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FZT604TA

型号：

FZT604TA

品牌：

DIODES[ DIODES INCORPORATED ]

页数：

3 页

PDF大小：

87 K

下载PDF手册
SOT223 NPN SILICON PLANAR MEDIUM  
POWER DARLINGTON TRANSISTORS  
ISSUE 3 - OCTOBER 1995  
FZT604  
FZT605  
FEATURES  
C
*
*
Guaranteed hFE Specified up to 2A  
Fast Switching  
E
PARTMARKING DETAIL -  
DEVICE TYPE IN FULL  
C
COMPLEMENTARY TYPES - FZT604 - FZT704  
FZT605 - FZT705  
B
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICM  
FZT604  
120  
FZT605  
140  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
100  
120  
V
10  
4
V
Peak Pulse Current  
A
Continuous Collector Current  
Power Dissipation  
IC  
1.5  
2
A
Ptot  
W
°C  
Operating and Storage Temperature Range  
Tj:Tstg  
-55 to +150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
= 25°C unless otherwise stated).  
amb  
SYMBOL MIN. MAX. UNIT CONDITIONS.  
PARAMETER  
Collector-Base  
Breakdown Voltage  
FZT604  
FZT605  
V(BR)CBO 120  
140  
V
V
IC=100µA  
IC=100µA  
Collector-Emitter  
Breakdown Voltage  
FZT604  
FZT605  
V(BR)CEO 100  
120  
V
IC=10mA*  
IC=10mA*  
Emitter-Base Breakdown Voltage V(BR)EBO 10  
V
IE=100µA  
Collector Cut-Off  
Current  
FZT604  
ICBO  
0.01  
10  
VCB=100V  
VCB=100V,T  
µA  
µA  
=100°C  
=100°C  
FZT605  
0.01  
10  
V
V
CB=120V  
CB=120V,T  
µA  
µA  
Emitter Cut-Off Current  
IEBO  
ICES  
0.1  
10  
10  
V
EB=8V  
µA  
µA  
µA  
Collector-Emitter  
Cut-Off Current  
FZT604  
FZT605  
VCES=100V  
CES=120V  
V
Collector-EmitterSaturation  
Voltage  
VCE(sat)  
1.0,  
1.5  
V
V
IC=250mA, IB=0.25mA*  
IC=1A, IB=1mA*  
Base-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Turn-On Voltage  
VBE(sat)  
VBE(on)  
hFE  
1.8  
1.7  
V
V
IC=1A, IB=1mA*  
IC=1A, VCE=5V*  
Static Forward  
Current Transfer Ratio  
2K  
5K  
2K  
0.5K  
IC=50mA, VCE=5V  
IC=500mA, VCE=5V*  
IC=1A, VCE=5V*  
100K  
IC=2A, VCE=5V*  
3 - 202  
FZT604  
FZT605  
PARAMETER  
SYMBOL MIN.  
150  
MAX. UNIT  
MHz  
CONDITIONS  
Transition Frequency fT  
IC=100mA,VCE=10V  
f=20MHz  
Input capacitance  
Output Capacitance  
Switching Times  
Cibo  
Cobo  
ton  
90 Typical  
pF  
pF  
pF  
pF  
VEB=500mV, f=1MHz  
VCB=10V, f=1MHz  
15 Typical  
0.5 Typical  
1.6 Typical  
IC=500mA, VCE=10V  
IB1 = IB2 = 0.5mA  
toff  
* Measured under pulsed conditions. Pulse width = 300µs. Duty cycle 2%  
Spice parameter data is available upon request for these devices.  
3 - 203  
FZT604  
FZT605  
TYPICAL CHARACTERISTICS  
I
- Collector Current (Amps)  
I
- Collector Current (Amps)  
hFE v IC  
VCE(sat) v IC  
I
- Collector Current (Amps)  
I
- Collector Current (Amps)  
VBE(sat) v IC  
VBE(on) v IC  
µ
µ
V
- Collector Emitter Voltage (V)  
V
- Collector Emitter Voltage (V)  
FZT604 Safe Operating Area  
FZT605 Safe Operating Area  
3 - 204  
厂商 型号 描述 页数 下载

ZETEX

 		FZT1047A NPN硅平面中功率高增益晶体管[ NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR ] 4 页

KEXIN

 		FZT1047A NPN硅平面中功率高增益晶体管[ NPN Silicon Planar Medium Power High Gain Transistor ] 2 页

DIODES

 		FZT1047A SOT223 NPN硅平面[ SOT223 NPN SILICON PLANAR ] 4 页

TYSEMI

 		FZT1047A 5安培连续电流20安培的脉冲电流。[ 5 Amp continuous current, 20 Amp pulse current. ] 2 页

DIODES

 		FZT1047ATA [ 暂无描述 ] 4 页

ZETEX

 		FZT1047ATA [ Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 10V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin, SOT-223, 4 PIN ] 4 页

DIODES

 		FZT1047ATC [ Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 10V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin, SOT-223, 4 PIN ] 4 页

DIODES

 		FZT1048 [ 暂无描述 ] 3 页

ZETEX

 		FZT1048A NPN硅平面中功率高增益晶体管[ NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR ] 3 页

KEXIN

 		FZT1048A NPN硅平面中功率高增益晶体管[ NPN Silicon Planar Medium Power High Gain Transistor ] 2 页

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