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WTL2602

型号：

WTL2602

描述：

N沟道增强型功率MOSFET[ N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET ]

品牌：

WEITRON[ WEITRON TECHNOLOGY ]

页数：

6 页

PDF大小：

574 K

下载PDF手册
WTL2602  
N-Channel Enhancement  
Mode Power MOSFET  
DRAIN  
1,2,5,6  
DRAIN CURRENT  
6.3 AMPERES  
P b  
Lead(Pb)-Free  
DRAIN SOURCE VOLTAGE  
20 VOLTAGE  
3
GATE  
Features:  
SOURCE  
4
6
5
4
*Super High Dense Cell Design For Low R  
DS(ON)  
1
2
3
R
< 34mΩ@V =4.5V  
DS(ON)  
GS  
*Rugged and Reliable  
*Capable of 2.5V Gate Drive  
*Simple Drive Requirement  
*SOT-26 Package  
SOT-26  
Maximum Ratings (T =25˚C Unless Otherwise Specified)  
A
Rating  
Symbol  
Value  
20  
Unit  
Drain-Source Voltage  
V
DS  
GS  
V
±12  
6.3  
5
Gate-Source Voltage  
V
Continuous Drain Current3, V @4.5V, TA=25˚C  
GS  
I
D
TA=70˚C  
A
Pulsed Drain Current1,2  
30  
I
DM  
2
W
˚C/W  
˚C  
P
Total Power Dissipation(T =25˚C)  
D
A
R
Maximum Junction-ambient  
62.5  
θJA  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
TJ,T  
-55~+150  
stg  
Device Marking  
WTL2602=2602  
WEITRON  
http:www.weitron.com.tw  
08-Sep-05  
1/6  
WTL2602  
Electrical Characteristics(TA = 25℃ Unless otherwise noted)  
Characteristic  
Symbol Min  
Typ  
Max  
Unit  
Static  
Drain-Source Breakdown Voltage  
20  
0.5  
-
-
-
-
-
BVDSS  
VGS(Th)  
IGSS  
VGS=0,ID=250μA  
V
Gate-Source Threshold Voltage  
VDS=VGS,ID=250μA  
Gate-Source Leakage current  
VGS=±12V  
±100  
1
-
-
-
nA  
Drain-SourceLeakage Current(Tj=25˚C)  
VDS=20V,VGS=0  
-
IDSS  
μA  
Drain-SourceLeakage Current(Tj=55˚C)  
VDS=16V,VGS=0  
-
10  
Drain-SourceOn-Resistance  
VGS=10V,ID=5.5A  
-
-
-
-
-
-
-
-
30  
34  
VGS=4.5V,ID=5.3A  
RDS(on)  
mΩ  
50  
90  
VGS=2.5V,ID=2.6A  
VGS=1.8V,ID=1.0A  
Forward Transconductance  
VDS=5V,ID=5.3A  
-
S
gfs  
-
13  
Dynamic  
Input Capacitance  
-
-
-
603  
144  
111  
1085  
Ciss  
Coss  
Crss  
VGS=0V,VDS=15V,f=1.0MHz  
Output Capacitance  
VGS=0V,VDS=15V,f=1.0MHz  
pF  
-
-
Reverse Transfer Capacitance  
VGS=0V,VDS=15V,f=1.0MHz  
WEITRON  
http:www.weitron.com.tw  
2/6  
08-Sep-05  
WTL2602  
Switching  
Turn-on Delay Time2  
-
-
-
-
-
-
-
6
-
-
td(on)  
VDS=15V, VGS=10V, ID=1A, RD=15Ω, RG=2Ω  
Rise Time  
14  
tr  
VDS=15V, VGS=10V, ID=1A, RD=15Ω, RG=2Ω  
ns  
Turn-off Delay Time  
VDS=15V, VGS=10V, ID=1A, RD=15Ω, RG=2Ω  
td(off)  
18.4  
2.8  
8.7  
1.5  
3.6  
-
Fall Time  
-
tf  
VDS=15V, VGS=10V, ID=1A, RD=15Ω, RG=2Ω  
Total Gate Charge2  
16  
-
Qg  
VDS=10V,VGS=4.5V,ID=5.3A  
Gate-Source Charge  
VDS=10V,VGS=4.5V,ID=5.3A  
Qgs  
nC  
Gate-Source Change  
VDS=10V,VGS=4.5V,ID=5.3A  
Qgd  
-
Source-Drain Diode Characteristics  
Forward On Voltage2  
VGS=0V,IS=1.2A  
-
-
-
-
1.2  
V
VSD  
Reverse Recovery Time  
16.8  
11  
-
-
ns  
nC  
Trr  
VGS=0V,IS=5A,dl/dt=100A/µs  
Reverse Recovery Charge  
Qrr  
VGS=0V,IS=5A,dl/dt=100A/µs  
Note: 1. Pulse width limited by max. junction temperature.  
2. Pulse width ≤ 300µs, duty cycle ≤ 2%.  
3. Surface mounted on 1 in2 copper pad of FR4 board; 156˚C/W when mounted on Min. copper pad.  
