请登录

免费注册
全部商品
电子元器件
方案中心
工业品
PDF资料
购物车 0
上传BOM

产品分类

找货询价

一对一服务 找料无忧

专属客服

服务时间

周一 - 周六 9:00-18:00

QQ咨询

一对一服务 找料无忧

专属客服

服务时间

周一 - 周六 9:00-18:00

会员中心
购物车
技术支持

一对一服务 找料无忧

专属客服

服务时间

周一 - 周六 9:00-18:00

售后咨询

一对一服务 找料无忧

专属客服

服务时间

周一 - 周六 9:00-18:00

FZ2400R17HP4B29BOSA1

型号：

FZ2400R17HP4B29BOSA1

品牌：

INFINEON[ Infineon ]

页数：

9 页

PDF大小：

658 K

下载PDF手册
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ2400R17HP4_B29  
IHM-BꢀModulꢀmitꢀsoftꢀschaltendemꢀTrench-IGBT4  
IHM-Bꢀmoduleꢀwithꢀsoft-switchingꢀTrench-IGBT4  
VorläufigeꢀDatenꢀ/ꢀPreliminaryꢀData  
VCES = 1700V  
IC nom = 2400A / ICRM = 4800A  
TypischeꢀAnwendungen  
• AnwendungenꢀfürꢀResonanzꢀUmrichter  
• Hochleistungsumrichter  
• Traktionsumrichter  
TypicalꢀApplications  
• ResonantꢀInverterꢀAppliccations  
• HighꢀPowerꢀConverters  
• TractionꢀDrives  
• Windgeneratoren  
• WindꢀTurbines  
ElektrischeꢀEigenschaften  
ElectricalꢀFeatures  
• ErweiterteꢀSperrschichttemperaturꢀTvjꢀop  
• VerstärkteꢀDiodeꢀfürꢀRückspeisebetrieb  
• NiedrigesꢀVCEsat  
• ExtendedꢀOperationꢀTemperatureꢀTvjꢀop  
• EnlargedꢀDiodeꢀforꢀregenerativeꢀoperation  
• LowꢀVCEsat  
MechanischeꢀEigenschaften  
MechanicalꢀFeatures  
• 4ꢀkVꢀACꢀ1minꢀIsolationsfestigkeit  
• 4ꢀkVꢀACꢀ1minꢀInsulation  
• AlSiC Bodenplatte für erhöhte thermische  
• AlSiC Base Plate for increased Thermal Cycling  
Lastwechselfestigkeit  
Capability  
• GehäuseꢀmitꢀCTIꢀ>ꢀ400  
• PackageꢀwithꢀCTIꢀ>ꢀ400  
• GroßeꢀLuft-ꢀundꢀKriechstrecken  
• HoheꢀLast-ꢀundꢀthermischeꢀWechselfestigkeit  
• HoheꢀLeistungsdichte  
• HighꢀCreepageꢀandꢀClearanceꢀDistances  
• HighꢀPowerꢀandꢀThermalꢀCyclingꢀCapability  
• HighꢀPowerꢀDensity  
• IHMꢀBꢀGehäuse  
• IHMꢀBꢀHousing  
ModuleꢀLabelꢀCode  
BarcodeꢀCodeꢀ128  
ContentꢀofꢀtheꢀCode  
ModuleꢀSerialꢀNumber  
ꢀDigit  
ꢀꢀ1ꢀ-ꢀꢀꢀ5  
ꢀꢀ6ꢀ-ꢀ11  
12ꢀ-ꢀ19  
20ꢀ-ꢀ21  
22ꢀ-ꢀ23  
ModuleꢀMaterialꢀNumber  
ProductionꢀOrderꢀNumber  
Datecodeꢀ(ProductionꢀYear)  
Datecodeꢀ(ProductionꢀWeek)  
DMXꢀ-ꢀCode  
preparedꢀby:ꢀWB  
approvedꢀby:ꢀIB  
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-05  
revision:ꢀ2.3  
1
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ2400R17HP4_B29  
VorläufigeꢀDaten  
PreliminaryꢀData  
IGBT,Wechselrichterꢀ/ꢀIGBT,Inverter  
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues  
Kollektor-Emitter-Sperrspannung  
Collector-emitterꢀvoltage  
Tvj = 25°C  
VCES  
IC nom  
ICRM  
Ptot  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
1700  
2400  
4800  
16,0  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
A
Kollektor-Dauergleichstrom  
TC = 100°C, Tvj max = 175°C  
ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent  
PeriodischerꢀKollektor-Spitzenstrom  
tP = 1 ms  
Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent  
Gesamt-Verlustleistung  
TC = 25°C, Tvj max = 175°C  
Totalꢀpowerꢀdissipation  
ꢀ kW  
Gate-Emitter-Spitzenspannung  
Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage  
ꢀ
VGES  
+/-20  
ꢀ
V
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues  
min. typ. max.  
