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TZ810N22KOFTIMHPSA1

型号:

TZ810N22KOFTIMHPSA1

品牌:

INFINEON[ Infineon ]

页数:

11 页

PDF大小:

368 K

Technische Information /  
technical information  
Netz-Thyristor-Modul  
Phase Control Thyristor Module  
TZ810N22KOF  
Key Parameters  
VDRM / VRRM  
ITAVM  
2200 V  
819 A (TC=85°C)  
39000 A  
0,82 V  
ITSM  
vT0  
rT  
0,17 mΩ  
0,0405 K/W  
70 mm  
RthJC  
Baseplate  
Weight  
1950 g  
For type designation please refer to actual  
shortform catalog  
http://www.ifbip.com/catalog  
Merkmale  
Features  
Druckkontakt- Technologie für hohe  
Verlässlichkeit  
Pressure contact technology for high reliability  
Industrie-Standard-Gehäuse  
Industial standard package  
Elektrisch isolierte Grundplatte  
Advanced medium power technology  
Electrically insulated baseplate  
Advanced medium power technology  
Option: Pre-applied thermal interface material (TIM)  
Optional: Thermisches Interface Material (TIM)  
bereits aufgetragen  
Typische Anwendungen  
Typical Applications  
Gleichrichter für Antriebsapplikationen  
Gleichricher für UPS  
Rectifier for Drives Applications  
Rectifiers for UPS  
Battery chargers  
Batterieladegleichrichter  
Sanftanlasser  
Soft starter  
Kurzschluss-Applikationen  
Leistungssteller  
Crowbar applications  
Power controllers  
Static switches  
Statische Umschalter  
content of customer DMX code DMX code DMX code  
digit  
digit quantity  
serial number  
1..7  
8..16  
7
9
2
2
2
4
4
SP material number  
datecode (production day)  
datecode (production year)  
datecode (production month)  
vT class  
17..18  
19..20  
21..22  
23..26  
27..30  
www.ifbip.com  
support@infineon-bip.com  
QR class  
1/11  
Date of Publication 2017-02-02  
Revision: 3.2  
Seite/page  
Technische Information /  
technical information  
Netz-Thyristor-Modul  
Phase Control Thyristor Module  
TZ810N22KOF  
TZ810N22KOF  
TZ810N22KOF_TIM  
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties  
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values  
2200 V  
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung Tvj = -40°C... Tvj max  
repetitive peak forward off-state and reverse voltages  
VDRM,VRRM  
2200 V  
2300 V  
1500 A  
819 A  
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung  
non-repetitive peak forward off-state voltage  
Tvj = -40°C... Tvj max  
Tvj = +25°C... Tvj max  
VDSM  
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung  
non-repetitive peak reverse voltage  
VRSM  
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert  
maximum RMS on-state current  
ITRMSM  
Dauergrenzstrom  
ITAVM  
TC = 85°C  
average on-state current  
Stoßstrom-Grenzwert  
surge current  
Tvj = 25°C, tP = 10ms  
Tvj = Tvj max, tP = 10ms  
ITSM  
39.000 A  
35.000  
A
Grenzlastintegral  
I²t-value  
Tvj = 25°C, tP = 10ms  
Tvj = Tvj max, tP = 10ms  
I²t  
7.605.000 A²s  
6.125.000  
A²s  
Kritische Stromsteilheit  
critical rate of rise of on-state current  
DIN IEC 747-6  
f = 50Hz, iGM = 1A, diG/dt = 1A/µs  
(diT/dt)cr  
(dvD/dt)cr  
200 A/µs  
Kritische Spannungssteilheit  
critical rate of rise of off-state voltage  
Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM  
1000 V/µs  
6.Kennbuchstabe / 6th letter F  
Charakteristische Werte / Characteristic values  
Durchlaßspannung  
max.  
max.  
1,51 V  
0,82 V  
Tvj = Tvj max , iT = 3000 A  
Tvj = Tvj max  
vT  
on-state voltage  
Schleusenspannung  
threshold voltage  
V(TO)  
max. 0,17 mΩ  
Ersatzwiderstand  
slope resistance  
Tvj = Tvj max  
rT  
max.  
max.  
Zündstrom  
Tvj = 25°C, vD = 12V  
Tvj = 25°C, vD = 12V  
IGT  
VGT  
IGD  
VGD  
IH  
250 mA  
2 V  
gate trigger current  
Zündspannung  
gate trigger voltage  
max.  
max.  
Nicht zündender Steuerstrom  
gate non-trigger current  
Tvj = Tvj max , vD = 12V  
Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM  
10 mA  
5 mA  
Nicht zündende Steuerspannung  
gate non-trigger voltage  
Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM  
max.  
0,2 V  
