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LYM779-CF

型号：

LYM779-CF

描述：

LC迷你TOPLED RG低电流LED[ LC Mini TOPLED RG Low Current LED ]

品牌：

INFINEON[ Infineon ]

页数：

7 页

PDF大小：

425 K

下载PDF手册
LC Mini TOPLED® RG  
Low Current LED  
LS M779, LY M779, LG M779  
Besondere Merkmale  
● Gehäusefarbe: weiß  
● als optischer Indikator einsetzbar  
● zur Hinterleuchtung, Lichtleiter- und Linseneinkopplung  
● für alle SMT-Bestück- und Löttechniken geeignet  
● gegurtet (12-mm-Filmgurt)  
Features  
● color of package: white  
● for use as optical indicator  
● for backlighting, optical coupling into light pipes and lenses  
● suitable for all SMT assembly and soldering methods  
● available taped on reel (12 mm tape)  
Typ  
Emissions- Farbe der  
Lichtstärke  
Lichtstrom Bestellnummer  
farbe  
Lichtaustritts-  
fläche  
Type  
Color of  
Emission  
Color of the  
Light Emitting Intensity  
Luminous  
Luminous  
Flux  
Ordering Code  
Area  
IF = 2 mA  
IV(mcd)  
IF = 2 mA  
ΦV (mlm)  
LS M779-CF  
LS M779-DG  
super-red  
yellow  
colorless clear 0.25 ... 0.5  
0.40 ... 0.8  
3.0 typ.  
Q62703-Q3740  
Q62703-Q3744  
LY M779-CF  
LY M779-DG  
colorless clear 0.25 ... 0.5  
0.40 ... 0.8  
3.0 typ.  
Q62703-Q3945  
Q62703-Q3946  
LG M779-CO  
green  
colorless clear ≥ 0.25 (1.0 typ.) 3.0 typ.  
Q62703-Q3050  
Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit IV max / IV min ≤ 2.0.  
Luminous intensity ratio in one packaging unit IV max / IV min ≤ 2.0.  
Semiconductor Group  
1
11.96  
LS M779, LY M779, LG M779  
Grenzwerte  
Maximum Ratings  
Bezeichnung  
Parameter  
Symbol  
Symbol  
Werte  
Values  
Einheit  
Unit  
Betriebstemperatur  
Operating temperature range  
Top  
Tstg  
Tj  
– 55 ... + 100  
– 55 ... + 100  
+ 100  
˚C  
˚C  
˚C  
mA  
A
Lagertemperatur  
Storage temperature range  
Sperrschichttemperatur  
Junction temperature  
Durchlaßstrom  
Forward current  
IF  
7.5  
Stoßstrom  
IFM  
0.15  
Surge current  
t ≤ 10 µs, D = 0.005  
Sperrspannung  
Reverse voltage  
VR  
5
V
Verlustleistung  
Power dissipation  
Ptot  
20  
530  
mW  
K/W  
Wärmewiderstand  
Rth JA  
Thermal resistance  
Sperrschicht / Umgebung  
Junction / air  
Montage auf PC-Board*) (Padgröße ≥ 16 mm2)  
mounted on PC board*) (pad size ≥ 16 mm2)  
)
*
PC-board: FR4  
Semiconductor Group  
2
LS M779, LY M779, LG M779  
Kennwerte (TA = 25 °C)  
Characteristics  
Bezeichnung  
Parameter  
Symbol  
Symbol  
Werte  
Values  
Einheit  
Unit  
LS  
LY  
LG  
Wellenlänge des emittierten Lichtes (typ.) λpeak  
635  
586  
565  
nm  
nm  
nm  
Wavelength at peak emission  
(typ.)  
IF = 7.5 mA  
Dominantwellenlänge  
Dominant wavelength  
IF = 7.5 mA  
(typ.) λdom  