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung  
Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage  
IC = 2400 A, VGE = 15 V  
IC = 2400 A, VGE = 15 V  
IC = 2400 A, VGE = 15 V  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
1,90 2,25  
2,30  
2,40  
V
V
V
VCE sat  
Gate-Schwellenspannung  
Gateꢀthresholdꢀvoltage  
IC = 96,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C  
VGE = -15 V ... +15 V  
VGEth  
QG  
5,2  
5,8  
25,0  
0,65  
195  
6,30  
ꢀ
6,4  
V
µC  
Ω
Gateladung  
Gateꢀcharge  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
InternerꢀGatewiderstand  
Internalꢀgateꢀresistor  
Tvj = 25°C  
RGint  
Cies  
Cres  
ICES  
IGES  
td on  
Eingangskapazität  
Inputꢀcapacitance  
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V  
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V  
VCE = 1700 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C  
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C  
nF  
nF  
Rückwirkungskapazität  
Reverseꢀtransferꢀcapacitance  
Kollektor-Emitter-Reststrom  
Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent  
5,0 mA  
Gate-Emitter-Reststrom  
Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent  
ꢀ
400 nA  
µs  
Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast  
Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload  
IC = 2400 A, VCE = 900 V  
VGE = ±15 V  
RGon = 0,6 Ω  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
0,41  
0,46  
0,48  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
µs  
µs  
Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast  
Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload  
IC = 2400 A, VCE = 900 V  
VGE = ±15 V  
RGon = 0,6 Ω  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
0,17  
0,175  
0,185  
µs  
µs  
µs  
tr  
td off  
tf  
Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast  
Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload  
IC = 2400 A, VCE = 900 V  
VGE = ±15 V  
RGoff = 0,4 Ω  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
1,15  
1,30  
1,30  
µs  
µs  
µs  
Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast  
Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload  
IC = 2400 A, VCE = 900 V  
VGE = ±15 V  
RGoff = 0,4 Ω  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
0,28  
0,46  
0,50  
µs  
µs  
µs  
EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls  
Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse  
IC = 2400 A, VCE = 900 V, LS = 50 nH  
VGE = ±15 V, di/dt = 13500 A/µs (Tvj = 150°C)Tvj = 125°C  
RGon = 0,6 Ω  
Tvj = 25°C  
300  
450  
470  
mJ  
mJ  
mJ  
Eon  
Eoff  
Tvj = 150°C  
AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls  
Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse  
IC = 2400 A, VCE = 900 V, LS = 50 nH  
VGE = ±15 V, du/dt = 3100 V/µs (Tvj = 150°C)Tvj = 125°C  
RGoff = 0,4 Ω  
Tvj = 25°C  
660  
870  
920  
mJ  
mJ  
mJ  
ꢀ
ꢀ
Tvj = 150°C  
Kurzschlußverhalten  
SCꢀdata  
VGE ≤ 15 V, VCC = 1000 V  