Haltestrom  
Tvj = 25°C, vD = 12V, RA = 1Ω  
max.  
500 mA  
holding current  
Einraststrom  
Tvj = 25°C, vD = 12V, RGK ≥ 10Ω  
IL  
max. 2500 mA  
latching current  
iGM = 1A, diG/dt = 1A/µs, tg = 20µs  
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom  
forward off-state and reverse current  
Tvj = Tvj max  
iD, iR  
tgd  
max.  
max.  
150 mA  
4 µs  
vD = VDRM, vR = VRRM  
Zündverzug  
DIN IEC 747-6  
gate controlled delay time  
Tvj = 25°C, iGM = 1A, diG/dt = 1A/µs  
AG  
date of publication: 2017-02-02  
prepared by:  
revision:  
3.2  
approved by: MS  
2/11  
Date of Publication 2017-02-02  
Revision: 3.2  
Seite/page  
Technische Information /  
technical information  
Netz-Thyristor-Modul  
Phase Control Thyristor Module  
TZ810N22KOF  
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties  
Charakteristische Werte / Characteristic values  
Freiwerdezeit  
Tvj = Tvj max, iTM = ITAVM  
tq  
circuit commutated turn-off time  
vRM = 100 V, vDM = 0,67 VDRM  
dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs  
5.Kennbuchstabe / 5th letter O  
typ.  
240 µs  
Thermische Eigenschaften  
RMS, f = 50 Hz, t = 1min  
RMS, f = 50 Hz, t = 1sec  
VISOL  
3,0 kV  
3,6 kV  
Isolations-Prüfspannung  
insulation test voltage  
Thermische Eigenschaften / Thermal properties  
Innerer Wärmewiderstand  
pro Modul / per Module, Θ = 180° sin RthJC  
max.  
0,042 K/W  
thermal resistance, junction to case  
pro Modul / per Module, DC  
max. 0,0405 K/W  
pro Modul / per Module  
pro Modul / per Module  
max.  
max.  
0,015 K/W  
0,012 K/W  
Übergangs-Wärmewiderstand  
thermal resistance, case to heatsink  
RthCH  
Übergangs-Wärmewiderstand mit TIM  
thermal resistance, case to heatsink with TIM  
125  
°C  
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur  
maximum junction temperature  
Tvj max  
Tc op  
Tstg  
Mechanische Eigenschaften  
Betriebstemperatur  
-40...+125 °C  
-40...+130 °C  
+5…+50 °C  
operating temperature  
Lagertemperatur  
storage temperature  
Lagertemperatur mit TIM  
storage temperature with TIM  
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties  
Gehäuse, siehe Anlage  
Seite 4  
page 4  
case, see annex  
Si-Element mit Druckkontakt  
Si-pellet with pressure contact  
Innere Isolation  
Basisisolierung (Schutzklasse 1, EN61140)  
AlN  
internal insulation  
Basic insulation (class 1, IEC61140)  
Anzugsdrehmoment für mechanische Anschlüsse  
mounting torque  
Toleranz / Tolerance ± 15%  
M1  
M2  
6
Nm  
Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse  
terminal connection torque  
Toleranz / Tolerance ± 10%  
DIN 46 244  
18 Nm  
Steueranschlüsse  
control terminals  
A 2,8 x 0,8  
typ. 1950  
Gewicht  
weight  
G
g
Kriechstrecke  
creepage distance  
36 mm  
50 m/s²  
Schwingfestigkeit  
f = 50 Hz  
file-No.  
vibration resistance  
E 83335  
3/11  
Date of Publication 2017-02-02  
Revision: 3.2  
Seite/page  
Technische Information /  
technical information  
d
Netz-Thyristor-Modul  
Phase Control Thyristor Module  
TZ810N22KOF  
7
70±1  
171,5  
141,5  
6,5±0,2  
80  
92±0,2  
104±1  
2
1
4 5  
TZ  
4/11  
Date of Publication 2017-02-02  
Revision: 3.2  
Seite/page  
Technische Information /  
technical information  
Netz-Thyristor-Modul  
Phase Control Thyristor Module  
TZ810N22KOF  
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes ZthJC für DC  
Analytical elements of transient thermal impedance ZthJC for DC  
Pos. n  
Rthn [K/W]  
τn [s]  
1
2
3
4
5
6
7
0,00507  
9,98  
0,02313  
4,994  
0,00866  
0,30347  
0,00267  
0,0188  
0,0011  
0,01  
nmax  
– t  
n  
ZthJC  
Rthn 1 - e  
Analytische Funktion / Analytical function:  
n=1  
Erhöhung des Zth DC bei Sinus und Rechteckströmen mit unterschiedlichen Stromflusswinkeln Θ  
Rise of Zth DC for sinewave and rectangular current with different current conduction angles Θ  
ΔZth Θ rec / ΔZth Θ sin  
Θ = 180°  
0,00137  
0,00142  
Θ = 120°  
0,00196  
0,00175  
Θ = 90°  
0,00229  
0,00209  
Θ = 60°  
0,00265  
0,00248  
Θ = 30°  
0,00304  
0,00299  
