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WTC2310

型号：

WTC2310

描述：

N沟道增强型功率MOSFET[ N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET ]

品牌：

WEITRON[ WEITRON TECHNOLOGY ]

页数：

6 页

PDF大小：

938 K

下载PDF手册
WTC2310  
N-Channel Enhancement  
Mode Power MOSFET  
DRAIN CURRENT  
3 AMPERS  
DRAIN  
3
DRAIN SOUCE VOLTAGE  
60 VOLTAGE  
1
GATE  
2
Features:  
SOURCE  
3
*Super High Dense Cell Design For Low RDS(ON)  
RDS(ON)<90mΩ@VGS=10V  
*Rugged and Reliable  
1
2
*Simple Drive Requirement  
*SOT-23 Package  
SOT-23  
Maximum Ratings(TA=25℃ Unless Otherwise Specified)  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Continuous Drain Current3  
60  
VDS  
VGS  
V
±20  
3.0  
2.3  
10  
,VGS@10V(TA  
,VGS@10V(TA  
ID  
A
Pulsed Drain Current1,2  
IDM  
PD  
Total Power Dissipation(TA=25 )  
℃
1.38  
90  
W
℃/W  
℃
Maximum Junction-ambient3  
RɵJA  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
-55~+150  
TJ, Tstg  
Device Marking  
WTC2310=2310  
WEITRON  
http:www.weitron.com.tw  
1/6  
05-May-05  
WTC2310  
Electrical Characteristics(TA = 25℃ Unless otherwise noted)  
Characteristic  
Symbol Min  
Typ  
Max  
Unit  
Static  
Drain-Source Breakdown Voltage  
60  
1.0  
-
-
-
-
-
-
-
3.0  
±100  
10  
V(BR)DSS  
VGS(Th)  
IGSS  
VGS=0,ID=250μA  
V
Gate-Source Threshold Voltage  
VDS=VGS,ID=250μA  
Gate-Source Leakage Current  
nA  
μA  
VGS= ±20V  
Drain-Source Leakage Current(Tj=25℃)  
VDS=60V,VGS=0  
-
IDSS  
Drain-Source Leakage Current(Tj=70℃)  
VDS=48V,VGS=0  
-
25  
Drain-Source On-Resistance  
VGS=10V,ID=3A  
RDS(on)  
mΩ  
-
-
-
-
90  
120  
VGS=4.5V,ID=2A  
Forward Transconductance  
VDS=5V,ID=3A  
-
5.0  
-
S
gfs  
Dynamic  
Input Capacitance  
-
-
-
490  
55  
780  
-
Ciss  
Coss  
Crss  
VGS=0V,VDS=25V,f=1.0MHz  
Output Capacitance  
pF  
VGS=0V,VDS=25V,f=1.0MHz  
Reverse Transfer Capacitance  
VGS=0V,VDS=25V,f=1.0MHz  
40  
-
WEITRON  
http:www.weitron.com.tw  
2/6  
05-May-05  
WTC2310  
Switching  
Turn-on Delay Time2  
-
-
-
-
-
-
-
6
5
-
-
td(on)  
VDS=30V,VGS=10V,ID=1A,RD=30Ω,RG=3.3Ω  
Rise Time  
t
r
VDS=30V,VGS=10V,ID=1A,RD=30Ω,RG=3.3Ω  
ns  
Turn-off Delay Time  
16  
3
-
td (off)  
VDS=30V,VGS=10V,ID=1A,RD=30Ω,RG=3.3Ω  
Fall Time  
-
t
f
VDS=30V,VGS=10V,ID=1A,RD=30Ω,RG=3.3Ω  
Total Gate Charge2  
6
10  
-
Qg  
Qgs  
Qgd  
VDS=48V,VGS=4.5V,ID=3A  
Gate-Source Charge  
nC  
1.6  
3
VDS=48V,VGS=4.5V,ID=3A  
Gate-Drain Change  
-
VDS=48V,VGS=4.5V,ID=3A  
Source-Drain Diode Characteristics  
Forward On Voltage2  
VGS=0V,IS=1.2A  
-
-
-
-
1.2  
-
V
VSD  
Reverse Recovery Time  
25  
26  
ns  
nC  
T
rr  
VGS=0V,IS=3A, dl/dt=100A/μs  
Reverse Recovery Charge  
-
Q
rr  
VGS=0V,IS=3.9A,dl/dt=100A/μs  
Note: 1. Pulse width limited by max, junction temperature.  
≦
≦
2. pulse width 300μs, duty cycle 2%.  
3. Surface mounted on 1 in2 copper pad of FR4 board; 270℃/W when mounted on min, copper pad.  
WEITRON  
http://www.weitron.com.tw  
3/6  
05-May-05  
WTC2310  
10  
8
10  
10V  
°
T
=150 C  
10V  
A
°
T
A
=25 C  
7.0V  
5.0V  
4.5V  
7.0V  
5.0V  
4.5V  
8
6
6
VG=3.0V  