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt  
ISC  
ꢀ
tP ≤ 10 µs, Tvj = 150°C  
11000  
A
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse  
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase  
proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT  
RthJC  
RthCH  
Tvj op  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
9,30 K/kW  
K/kW  
Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT  
Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink  
10,0  
λ
Pasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλgreaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)  
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb  
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions  
ꢀ
-40  
ꢀ
150  
°C  
preparedꢀby:ꢀWB  
approvedꢀby:ꢀIB  
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-05  
revision:ꢀ2.3  
2
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ2400R17HP4_B29  
VorläufigeꢀDaten  
PreliminaryꢀData  
Diode,ꢀWechselrichterꢀ/ꢀDiode,ꢀInverter  
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues  
PeriodischeꢀSpitzensperrspannung  
Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage  
Tvj = 25°C  
VRRM  
IF  
IFRM  
I²t  
PRQM  
ton min  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
1700  
2400  
4800  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
A
Dauergleichstrom  
ContinuousꢀDCꢀforwardꢀcurrent  
ꢀ
PeriodischerꢀSpitzenstrom  
tP = 1 ms  
Repetitiveꢀpeakꢀforwardꢀcurrent  
Grenzlastintegral  
I²tꢀ-ꢀvalue  
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C  
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C  
1400  
1350  
kA²s  
kA²s  
Spitzenverlustleistung  
Maximumꢀpowerꢀdissipation  
Tvj = 125°C  
3600  
10,0  
ꢀ kW  
ꢀ µs  
Mindesteinschaltdauer  
Minimumꢀturn-onꢀtime  
ꢀ
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues  
min. typ. max.  
Durchlassspannung  
Forwardꢀvoltage  
IF = 2400 A, VGE = 0 V  
IF = 2400 A, VGE = 0 V  
IF = 2400 A, VGE = 0 V  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
1,65 2,10  
1,65  
1,65  
V
V
V
VF  
IRM  
Qr  
Rückstromspitze  
Peakꢀreverseꢀrecoveryꢀcurrent  
IF = 2400 A, - diF/dt = 13500 A/µs (Tvj=150°C)Tvj = 25°C  
VR = 900 V  
VGE = -15 V  
2800  
A
A
A
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
3200  
3300  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Sperrverzögerungsladung  
Recoveredꢀcharge  
IF = 2400 A, - diF/dt = 13500 A/µs (Tvj=150°C)Tvj = 25°C  
VR = 900 V  
VGE = -15 V  
665  
1150  
1300  
µC  
µC  
µC  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
AbschaltenergieꢀproꢀPuls  
Reverseꢀrecoveryꢀenergy  
IF = 2400 A, - diF/dt = 13500 A/µs (Tvj=150°C)Tvj = 25°C  
VR = 900 V  
VGE = -15 V  
470  
840  
950  
mJ  
mJ  
mJ  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
Erec  
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse  
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase  
proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode  
RthJC  
RthCH  