(typ.)  
628  
45  
590  
45  
570  
25  
Spektrale Bandbreite bei 50 % Irel max (typ.) ∆λ  
Spectral bandwidth at 50 % Irel max  
IF = 7.5 mA  
(typ.)  
Abstrahlwinkel bei 50 % IV (Vollwinkel)  
Viewing angle at 50 % IV  
2ϕ  
(typ.) VF  
120  
120  
120  
Grad  
deg.  
Durchlaßspannung  
1.8  
2.6  
2.0  
2.7  
1.9  
2.6  
V
V
Forward voltage  
(max.) VF  
IF = 2 mA  
Sperrstrom  
Reverse current  
VR = 5 V  
(typ.) IR  
(max.) IR  
0.01  
10  
0.01  
10  
0.01  
10  
µA  
µA  
Kapazität  
(typ.) C0  
3
3
15  
pF  
Capacitance  
VR = 0 V, f = 1 MHz  
Schaltzeiten:  
Switching times:  
IV from 10 % to 90 %  
IV from 90 % to 10 %  
IF = 100 mA, tp = 10 µs, RL = 50 Ω  
(typ.) tr  
(typ.) tf  
200  
150  
200  
150  
450  
200  
ns  
ns  
Semiconductor Group  
3
LS M779, LY M779, LG M779  
Relative spektrale Emission Irel = f (λ), TA = 25 ˚C, IF = 7.5 mA  
Relative spectral emission  
V (λ) = spektrale Augenempfindlichkeit  
Standard eye response curve  
Abstrahlcharakteristik Irel = f (ϕ)  
Radiation characteristic  
Semiconductor Group  
4
LS M779, LY M779, LG M779  
Durchlaßstrom IF = f (VF)  
Forward current  
TA = 25 ˚C  
Relative Lichtstärke IV / IV(2 mA) = f (IF)  
Relative luminous intensity  
TA = 25 ˚C  
Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tp)  
Permissible pulse handling capability  
Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C  
Maximal zulässiger Durchlaßstrom IF = f (TA)  
Max. permissible forward current  
Semiconductor Group  
5
LS M779, LY M779, LG M779  
Wellenlänge der Stahlung λpeak = f (TA)  
Wavelength at peak emission  
IF = 7.5 mA  
Dominantwellenlänge λdom = f (TA)  
Dominant wavelength  
IF = 7.5 mA  
Durchlaßspannung VF = f (TA)  
Forward voltage  
IF = 2 mA  
Relative Lichtstärke IV / IV(25 ˚C) = f (TA)  
Relative luminous intensity  
IF = 2 mA  
Semiconductor Group  
6
LS M779, LY M779, LG M779  
Maßzeichnung  
(Maße in mm, wenn nicht anders angegeben)  
Package Outlines  
(Dimensions in mm, unless otherwise specified)  
Kathodenkennung:  
Cathode mark:  
abgeschrägte Ecke  
bevelled edge  
Semiconductor Group  
7
厂商 型号 描述 页数 下载

INFINEON

 		LYM670-H2J2-1 [ Visible LED, Clear ] 12 页

INFINEON

 		LYM670-HK 迷你TOPLED[ Mini TOPLED ] 8 页

INFINEON

 		LYM670-J 迷你TOPLED[ Mini TOPLED ] 8 页

INFINEON

 		LYM670-J1 [ Visible LED, Clear ] 12 页

INFINEON

 		LYM670-J2 [ Visible LED, Clear ] 12 页

INFINEON

 		LYM670-J2L1-1 [ Visible LED, Clear ] 12 页

INFINEON

 		LYM670-JM 迷你TOPLED[ Mini TOPLED ] 8 页

INFINEON

 		LYM670-K 迷你TOPLED[ Mini TOPLED ] 8 页

INFINEON

 		LYM670-K1 [ Visible LED, Clear ] 12 页

INFINEON

 		LYM670-K2 [ Visible LED, Clear ] 12 页

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