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BZX84C39W

型号：

BZX84C39W

品牌：

JCST[ JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD ]

页数：

3 页

PDF大小：

2849 K

下载PDF手册
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD  
SOT-323 Plastic-Encapsulate DIODE  
SOT-323  
BZX84C2V4W-BZX84C39W ZENER DIODE  
FEATURES  
z
z
z
z
Planar Die Construction  
200mW Power Dissipation  
Zener Voltages from 2.4V - 39V  
Ultra-Small Surface Mount Package Power dissipation  
Maximum Ratings @TA=25℃ unless otherwise specified  
Characteristic  
Forward Voltage (Note 2)  
Power Dissipation(Note 1)  
Symbol  
VF  
Value  
0.9  
Unit  
V
@ IF = 10mA  
Pd  
200  
mW  
℃/W  
℃
Thermal Resistance, Junction to Ambient Air  
Operating and Storage Temperature Range  
RθJA  
625  
Tj,TSTG  
-65 to +150  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Electrical Characteristics  
Maximum  
Reverse  
Current  
Temperature  
Coefficient of  
Zener Voltage  
@ IZT = 5mA  
(mV/°C)  
Zener Voltage  
Range (Note 2)  
Maximum Zener Impedance  
(Note 3)  
Type  
Number  
Marking  
Code  
VZ @ IZT  
IZT  
ZZT @ IZT ZZK @ IZK  
IZK  
IR  
@VR  
Nom (V) Min (V)  
Max (V)  
2.6  
mA  
5.0  
5.0  
5.0  
5.0  
5.0  
5.0  
5.0  
5.0  
5.0  
5.0  
5.0  
5.0  
5.0  
5.0  
5.0  
5.0  
5.0  
5.0  
5.0  
5.0  
5.0  
5.0  
5.0  
5.0  
5.0  
2.0  
2.0  
2.0  
2.0  
2.0  
W
mA  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
uA  
50  
V
Min  
-3.5  
-3.5  
-3.5  
-3.5  
-3.5  
-3.5  
-3.5  
-3.5  
-2.7  
-2.0  
0.4  
Max  
0
BZX84C2V4W  
BZX84C2V7W  
BZX84C3V0W  
BZX84C3V3W  
BZX84C3V6W  
BZX84C3V9W  
BZX84C4V3W  
BZX84C4V7W  
BZX84C5V1W  
BZX84C5V6W  
BZX84C6V2W  
BZX84C6V8W  
BZX84C7V5W  
BZX84C8V2W  
BZX84C9V1W  
BZX84C10W  
BZX84C11W  
BZX84C12W  
BZX84C13W  
BZX84C15W  
BZX84C16W  
BZX84C18W  
BZX84C20W  
BZX84C22W  
BZX84C24W  
BZX84C27W  
BZX84C30W  
BZX84C33W  
BZX84C36W  
BZX84C39W  
KRB  
KRC  
KRD  
KRE  
KRF  
KRG  
KRH  
KR1  
KR2  
KR3  
KR4  
KR5  
KR6  
KR7  
KR8  
KR9  
KP1  
KP2  
KP3  
KP4  
KP5  
KP6  
KP7  
KP8  
KP9  
KPA  
KPB  
KPC  
KPD  
KPE  
2.4  
2.7  
3.0  
3.3  
3.6  
3.9  
4.3  
4.7  
5.1  
5.6  
6.2  
6.8  
7.5  
8.2  
9.1  
10  
2.2  
2.5  
100  
100  
95  
95  
90  
90  
90  
80  
60  
40  
10  
15  
15  
15  
15  
20  
20  
25  
30  
30  
40  
45  
55  
55  
70  
80  
80  
80  
90  
130  
600  
600  
600  
600  
600  
600  
600  
600  
500  
480  
400  
150  
80  
1.0  
2.9  
3.2  
20  
1.0  
0
2.8  
20  
1.0  
0
3.1  
3.5  
5.0  
5.0  
3.0  
3.0  
3.0  
2.0  
1.0  
3.0  
2.0  
1.0  
0.7  
0.5  
0.2  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
1.0  
0
3.4  
3.8  
1.0  
0
3.7  
4.1  
1.0  
0
4.0  
4.6  
1.0  
0
4.4  
5.0  
2.0  
0.2  
1.2  
2.5  
3.7  
4.5  
5.3  
6.2  
7.0  
8.0  
9.0  
10.0  
11.0  
13.0  
14.0  
16.0  
18.0  
20.0  
22.0  
25.3  
29.4  
33.4  
37.4  
41.2  
4.8  
5.4  
2.0  
5.2  
6.0  
2.0  
5.8  
6.6  
4.0  
6.4  
7.2  
4.0  
1.2  
7.0  
7.9  
5.0  
2.5  
7.7  
8.7  
80  
5.0  
3.2  
8.5  
9.6  
80  
6.0  
3.8  
9.4  
10.6  
11.6  
12.7  
14.1  
15.6  
17.1  
19.1  
21.2  
23.3  
25.6  
28.9  
32.0  
35.0  
38.0  
41.0  
100  
150  
150  
150  
170  
200  
200  
225  
225  
250  
250  
300  
300  
325  
350  
7.0  
4.5  
11  
10.4  
11.4  
12.4  
13.8  
15.3  
16.8  
18.8  
20.8  
22.8  
25.1  
28.0  
31.0  
34.0  
37.0  
8.0  
5.4  
12  
8.0  
6.0  
13  
8.0  
7.0  
15  
10.5  
11.2  
12.6  
14.0  
15.4  
16.8  
18.9  
21.0  
23.1  
25.2  
27.3  
9.2  
16  
10.4  
12.4  
14.4  
16.4  
18.4  
21.4  
24.4  
27.4  
30.4  
33.4  
18  
20  
22  
24  
27  
30.0  
33.0  
36.0  
39.0  
Notes:  
1. Valid provided that device terminals are kept at ambient temperature.  
2. Tested with pulses, 300ms pulse width, 2% duty cycle.  
3. f = 1KHz.  
Typical Characteristics  
BZX84C2V4W-BZX84C39W  
500  
50  
40  
T = 25°C  
C3V9  
j
C2V7  
C5V6  
See Note 1  
C3V3  
C6V8  
C4V7  
400  
300  
200  
C8V2  
30  
20  
Test Current IZ  
5.0mA  
100  
0
10  
0
100  
0
200  
0
1
2
3
4
5
6
8
9
10  
7
VZ, ZENER VOLTAGE (V)  
Fig. 2 Zener Breakdown Characteristics  
TA, AMBIENT TEMPERATURE, °C  
Fig. 1. Power Derating Curve  
30  
20  
10  
0
Tj = 25°C  
C10  
C12  
C15  
C18  
Test current IZ  
2mA  
C22  
C27  
Test current IZ  
5mA  
C33  
C36  
0
10  
VZ, ZENER VOLTAGE (V)  
Fig. 3, Zener Breakdown Characteristics  
20  
30  
40  
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 		BZX1.5C 硅平面齐纳二极管[ SILICON PLANAR ZENER DIODES ] 2 页

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