Tvj op  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
11,0  
ꢀ
12,5 K/kW  
K/kW  
Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode  
Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink  
λ
Pasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλgreaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)  
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb  
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions  
ꢀ
-40  
150  
°C  
preparedꢀby:ꢀWB  
approvedꢀby:ꢀIB  
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-05  
revision:ꢀ2.3  
3
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ2400R17HP4_B29  
VorläufigeꢀDaten  
PreliminaryꢀData  
Modulꢀ/ꢀModule  
Isolations-Prüfspannung  
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.  
Isolationꢀtestꢀvoltage  
VISOL  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
4,0  
ꢀ kV  
MaterialꢀModulgrundplatte  
Materialꢀofꢀmoduleꢀbaseplate  
ꢀ
ꢀ
AlSiC  
ꢀ
ꢀ
Kriechstrecke  
Creepageꢀdistance  
Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink  
Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal  
32,2  
32,2  
ꢀ
ꢀ
ꢀ mm  
ꢀ mm  
Luftstrecke  
Clearance  
Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink  
Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal  
19,1  
19,1  
VergleichszahlꢀderꢀKriechwegbildung  
Comperativeꢀtrackingꢀindex  
ꢀ
CTI  
> 400  
ꢀ
ꢀ
min. typ. max.  
Modulstreuinduktivität  
Strayꢀinductanceꢀmodule  
ꢀ
LsCE  
ꢀ
6,0  
ꢀ
nH  
mΩ  
°C  
Modulleitungswiderstand,ꢀAnschlüsseꢀ-  
Chip  
Moduleꢀleadꢀresistance,ꢀterminalsꢀ-ꢀchip  
TCꢀ=ꢀ25°C,ꢀproꢀSchalterꢀ/ꢀperꢀswitch  
ꢀ
RCC'+EE'  
ꢀ
0,10  
ꢀ
Lagertemperatur  
Storageꢀtemperature  
Tstg  
M
-40  
ꢀ
150  
Anzugsdrehmomentꢀf.ꢀModulmontage  
Mountingꢀtorqueꢀforꢀmodulꢀmounting  
SchraubeꢀM6ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift  
ScrewꢀM6ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote  
4,25  
-
5,75 Nm  
2,1 Nm  
Anzugsdrehmomentꢀf.ꢀelektr.ꢀAnschlüsse  
Terminalꢀconnectionꢀtorque  
SchraubeꢀM4ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift  
ScrewꢀM4ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote  
SchraubeꢀM8ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift  
ScrewꢀM8ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote  
1,8  
8,0  
-
-
M
G
10  
Nm  
g
Gewicht  
Weight  
ꢀ
ꢀ
1200  
ꢀ
preparedꢀby:ꢀWB  
approvedꢀby:ꢀIB  
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-05  
revision:ꢀ2.3  
4
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ2400R17HP4_B29  
VorläufigeꢀDaten  
PreliminaryꢀData  
AusgangskennlinieꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)  
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)  
AusgangskennlinienfeldꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)  
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)  
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE  
)
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE)  
VGEꢀ=ꢀ15ꢀV  
4800  
4400  
4000  
3600  
3200  
2800  
2400  
2000  