VG=3.0V  
4
2
0
4
2
0
0
1
2
3
4
5
0
1
2
3
4
5
VDS ,Drain-to-source Voltage(V)  
VDS ,DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE(V)  
Fig.2 Typical Output Characteristics  
FIG.1 Typical Output Characteristics  
105  
99  
93  
87  
81  
75  
2.0  
1.8  
ID = 2A  
TA = 25°C  
ID = 3A  
VG = 10V  
1.6  
1.4  
1.2  
1.0  
0.8  
0.6  
-50  
0
50  
100  
150  
2
4
6
8
10  
VGS ,Gate-to-source Voltage(V)  
Tj ,Junction Temperature(°C)  
Fig.3 On-Resistance v.s. Gate Voltage  
Fig.4 Normalized OnResistance  
1.4  
1.2  
4
3
2
1
0
1.0  
0.8  
Tj = 150°C  
Tj = 25°C  
0.6  
0.4  
0
0.2  
0.4  
0.6  
0.8  
1
1.2  
-50  
0
50  
100  
150  
VDS ,Source-to-Drain Voltage(V)  
Tj ,Junction Temperature(°C)  
Fig.5 Forward Characteristics of  
Reverse Diode  
Fig.6 Gate Threshold Voltage v.s.  
Junction Temperature  
WEITRON  
http://www.weitron.com.tw  
4/6  
05-May-05  
WTC2310  
f = 1.0MHz  
Ciss  
1000  
14  
ID = 3A  
12  
VDS = 30V  
VDS = 38V  
VDS = 48V  
10  
8
100  
6
Coss  
Crss  
4
2
0
0
1
5
9
13  
17  
21  
25  
29  
0
3
6
9
12  
15  
VDS, Drain-to-Source Voltage(V)  
QG , Total Gate Charge(nC)  
Fig 8. Typical Capacitance Characteristics  
Fig 7. Gate Charge Characteristics  
1
100,000  
10,00  
Duty factor = 0.5  
0.2  
100us  
1ms  
0.1  
0.1  
0.05  
1,000  
0.100  
0.010  
PDM  
t
0.01  
10ms  
T
0.01  
Duty factor = t / T  
Peak Tj=PDM x Rθju + Tu  
Rθja=270°C / W  
100ms  
Is  
TA = 25°C  
Single pulse  
DC  
Single Pulse  
0.001  
0.001  
0.0001  
0.001  
0.01  
0.1  
1
10  
100  
1000  
0.1  
1
10  
100  
1000  
VDS , Drain-to-Source Voltage(V)  
t, Pulse Width(s)  
Fig 10. Effective Transient Thermal Impedance  
Fig 9. Maximum Safe Operation Area  
VG  
VDS  
90%  
QG  
4.5V  
QGD  
QGS  
10%  
VGS  
td(on) tr  
td(off) tf  
Q
Charge  
Fig.12 Gate Charge Waveform  
Fig 11. Switching Time Circuit  
WEITRON  
http://www.weitron.com.tw  
5/6  
05-May-05  
WTC2310  
SOT-23 Outline Dimension  
SOT-23  
A
Dim  
A
B
C
D
Min  
0.35  
1.19  
2.10  
0.85  
0.46  
1.70  
2.70  
0.01  
0.89  
0.30  
0.076  
Max  
0.51  
1.40  
3.00  
1.05  
1.00  
2.10  
3.10  
0.13  
1.10  
0.61  
0.25  
B
C
TOP VIEW  
E
D
G
G
H
J
K
L
E
H
K
L
M
J
M
WEITRON  
http://www.weitron.com.tw  
6/6  
05-May-05  
厂商 型号 描述 页数 下载

WEITRON

 		WTC1333 表面贴装P沟道增强型MOSFET[ Surface Mount P-Channel Enhancement Mode MOSFET ] 6 页

WEITRON

 		WTC2172BL [ Transistor ] 5 页

WEITRON

 		WTC2301 P沟道增强型功率MOSFET[ P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET ] 6 页

WEITRON

 		WTC2301_10 P沟道增强型功率MOSFET[ P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET ] 6 页

WEITRON

 		WTC2302 N沟道增强型功率MOSFET[ N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET ] 6 页

WEITRON

 		WTC2302-G [ Transistor ] 6 页

WEITRON

 		WTC2302A [ Transistor ] 6 页

WEITRON

 		WTC2302_09 N沟道增强型功率MOSFET[ N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET ] 6 页

WEITRON

 		WTC2303 P沟道增强型功率MOSFET[ P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET ] 6 页

WEITRON

 		WTC2303-G [ Transistor ] 6 页

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