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UZDT649

型号：

UZDT649

品牌：

ZETEX[ ZETEX SEMICONDUCTORS ]

页数：

3 页

PDF大小：

71 K

下载PDF手册
SM-8 DUAL NPN MEDIUM POWER  
ZDT649  
TRANSISTORS  
ISSUE 1 - NOVEMBER 1995  
C1  
C1  
C2  
C2  
B1  
E1  
B2  
E2  
SM-8  
(8 LEAD SOT223)  
PARTMARKING DETAIL – T649  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICM  
VALUE  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
35  
25  
5
V
V
Peak Pulse Current  
6
A
Continuous Collector Current  
IC  
2
A
Operating and Storage Temperature Range  
Tj:Tstg  
-55 to +150  
°C  
THERMAL CHARACTERISTICS  
PARAMETER  
SYMBOL  
Ptot  
VALUE  
UNIT  
Total Power Dissipation at Tamb = 25°C*  
Any single die “on”  
Both die “on” equally  
2.25  
2.75  
W
W
Derate above 25°C*  
Any single die “on”  
Both die “on” equally  
18  
22  
mW/ °C  
mW/ °C  
Thermal Resistance - Junction to Ambient*  
Any single die “on”  
Both die “on” equally  
55.6  
45.5  
°C/ W  
°C/ W  
* The power which can be dissipated assuming the device is mounted in a typical manner  
on a PCB with copper equal to 2 inches square.  
3 - 333  
ZDT649  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
= 25°C unless otherwise stated).  
amb  
PARAMETER  
SYMBOL MIN.  
V(BR)CBO 35  
TYP.  
MAX. UNIT  
V
CONDITIONS.  
Collector-Base  
Breakdown Voltage  
IC=100µA  
Collector-Emitter  
Breakdown Voltage  
V(BR)CEO 25  
V
V
IC=10mA*  
Emitter-Base  
Breakdown Voltage  
V(BR)EBO  
5
IE=100µA  
Collector Cutoff  
Current  
ICBO  
0.1  
10  
V
CB=30V  
µA  
µA  
VCB=30V,T  
=100°C  
Emitter Cutoff Current IEBO  
0.1  
VEB=4V  
µA  
Collector-Emitter  
Saturation Voltage  
VCE(sat)  
0.12  
0.23  
0.3  
0.5  
V
V
IC=1A, IB=100mA*  
IC=2A, IB=200mA*  
Base-Emitter  
Saturation Voltage  
VBE(sat)  
0.9  
0.8  
1.25  
1
V
V
IC=1A, IB=100mA*  
IC=1A, VCE=2V*  
Base-Emitter  
Turn-On Voltage  
VBE(on)  
Static Forward Current hFE  
Transfer Ratio  
70  
100  
75  
200  
200  
150  
50  
IC=50mA, VCE=2V*  
IC=1A, VCE=2V*  
IC=2A, VCE=2V*  
IC=6A, VCE=2V*  
300  
15  
Transition Frequency  
fT  
150  
240  
MHz  
IC=100mA, VCE=5V  
f=100MHz  
Output Capacitance  
Switching Times  
Cobo  
ton  
25  
50  
pF  
ns  
ns  
VCB=10V f=1MHz  
55  
IC=500mA, VCC=10V  
IB1=IB2=50mA  
toff  
300  
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤ 2%  
3 - 334  
ZDT649  
TYPICAL CHARACTERISTICS  
I
- Collector Current (Amps)  
I
- Collector Current (Amps)  
hFE v IC  
VCE(sat) v IC  
I
- Collector Current (Amps)  
I
- Collector Current (Amps)  
VBE(sat) v IC  
VBE(on) v IC  
I
- Collector Current (Amps)  
Switching Speeds  
3 - 335  
厂商 型号 描述 页数 下载

NICHICON

 		UZD1A100MCL 铝电解电容器[ ALUMINUM ELECTROLYTIC CAPACITORS ] 1 页

NICHICON

 		UZD1A101MCL 铝电解电容器[ ALUMINUM ELECTROLYTIC CAPACITORS ] 1 页

NICHICON

 		UZD1A220MCL 铝电解电容器[ ALUMINUM ELECTROLYTIC CAPACITORS ] 1 页

NICHICON

 		UZD1A220MCL1GB [ Aluminum Electrolytic Capacitor, Polarized, Aluminum (wet), 10V, 20% +Tol, 20% -Tol, 22uF, Surface Mount, 2121, 3 MML CHIP, ROHS COMPLIANT ] 1 页

NICHICON

 		UZD1A330MCL 铝电解电容器[ ALUMINUM ELECTROLYTIC CAPACITORS ] 1 页

NICHICON

 		UZD1A330MCL1GB [ Aluminum Electrolytic Capacitor, Polarized, Aluminum (wet), 10V, 20% +Tol, 20% -Tol, 33uF, Surface Mount, 2626, 3 MML CHIP, ROHS COMPLIANT ] 1 页

NICHICON

 		UZD1A470MCL 铝电解电容器[ ALUMINUM ELECTROLYTIC CAPACITORS ] 1 页

NICHICON

 		UZD1C100MCL 铝电解电容器[ ALUMINUM ELECTROLYTIC CAPACITORS ] 1 页

NICHICON

 		UZD1C100MCL1GB [ Aluminum Electrolytic Capacitor, Polarized, Aluminum (wet), 16V, 20% +Tol, 20% -Tol, 10uF, Surface Mount, 2121, 3 MML CHIP, ROHS COMPLIANT ] 1 页

NICHICON

 		UZD1C100MCR1GB [ Aluminum Electrolytic Capacitor, Polarized, Aluminum (wet), 16V, 20% +Tol, 20% -Tol, 10uF, Surface Mount, 2121, 3 MML CHIP ] 1 页

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