1600  
1200  
800  
Tvjꢀ=ꢀ150°C  
4800  
4400  
4000  
3600  
3200  
2800  
2400  
2000  
1600  
1200  
800  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
VGE = 20V  
VGE = 15V  
VGE = 12V  
VGE = 10V  
VGE = 9V  
VGE = 8V  
400  
400  
0
0
0,0  
0,5  
1,0  
1,5  
2,0  
VCE [V]  
2,5  
3,0  
3,5  
4,0  
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0  
VCE [V]  
ÜbertragungscharakteristikꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)  
transferꢀcharacteristicꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)  
SchaltverlusteꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)  
switchingꢀlossesꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)  
Eonꢀ=ꢀfꢀ(IC),ꢀEoffꢀ=ꢀfꢀ(IC)  
ICꢀ=ꢀfꢀ(VGE  
)
VCEꢀ=ꢀ20ꢀV  
4800  
4400  
4000  
3600  
3200  
2800  
2400  
2000  
1600  
1200  
800  
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀRGonꢀ=ꢀ0.6ꢀΩ,ꢀRGoffꢀ=ꢀ0.4ꢀΩ,ꢀVCEꢀ=ꢀ900ꢀV  
2500  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
Eon, Tvj = 125°C  
Eon, Tvj = 150°C  
Eoff, Tvj = 125°C  
Eoff, Tvj = 150°C  
2000  
1500  
1000  
500  
0
400  
0
5
6
7
8
9
10  
11  
12  
13  
0
800  
1600  
2400  
IC [A]  
3200  
4000  
4800  
VGE [V]  
preparedꢀby:ꢀWB  
approvedꢀby:ꢀIB  
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-05  
revision:ꢀ2.3  
5
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ2400R17HP4_B29  
VorläufigeꢀDaten  
PreliminaryꢀData  
SchaltverlusteꢀIGBT,Wechselrichterꢀ(typisch)  
switchingꢀlossesꢀIGBT,Inverterꢀ(typical)  
Eonꢀ=ꢀfꢀ(RG),ꢀEoffꢀ=ꢀfꢀ(RG)  
TransienterꢀWärmewiderstandꢀIGBT,Wechselrichterꢀ  
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀIGBT,Inverterꢀ  
ZthJCꢀ=ꢀfꢀ(t)  
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀICꢀ=ꢀ2400ꢀA,ꢀVCEꢀ=ꢀ900ꢀV  
5000  
100  
Eon, Tvj = 125°C  
ZthJC : IGBT  
Eon, Tvj = 150°C  
4500  
Eoff, Tvj = 125°C  
Eoff, Tvj = 150°C  
4000  
3500  
3000  
2500  
2000  
1500  
1000  
500  
10  
1
i:  
ri[K/kW]: 0,76185  
τi[s]:  
1
2
3
4
2,123722 5,05441  
1,29129  
0,0011769 0,0126394 0,0683424 2,397378  
0
0,1  
0,0  
1,0  
2,0  
3,0  
RG [Ω]  
4,0  
5,0  
6,0  
0,001  
0,01  
0,1  
t [s]  
1
10  
SichererꢀRückwärts-ArbeitsbereichꢀIGBT,Wechselrichter  
(RBSOA)  
reverseꢀbiasꢀsafeꢀoperatingꢀareaꢀIGBT,Inverterꢀ(RBSOA)  
DurchlasskennlinieꢀderꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)  
forwardꢀcharacteristicꢀofꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)  
IFꢀ=ꢀfꢀ(VF)  
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE  
)
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀRGoffꢀ=ꢀ0.4ꢀΩ,ꢀTvjꢀ=ꢀ150°C  
5600  
4800  
IC, Modul  
IC, Chip  
Tvj = 25°C  
Tvj = 125°C  
Tvj = 150°C  
4400  
4000  
3600  
3200  
2800  
2400  
2000  
1600  
1200  
800  
4800  
4000  
3200  
2400  
1600  
800  
400  
0
0
0
200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800  
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4  
VCE [V]  
VF [V]  
preparedꢀby:ꢀWB  
approvedꢀby:ꢀIB  
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-05  
revision:ꢀ2.3  
