 SILICON VARIABLE  
CAPACITANCE DIODES  
ISSUE 5 – J ANUARY 1998  
1
3
FEATURES  
2
*
*
*
Close Tolerance C-V Characteristics  
High Tuning Ratio  
1
Low IR  
3
Enabling Excellent Phase Noise Performance  
(IR Typically <200pA at 25V)  
SOT23  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
S YMBOL  
IF  
MAX  
200  
UNIT  
Fo rw a rd Cu rre n t  
m A  
m W  
°C  
Po w e r Dis s ip a tio n a t Ta m b =25°C  
Op e ra tin g a n d S to ra g e Te m p e ra tu re Ra n g e  
Pto t  
330  
Tj:Ts tg  
-55 to +150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
=25°C)  
am b  
PARAMETER  
SYMBOL MIN  
TYP  
MAX  
UNIT CONDITIONS  
Re ve rs e Bre a kd o w n  
Vo lta g e  
VBR  
25  
V
IR=10µA  
Re ve rs e Vo lta g e Le a ka g e  
IR  
0.2  
10  
nA  
VR=20V  
Te m p e ra tu re Co e fficie n t  
o f Ca p a cita n ce  
0.03  
0.04  
%/°C VR=3V, f=1MHz  
η
TUNING CHARACTERISTICS (at T  
=25°C)  
am b  
Nom inal Capacitance (pF)  
VR=2V, f=1MHz  
Minim um  
Q
Capacitance Ratio  
C2 / C20  
PART NO  
@ VR=3V  
f=50MHz  
at f=1MHz  
MIN  
NOM  
10.0  
15.0  
22.0  
33.0  
47.0  
68.0  
100.0  
MAX  
MIN  
4.5  
4.5  
5.0  
5.0  
5.0  
5.0  
5.0  
MAX  
6.0  
ZC830A  
9.0  
11.0  
16.5  
24.2  
36.3  
51.7  
74.8  
110.0  
300  
300  
200  
200  
200  
100  
100  
ZC831A  
ZC832A  
ZC833A  
ZC834A  
ZC835A  
ZC836A  
Note:  
13.5  
19.8  
29.7  
42.3  
61.2  
90.0  
6.0  
6.5  
6.5  
6.5  
6.5  
6.5  
No suffix ±20% (e.g. ZC830), suffix B ± 5% (e.g. ZC830B)  
Spice param eter data is available upon request for this device  
ZC830/ A/ B  
to  
ZC836/ A/ B  
PARTMARKING DETAILS  
PART NO  
ZC830  
ZC831  
ZC832  
ZC833  
ZC834  
ZC835  
ZC836  
PARTMARK  
PART NO  
ZC830A  
ZC831A  
ZC832A  
ZC833A  
ZC834A  
ZC835A  
ZC836A  
PARTMARK  
J 1A  
PART NO  
ZC830B  
ZC831B  
ZC832B  
ZC833B  
ZC834B  
ZC835B  
ZC836B  
PARTMARK  
J 1B  
J 1S  
J 3S  
J 3A  
J 3B  
J 4S  
J 4A  
J 4B  
J 2S  
J 2A  
J 2B  
J 5S  
J 5A  
J 5B  
J 6S  
J 6A  
J 6B  
J 7S  
J 7A  
J 7B  
200  
100  
836A  
835A  
834A  
833A  
832A  
10  
831A  
830A  
1
1
10  
100  
Reverse Voltage (Volts)  
Diode Capacitance  
厂商 型号 描述 页数 下载

DIODES

 		UZC829A [ Variable Capacitance Diode, Very High Frequency to Ultra High Frequency, 8.2pF C(T), 25V, Silicon, Hyperabrupt, SOT-23, 3 PIN ] 2 页

DIODES

 		UZC829ATA [ Variable Capacitance Diode, 8.2pF C(T), 25V, Silicon, Hyperabrupt, MINIATURE PACKAGE-3 ] 8 页

DIODES

 		UZC829ATC [ Variable Capacitance Diode, 8.2pF C(T), 25V, Silicon, Hyperabrupt, MINIATURE PACKAGE-3 ] 8 页

ZETEX

 		UZC829B [ Variable Capacitance Diode, Very High Frequency to Ultra High Frequency, 8.2pF C(T), 25V, Silicon, Hyperabrupt, ] 6 页

DIODES

 		UZC829B [ Variable Capacitance Diode, Very High Frequency to Ultra High Frequency, 8.2pF C(T), 25V, Silicon, Hyperabrupt ] 4 页

DIODES

 		UZC829BTC [ Variable Capacitance Diode, 8.2pF C(T), 25V, Silicon, Hyperabrupt, MINIATURE PACKAGE-3 ] 8 页

ZETEX

 		UZC830A [ Variable Capacitance Diode, 10pF C(T), 25V, Silicon, Hyperabrupt, ] 6 页

DIODES

 		UZC830ATA [ Variable Capacitance Diode, 10pF C(T), 25V, Silicon, Hyperabrupt, MINIATURE PACKAGE-3 ] 8 页

DIODES

 		UZC830ATC [ Variable Capacitance Diode, 10pF C(T), 25V, Silicon, Hyperabrupt, MINIATURE PACKAGE-3 ] 8 页

DIODES

 		UZC830B [ Variable Capacitance Diode, 10pF C(T), 25V, Silicon, Hyperabrupt, ] 2 页

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