WEITRON  
http:www.weitron.com.tw  
3/6  
08-Sep-05  
WTL2602  
80  
50  
40  
5.0V  
4.5V  
4.0V  
°
°
T =25 C  
A
T
=150 C  
A
5.0V  
4.5V  
4.0V  
60  
40  
30  
20  
10  
0
VG=2.5V  
VG=2.5V  
20  
0
0
1
2
3
4
5
6
7
0
1
2
3
4
5
6
7
8
VDS ,Drain-to-source Voltage(V)  
VDS ,DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE(V)  
Fig.2 Typical Output Characteristics  
FIG.1 Typical Output Characteristics  
100  
1.8  
ID = 1.0A  
TA = 25°C  
ID = 5.3A  
VG = 4.5V  
1.6  
1.4  
80  
60  
1.2  
1.0  
40  
20  
0.8  
0.6  
-50  
0
50  
100  
150  
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10 11  
VGS ,Gate-to-source Voltage(V)  
Tj ,Junction Temperature(°C)  
Fig.3 On-Resistance v.s. Gate Voltage  
Fig.4 Normalized OnResistance  
10  
1.6  
1.4  
1.2  
1.0  
0.8  
1.0  
Tj = 150°C  
Tj = 25°C  
0.1  
0.6  
0.4  
0.2  
0.01  
-50  
0
50  
100  
150  
0
0.4  
0.8  
1.2  
1.6  
VDS ,Source-to-Drain Voltage(V)  
Tj ,Junction Temperature(°C)  
Fig.5 Forward Characteristics of  
Reverse Diode  
Fig.6 Gate Threshold Voltage v.s.  
Junction Temperature  
WEITRON  
http://www.weitron.com.tw  
4/6  
08-Sep-05  
WTL2602  
f = 1.0MHz  
Ciss  
14  
1000  
ID = 5.3A  
VDS = 16V  
12  
10  
8
Coss  
Crss  
100  
6
4
2
0
0
0
5
10  
15  
20  
25  
1
5
9
13  
17  
21  
25  
29  
VDS, Drain-to-Source Voltage(V)  
QG , Total Gate Charge(nC)  
Fig 8. Typical Capacitance Characteristics  
Fig 7. Gate Charge Characteristics  
100  
1
Duty factor = 0.5  
0.2  
10  
1
0.1  
0.1  
1ms  
0.05  
PDM  
t
10ms  
0.01  
T
100ms  
0.01  
Duty factor = t / T  
Peak Tj=PDM x Rθja + Tu  
Rθja=156°C / W  
0.1  
Is  
TA = 25°C  
Single pulse  
DC  
Single Pulse  
0.001  
0.0001  
0.01  
0.1  
1
10  
100  
0.001  
0.01  
0.1  
1
10  
100  
1000  
VDS , Drain-to-Source Voltage(V)  
t, Pulse Width(s)  
Fig 10. Effective Transient Thermal Impedance  
Fig 9. Maximum Safe Operation Area  
V
G
VDS  
90%  
Q
G
4.5V  
Q
Q
GD  
GS  
10%  
VGS  
td(on) tr  
td(off) tf  
Q
Charge  
Fig 11. Switching Time Circuit  
Fig.12 Gate Charge Waveform  
WEITRON  
http://www.weitron.com.tw  
5/6  
08-Sep-05  
WTL2602  
SOT-26 Outline Dimension  
Unit:mm  
A
G
SOT-26  
Dim  
A
B
C
D
E
Min  
2.70  
2.60  
1.40  
0.30  
0.00  
0˚  
Max  
3.10  
3.00  
1.80  
0.55  
0.10  
10˚  
Top View  
F
L
0.08  
0.25  
F1  
G
H
I
J
K
1.90 REF  
Front View  
1.20 REF  
0.12 REF  
0.37 REF  
0.60 REF  
0.95 REF  
F
J
K
D
L
Side View  
WEITRON  
http://www.weitron.com.tw  
6/6  
08-Sep-05  
厂商 型号 描述 页数 下载

ROCKWELL

 		WTL1164-080-GC [ Multiplier, MOS, CPGA68 ] 46 页

ROCKWELL

 		WTL1164-12GC [ Multiplier, MOS, CPGA68 ] 46 页

ROCKWELL

 		WTL1164-12JC [ Multiplier, MOS, CDIP64 ] 46 页

ROCKWELL

 		WTL1164-12LC [ Multiplier, MOS, CQCC68 ] 46 页

ROCKWELL

 		WTL1164-16GC [ Multiplier, MOS, CPGA68 ] 46 页

ROCKWELL

 		WTL1164-16LC [ Multiplier, MOS, CQCC68 ] 46 页

ETC

 		WTL1164JC 周边IC\n[ Peripheral IC ] 47 页

ETC

 		WTL1164JM 周边IC\n[ Peripheral IC ] 47 页

ETC

 		WTL1164LC 周边IC\n[ Peripheral IC ] 47 页

ETC

 		WTL1164LM 周边IC\n[ Peripheral IC ] 47 页

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