6
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ2400R17HP4_B29  
VorläufigeꢀDaten  
PreliminaryꢀData  
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)  
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)  
Erecꢀ=ꢀfꢀ(IF)  
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(typisch)  
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)  
Erecꢀ=ꢀfꢀ(RG)  
RGonꢀ=ꢀ0.6ꢀΩ,ꢀVCEꢀ=ꢀ900ꢀV  
IFꢀ=ꢀ2400ꢀA,ꢀVCEꢀ=ꢀ900ꢀV  
1200  
1200  
Erec, Tvj = 125°C  
Erec, Tvj = 150°C  
Erec, Tvj = 125°C  
Erec, Tvj = 150°C  
1100  
1100  
1000  
900  
800  
700  
600  
500  
400  
300  
200  
1000  
900  
800  
700  
600  
500  
400  
300  
200  
0
600 1200 1800 2400 3000 3600 4200 4800  
IF [A]  
0,0  
1,0  
2,0  
3,0  
RG [Ω]  
4,0  
5,0  
6,0  
TransienterꢀWärmewiderstandꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ  
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀDiode,ꢀInverterꢀ  
ZthJCꢀ=ꢀfꢀ(t)  
SichererꢀArbeitsbereichꢀDiode,ꢀWechselrichterꢀ(SOA)  
safeꢀoperationꢀareaꢀDiode,ꢀInverterꢀ(SOA)  
IRꢀ=ꢀf(VR)  
Tvjꢀ=ꢀ150°C  
100  
5600  
ZthJC : Diode  
IR, Modul  
4800  
4000  
3200  
2400  
1600  
800  
10  
1
i:  
ri[K/kW]: 1,456682 3,496105 6,153592 1,469539  
τi[s]: 0,0010967 0,0125806 0,0698717 2,250957  
1
2
3
4
0,1  
0,001  
0
0,01  
0,1  
t [s]  
1
10  
0
200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800  
VR [V]  
preparedꢀby:ꢀWB  
approvedꢀby:ꢀIB  
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-05  
revision:ꢀ2.3  
7
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ2400R17HP4_B29  
VorläufigeꢀDaten  
PreliminaryꢀData  
Schaltplanꢀ/ꢀcircuit_diagram_headline  
Gehäuseabmessungenꢀ/ꢀpackageꢀoutlines  
preparedꢀby:ꢀWB  
approvedꢀby:ꢀIB  
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-05  
revision:ꢀ2.3  
8
TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ2400R17HP4_B29  
VorläufigeꢀDaten  
PreliminaryꢀData  
Nutzungsbedingungen  
ꢀ
DieꢀinꢀdiesemꢀProduktdatenblattꢀenthaltenenꢀDatenꢀsindꢀausschließlichꢀfürꢀtechnischꢀgeschultesꢀFachpersonalꢀbestimmt.ꢀDieꢀBeurteilung  
derꢀEignungꢀdiesesꢀProduktesꢀfürꢀIhreꢀAnwendungꢀsowieꢀdieꢀBeurteilungꢀderꢀVollständigkeitꢀderꢀbereitgestelltenꢀProduktdatenꢀfürꢀdiese  
AnwendungꢀobliegtꢀIhnenꢀbzw.ꢀIhrenꢀtechnischenꢀAbteilungen.  
InꢀdiesemꢀProduktdatenblattꢀwerdenꢀdiejenigenꢀMerkmaleꢀbeschrieben,ꢀfürꢀdieꢀwirꢀeineꢀliefervertraglicheꢀGewährleistungꢀübernehmen.ꢀEine  
solcheꢀGewährleistungꢀrichtetꢀsichꢀausschließlichꢀnachꢀMaßgabeꢀderꢀimꢀjeweiligenꢀLiefervertragꢀenthaltenenꢀBestimmungen.ꢀGarantien  
jeglicherꢀArtꢀwerdenꢀfürꢀdasꢀProduktꢀundꢀdessenꢀEigenschaftenꢀkeinesfallsꢀübernommen.ꢀDieꢀAngabenꢀinꢀdenꢀgültigenꢀAnwendungs-ꢀund  
MontagehinweisenꢀdesꢀModulsꢀsindꢀzuꢀbeachten.  
SolltenꢀSieꢀvonꢀunsꢀProduktinformationenꢀbenötigen,ꢀdieꢀüberꢀdenꢀInhaltꢀdiesesꢀProduktdatenblattsꢀhinausgehenꢀundꢀinsbesondereꢀeine  
spezifischeꢀVerwendungꢀundꢀdenꢀEinsatzꢀdiesesꢀProduktesꢀbetreffen,ꢀsetzenꢀSieꢀsichꢀbitteꢀmitꢀdemꢀfürꢀSieꢀzuständigenꢀVertriebsbüroꢀin  