ΔZth Θ rec  
[K/W]  
ΔZth Θ sin  
[K/W]  
Zth Θ rec = Zth DC + Zth Θ rec  
Zth Θ sin = Zth DC + Zth Θ sin  
5/11  
Date of Publication 2017-02-02  
Revision: 3.2  
Seite/page  
Technische Information /  
technical information  
Diagramme  
Netz-Thyristor-Modul  
Phase Control Thyristor Module  
TZ810N22KOF  
0,05  
0,04  
0,03  
0,02  
0,01  
0,00  
0,001  
0,01  
0,1  
1
10  
100  
t [s]  
Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance per arm ZthJC = f(t)  
Durchgangsverluste  
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ  
100  
10  
1
c
b
a
0,1  
10  
100  
1000  
10000  
iG [mA]  
Steuercharakteristik vG = f (iG) mit Zündbereichen für VD = 12 V  
Gate characteristic vG = f (iG) with triggering area for VD = 12 V  
Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung / Maximum rated peak gate power dissipation PGM = f (tg) :  
a - 20W/10ms b - 40W/1ms c - 60W/0,5ms  
6/11  
Date of Publication 2017-02-02  
Revision: 3.2  
Seite/page  
Technische Information /  
technical information  
Netz-Thyristor-Modul  
Phase Control Thyristor Module  
TZ810N22KOF  
1800  
1600  
1400  
1200  
1000  
800  
DC  
180rec  
180sin  
120rec  
90rec  
60rec  
Q = 30rec  
600  
400  
Gehäusetemperatur bei Rechteck  
200  
0
0
200  
400  
600  
800  
ITAV [A]  
1000  
1200  
1400  
1600  
Durchlassverlustleistung je Zweig / On-state power loss per arm PTAV = f(ITAV  
)
Strombelastung je Zweig / Current load per arm  
Berechnungsgrundlage PTAV (Schaltverluste gesondert berücksichtigen)  
Calculation base PTAV (switching losses should be considered separately)  
Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle Θ  
140  
120  
100  
80  
60  
180sin  
120rec  
40  
Q = 30rec  
180rec  
90rec  
60rec  
DC  
20  
0
200  
400  
600  
800  
ITAVM [A]  
1000  
1200  
1400  
1600  
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(ITAVM  
)
Strombelastung je Zweig / Current load per arm  
Berechnungsgrundlage PTAV (Schaltverluste gesondert berücksichtigen)  
Calculation base PTAV (switching losses should be considered separately)  
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ  
7/11  
Date of Publication 2017-02-02  
Revision: 3.2  
Seite/page  
Technische Information /  
technical information  
Netz-Thyristor-Modul  
Phase Control Thyristor Module  
TZ810N22KOF  
5000  
ID  
B2  
RthCA [K/W]  
0,05  
0,06  
+
R-Last  
R-load  
4000  
3000  
2000  
1000  
0
~
L-Last  
L-load  
0,08  
-
0,10  
0,12  
0,15  
0,20  
0,25  
0,30  
0,40  
0,60  
1,00  
2,00  
0
500  
1000  
I D [A]  
1500  
2000  
10  
30  
50  
70  
90  
110  
T A [°C]  
Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current ID  
B2- Zweipuls-Brückenschaltung / Two-pulse bridge circuit  
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot  
Parameter:  
Wärmewiderstand pro Element zwischen den Gehäusen und Umgebung /  
Thermal resistance per chip cases to ambient RthCA  
7000  
6000  
5000  
4000  
3000  
2000  
1000  
0
ID  
0,05  
0,06  
B6  
R thCA [K/W]  
+
3~  
0,08  
-
0,10  
0,12  
0,15  
,
0,20  
0,25  
0,30  
0,40  
0,60  
1,00  
2,00  
10  
30  
50  
70  
90  
110  
0
500  
1000  
1500  
ID [A]  
2000  
2500  
T A [°C]  
Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current ID  
B6- Sechspuls-Brückenschaltung / Six-pulse bridge circuit  
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot  
Parameter:  
Wärmewiderstand pro Element zwischen den Gehäusen und Umgebung /  
Thermal resistance per chip cases to ambient RthCA  
8/11  
Date of Publication 2017-02-02  
Revision: 3.2  
Seite/page  
Technische Information /  
technical information  
Netz-Thyristor-Modul  
Phase Control Thyristor Module  
TZ810N22KOF  
2500  
0,05  
W1C  
~
R thCA K/W]  
IRMS  
0,06  
2000  
0,08  
~
1500  
0,10  
0,12  
0,15  
1000  
0,20  
0,25  
0,30  
500  
0,40  
0,60  
1,00  
2,00  
0
10  
30  
50  
70  
90  
110  
0
500  
1000  
1500  
2000  
2500  
I RMS [A]  
TA [°C]  
Höchstzulässiger Effektivstrom / Maximum rated RMS current IRMS  