Verbindungꢀ(sieheꢀwww.infineon.com,ꢀVertrieb&Kontakt).ꢀFürꢀInteressentenꢀhaltenꢀwirꢀApplicationꢀNotesꢀbereit.  
AufgrundꢀderꢀtechnischenꢀAnforderungenꢀkönnteꢀunserꢀProduktꢀgesundheitsgefährdendeꢀSubstanzenꢀenthalten.ꢀBeiꢀRückfragenꢀzuꢀdenꢀin  
diesemꢀProduktꢀjeweilsꢀenthaltenenꢀSubstanzenꢀsetzenꢀSieꢀsichꢀbitteꢀebenfallsꢀmitꢀdemꢀfürꢀSieꢀzuständigenꢀVertriebsbüroꢀinꢀVerbindung.  
SolltenꢀSieꢀbeabsichtigen,ꢀdasꢀProduktꢀinꢀAnwendungenꢀderꢀLuftfahrt,ꢀinꢀgesundheits-ꢀoderꢀlebensgefährdendenꢀoderꢀlebenserhaltenden  
Anwendungsbereichenꢀeinzusetzen,ꢀbittenꢀwirꢀumꢀMitteilung.ꢀWirꢀweisenꢀdaraufꢀhin,ꢀdassꢀwirꢀfürꢀdieseꢀFälle  
-ꢀdieꢀgemeinsameꢀDurchführungꢀeinesꢀRisiko-ꢀundꢀQualitätsassessments;  
-ꢀdenꢀAbschlussꢀvonꢀspeziellenꢀQualitätssicherungsvereinbarungen;  
-ꢀdieꢀgemeinsameꢀEinführungꢀvonꢀMaßnahmenꢀzuꢀeinerꢀlaufendenꢀProduktbeobachtungꢀdringendꢀempfehlenꢀund  
ꢀꢀgegebenenfallsꢀdieꢀBelieferungꢀvonꢀderꢀUmsetzungꢀsolcherꢀMaßnahmenꢀabhängigꢀmachen.  
Soweitꢀerforderlich,ꢀbittenꢀwirꢀSie,ꢀentsprechendeꢀHinweiseꢀanꢀIhreꢀKundenꢀzuꢀgeben.  
InhaltlicheꢀÄnderungenꢀdiesesꢀProduktdatenblattsꢀbleibenꢀvorbehalten.  
Termsꢀ&ꢀConditionsꢀofꢀusage  
ꢀ
Theꢀdataꢀcontainedꢀinꢀthisꢀproductꢀdataꢀsheetꢀisꢀexclusivelyꢀintendedꢀforꢀtechnicallyꢀtrainedꢀstaff.ꢀYouꢀandꢀyourꢀtechnicalꢀdepartmentsꢀwill  
haveꢀtoꢀevaluateꢀtheꢀsuitabilityꢀofꢀtheꢀproductꢀforꢀtheꢀintendedꢀapplicationꢀandꢀtheꢀcompletenessꢀofꢀtheꢀproductꢀdataꢀwithꢀrespectꢀtoꢀsuch  
application.  
Thisꢀproductꢀdataꢀsheetꢀisꢀdescribingꢀtheꢀcharacteristicsꢀofꢀthisꢀproductꢀforꢀwhichꢀaꢀwarrantyꢀisꢀgranted.ꢀAnyꢀsuchꢀwarrantyꢀisꢀgranted  
exclusivelyꢀpursuantꢀtheꢀtermsꢀandꢀconditionsꢀofꢀtheꢀsupplyꢀagreement.ꢀThereꢀwillꢀbeꢀnoꢀguaranteeꢀofꢀanyꢀkindꢀforꢀtheꢀproductꢀandꢀits  
characteristics.ꢀTheꢀinformationꢀinꢀtheꢀvalidꢀapplication-ꢀandꢀassemblyꢀnotesꢀofꢀtheꢀmoduleꢀmustꢀbeꢀconsidered.  
Shouldꢀyouꢀrequireꢀproductꢀinformationꢀinꢀexcessꢀofꢀtheꢀdataꢀgivenꢀinꢀthisꢀproductꢀdataꢀsheetꢀorꢀwhichꢀconcernsꢀtheꢀspecificꢀapplicationꢀof  
ourꢀproduct,ꢀpleaseꢀcontactꢀtheꢀsalesꢀoffice,ꢀwhichꢀisꢀresponsibleꢀforꢀyouꢀ(ꢀseeꢀꢀwww.infineon.comꢀ).ꢀForꢀthoseꢀthatꢀareꢀspecifically  
interestedꢀweꢀmayꢀprovideꢀapplicationꢀnotes.ꢀ  
Dueꢀtoꢀtechnicalꢀrequirementsꢀourꢀproductꢀmayꢀcontainꢀdangerousꢀsubstances.ꢀForꢀinformationꢀonꢀtheꢀtypesꢀinꢀquestionꢀpleaseꢀcontactꢀthe  
salesꢀoffice,ꢀwhichꢀisꢀresponsibleꢀforꢀyou.  
ShouldꢀyouꢀintendꢀtoꢀuseꢀtheꢀProductꢀinꢀaviationꢀapplications,ꢀinꢀhealthꢀorꢀliveꢀendangeringꢀorꢀlifeꢀsupportꢀapplications,ꢀpleaseꢀnotify.ꢀPlease  
note,ꢀthatꢀforꢀanyꢀsuchꢀapplicationsꢀweꢀurgentlyꢀrecommend  
-ꢀtoꢀperformꢀjointꢀRiskꢀandꢀQualityꢀAssessments;  
-ꢀtheꢀconclusionꢀofꢀQualityꢀAgreements;  
-ꢀtoꢀestablishꢀjointꢀmeasuresꢀofꢀanꢀongoingꢀproductꢀsurvey,ꢀandꢀthatꢀweꢀmayꢀmakeꢀdeliveryꢀdependedꢀon  
ꢀꢀtheꢀrealizationꢀofꢀanyꢀsuchꢀmeasures.  
Ifꢀandꢀtoꢀtheꢀextentꢀnecessary,ꢀpleaseꢀforwardꢀequivalentꢀnoticesꢀtoꢀyourꢀcustomers.  
Changesꢀofꢀthisꢀproductꢀdataꢀsheetꢀareꢀreserved.  
preparedꢀby:ꢀWB  
approvedꢀby:ꢀIB  
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-05  
revision:ꢀ2.3  
9
厂商 型号 描述 页数 下载

POWERVOLT

 		FZ20-300 电路安装架，小型电源变压器[ CIRCUIT MOUNT, LOW PROFILE POWER TRANSFORMER ] 1 页

ETC

 		FZ200R10KF2 晶体管| IGBT | N -CHAN | 1KV V（ BR ） CES | 200A I（C ） | M ： HL093HW048\n[ TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1KV V(BR)CES | 200A I(C) | M:HL093HW048 ] 1 页

ETC

 		FZ200R10KN 晶体管| IGBT | N -CHAN |双| 1KV V（ BR ） CES | 200A I（C ） | M ： HL093HW048\n[ TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | DUAL | 1KV V(BR)CES | 200A I(C) | M:HL093HW048 ] 1 页

ETC

 		FZ200R12KF 晶体管| IGBT | N -CHAN | 1.2KV V（ BR ） CES | 200A I（C ） | M ： HL093HW048\n[ TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 200A I(C) | M:HL093HW048 ] 2 页

EUPEC

 		FZ200R12KF2 晶体管| IGBT | N -CHAN | 1.2KV V（ BR ） CES | 200A I（C ） | M ： HL083HD5.6[ TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 200A I(C) | M:HL083HD5.6 ] 2 页

ETC

 		FZ200R65KF1 规模的高电压IGBT驱动器[ SCALE High Voltage IGBT Driver ] 6 页

INFINEON

 		FZ200R65KF1NOSA1 [ Insulated Gate Bipolar Transistor, 400A I(C), 6300V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-5 ] 10 页

INFINEON

 		FZ200R65KF2 IGBT模块[ IGBT-modules ] 8 页

POWERVOLT

 		FZ24-2000 电路安装架，小型电源变压器[ CIRCUIT MOUNT, LOW PROFILE POWER TRANSFORMER ] 1 页

INFINEON

 		FZ2400R12HP4 IHM -B模块，软交换沟槽IGBT4[ IHM-B module with soft-switching Trench-IGBT4 ] 9 页

购物指南

支付方式

配送服务

售后服务

发票须知

优惠券使用规则

特色服务

PCBA制造

国产品牌推荐

国产料号替代

质量保证

技术资料

行业资讯

关于我们

关于壹壹捌

联系我们

联系我们

服务热线：400-618-9990

企业邮箱：sales@ic118.com

服务时间：周一至周六 8:30-17:30

壹壹捌官方微信号

PDF索引：

A

B

C

D

E

F

G

H

I

J

K

L

M

N

O

P

Q

R

S

T

U

V

W

X

Y

Z

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

IC型号索引：

A

B

C

D

E

F

G

H

I

J

K

L

M

N

O

P

Q

R

S

T

U

V

W

X

Y

Z

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

Copyright 2024 gkzhan.com Al Rights Reserved 京ICP备06008810号-21 京

深圳网络警察报警平台
公共信息安全网络监察
经营性网站备案信息
不良信息举报中心
工商网监电子标识
全国公安机关备案
0.207034s