W1C - Einphasen-Wechselwegschaltung / Single-phase inverse parallel circuit  
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot  
Parameter:  
Wärmewiderstand pro Element zwischen den Gehäusen und Umgebung /  
Thermal resistance per chip cases to ambient RthCA  
8000  
W3C  
~
0,04  
R thCA [K/W]  
~
~
IRMS  
7000  
6000  
5000  
4000  
3000  
2000  
1000  
0
0,06  
0,08  
~
~
~
0,10  
0,12  
0,15  
0,20  
0,25  
0,30  
0,40  
0,60  
1,00  
2,00  
10  
30  
50  
70  
90  
110  
0
500  
1000  
I RMS [A]  
1500  
2000  
T A [°C]  
Höchstzulässiger Effektivstrom / Maximum rated RMS current IRMS  
W3C - Dreiphasen-Wechselwegschaltung / Three-phase inverse parallel circuit  
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot  
Parameter:  
Wärmewiderstand pro Element zwischen den Gehäusen und Umgebung /  
Thermal resistance per chip cases to ambient RthCA  
9/11  
Date of Publication 2017-02-02  
Revision: 3.2  
Seite/page  
Technische Information /  
technical information  
Netz-Thyristor-Modul  
Phase Control Thyristor Module  
TZ810N22KOF  
100000  
10000  
1000  
iTM  
=
2000A  
1000A  
500A  
200A  
100A  
100  
1
10  
100  
-di/dt [A/µs]  
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(-di/dt)  
Tvj = Tvjmax, vR ≤ 0,5 VRRM, vRM = 0,8 VRRM  
Parameter: Durchlaßstrom / On-state current iTM  
25.000  
20.000  
15.000  
10.000  
5.000  
0
a
b
0,01  
0,1  
1
t [s]  
Grenzstrom / Maximum overload on-state current IT(OV)M = f(t), vRM = 0,8 VRRM  
a: Leerlauf / No-load conditions  
b: nach Belastung mit ITAVM / after load with ITAVM  
TA = 25°C, Wasserkühlung / water cooling  
10/11  
Date of Publication 2017-02-02  
Revision: 3.2  
Seite/page  
Technische Information /  
technical information  
Netz-Thyristor-Modul  
Phase Control Thyristor Module  
TZ810N22KOF  
Nutzungsbedingungen  
Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt.  
Die Beurteilung der Eignung dieses Produktes für Ihre Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der  
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In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, für die wir eine liefervertragliche Gewährleistung  
übernehmen. Eine solche Gewährleistung richtet sich ausschließlich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag  
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übernommen.  
Sollten Sie von uns Produktinformationen benötigen, die über den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen und  
insbesondere eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte mit dem  
für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung. Für Interessenten halten wir Application Notes bereit.  
Aufgrund der technischen Anforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten. Bei  
Rückfragen zu den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem für Sie  
zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung.  
Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder lebenserhaltenden  
Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle  
-
-
-
die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments;  
den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen;  
die gemeinsame Einführung von Maßnahmen einer laufenden Produktbeobachtung dringend empfehlen und  
gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig machen.  
Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben.  
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warranty is granted exclusively pursuant the terms and conditions of the supply agreement. There will be no guarantee  
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note, that for any such applications we urgently recommend  
-
-
-
to perform joint Risk and Quality Assessments;  
the conclusion of Quality Agreements;  
to establish joint measures of an ongoing product survey,  
and that we may make delivery depended on the realization of any such  
measures.  
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11/11  
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EUPEC

TZ800N 茨 - 晶闸管MODUL相位控制晶闸管模块[ Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module ] 13 页

INFINEON

TZ800N12KOF [ Silicon Controlled Rectifier, 800000mA I(T), 1200V V(RRM), ] 13 页

INFINEON

TZ800N12KOFHPSA3 [ Silicon Controlled Rectifier, 1500A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, MODULE-4 ] 11 页

INFINEON

TZ800N14KOFHPSA3 [ Silicon Controlled Rectifier, 1500A I(T)RMS, 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 1 Element, MODULE-4 ] 11 页

INFINEON

TZ800N16KOFHPSA3 [ Silicon Controlled Rectifier, 1500A I(T)RMS, 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1 Element, MODULE-4 ] 11 页

INFINEON

TZ800N16KOFTIMHPSA1 [ Silicon Controlled Rectifier, 1500A I(T)RMS, 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1 Element, MODULE-4 ] 11 页

INFINEON

TZ800N18KOFHPSA3 [ Silicon Controlled Rectifier, 1500A I(T)RMS, 1800V V(DRM), 1800V V(RRM), 1 Element, MODULE-4 ] 11 页

INFINEON

TZ800N18KOFTIMHPSA1 [ Silicon Controlled Rectifier, 1500A I(T)RMS, 1800V V(DRM), 1800V V(RRM), 1 Element, MODULE-4 ] 11 页

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