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QX1510

型号：

QX1510

描述：

QX1510是一款高集成度，高性能的电流模>式PWM控制器芯片，适用于电源适配器等中>小功率的开关电源设备。[ QX1510 是一款高集成度、高性能的电流模 式PWM 控制器芯片。适用于电源适配器等中 小功率的开关电源设备。 ]

品牌：

ETC[ ETC ]

页数：

10 页

PDF大小：

255 K

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QX1510  
V01  
电流模式 PWM 开关电源控制器  
特点  
概述  
Ÿ
Ÿ
Ÿ
Ÿ
Ÿ
(3uA)  
(1.35mA)  
和工作电流 ；  
低启动电流  
QX1510 是一款高集成度、高性能的电流模  
PWM  
小功率的开关电源设备。  
式
控制器芯片。适用于电源适配器等中  
内置前沿消隐；  
内置同步斜坡补偿；  
电流模式工作；  
频率抖动功能；  
在正常负载条件下，PWM 开关频率可以外  
部设定；在轻载或者无负载情况下，QX1510  
提供了脉冲模式功能，以降低芯片的开关损耗，  
提高电源系统的转化效率。  
Ÿ Burst Mode  
功能；  
PWM  
Ÿ
Ÿ
Ÿ
Ÿ
Ÿ
Ÿ
Ÿ
外部可编程的  
开关频率；  
QX1510  
具有极低的启动电流和工作电流，  
(OCP)  
逐周期电流限制保护  
；
不仅有利于启动电路设计，而且可以使用大阻  
值的启动电阻，以降低待机功耗，提高转换效  
率。  
VDD  
内建系统  
箝位保护；  
(UVLO)  
欠电压锁定功能  
；
(18.8V)  
栅驱动输出电压箝位  
；
QX1510 内置同步斜坡补偿电路，改善了  
系统的大信号稳定性，避免了 PWM 在高占空  
比输出的情况下可能产生的谐波振荡。QX1510  
在反馈输入引脚端内置了前沿消隐电路，能有  
效去除反馈信号中的尖峰，有助于减少开关电  
源系统的外部元器件数量，降低系统的整体成  
本。  
(OLP)  
过载保护  
；
OB2263  
兼容昂宝  
。
应用  
Ÿ 电池充电器  
Ÿ 电源适配器  
Ÿ 开放式开关电源  
Ÿ 机顶盒电源  
QX1510 提供了多种全面的可恢复保护模  
(OCP)  
式，其中包括：逐周期电流限制保护  
载保护(OLP)、VDD 箝位保护、以及欠压锁定  
(UVLO) MOSFET  
、过  
封装  
。为了更好的保护外部  
管，栅极驱动输出电压被箝位在 18.8V。  
功率  
QX1510 内部采用了频率抖动技术，同时，  
在图腾柱栅极驱动输出端使用了软开关控制技  
术，可以很好地改善开关电源系统的EMI 性能。  
20KHz  
通过优化设计，当芯片的工作频率低于  
的情况下，音频能量可以降低到最小值。因此，  
音频噪声性能可以获得很大程度的改善。  
QX1510 提供 SOT23-6 封装。  
深圳市世微半导体有限公司  
联系人：叶生  
电话：13714935185  
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QX1510  
V01  
典型应用  
内部框图  
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QX1510  
V01  
管脚描述  
引脚编号  
引脚名称  
引脚类型  
描述  
芯片地电位引脚  
反馈输入端。  
1
GND  
P
2
3
FB  
RI  
I
I
PWM 占空比由这个引脚和 SENSE 引脚的电压决定  
内部振荡器频率设定脚。  
连在 RI 和 GND 之间的电阻决定了 PWM 频率  
电流检测引脚。连接在 MOSFET 电流检测电阻结点  
芯片电源引脚  
4
5
6
SENSE  
VDD  
I
P
O
功率 MOSFET 的图腾柱 gate 驱动输出  
GATE  
极限参数  
参数（Parameter）  
值（Value） 单位（ Unit）  
VDD  
30  
V
V
DC 供电电压  
V
-0.3 ~ 7  
-0.3 ~ 7  
-0.3 ~ 7  
-20 ~ 150  
-55 ~ 150  
28.5  
FB 引脚输入电压  
SENSE 引脚输入电压  
RI 引脚输入电压  
操作节点温度  
FB  
VSENSE  
VRI  
V
V
TJ  
℃
℃
V
TSTG  
VCV  
保存温度  
VDD clamp 电压  
VDD DC clamp 电流  
ESD，人体模式  
VCC  
>10  
mA  
V
VESD_HBM  
3000  
注意：超过上表中规定的极限参数会导致器件永久损坏。不推荐将该器件工作在以上极限条  
件下，推荐工作条件以上，可能会影响器件的可靠性。  
深圳市世微半导体有限公司  
联系人：叶生  
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QX1510  
V01  
电气特性参数  
（若无其他说明,TA=25℃,VDD=16V,RI=100Kohm）  
符号  
参数  
测试条件  
最小值 典型值 最大值 单位  
电源电压（VDD）  
I_VDD_Startup  
-
3
20  
uA  
VDD 启动电流  
VDD=12.5V 时流入 VDD  
的电流  
I_VDD_Operation  
1.35  
8.7  
mA  
V
工作电流  
FB=3V，CS=0V  
7.7  
9.7  
UVLO(进入)  
VDD 欠压锁定  
进入电压  
13.7  
27.5  
14.7  
28.5  
15.7  
29.5  
V
V
UVLO（退出）  
VDD 欠压锁定  
退出电压  
VDD_Clamp  
反馈输入部分（FB）  
VVCS  
I_VDD=8mA  
ΔVFB /ΔVCS  
FB=0V  
VDD 箝位电压  
PWM输入增益  
2
V/V  
V
VFB_OPEN  
IFB_Short  
4.75  
1.1  
4.85  
1.2  
4.95  
1.3  
1
VFB开路电压  
mA  
V
FB短路电流  
VTH_0D  
零占空比 FB阈值电压  
功率限制 FB阈值电压  
功率限制延迟时间  
输入阻抗  
VTH_PL  
3.6  
3.7  
35  
4
3.8  
V
TD_PL  
mS  
Kohm  
%
ZFB_IN  
DC_MAX  
79  
最大占空比  
VDD=18V，RI=100Kohm，  
FB=3V，CS=0  
电流监测输入（SENSE）  
T_blanking  
TD_OC  
300  
80  
nS  
nS  
前沿消隐时间  
过流检测控制时间  
电流限制阈值电压  
输入阻抗  
70  
90  
CS>VTH_OC，FB=3.3V  
VTH_OC  
0.7  
0.8  
40  
0.9  
V
ZSENSE_IN  
Kohm  
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联系人：叶生  
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QX1510  
V01  
振荡器  
FOSC  
60  
65  
6
70  
KHz  
%
正常振荡频率  
Δf_Temp  
频率的温度稳定性  
VDD=16V，RI=100Kohm  
TA=-20℃~100℃  
3
%
Δf_VDD  
频率的电压稳定性  
VDD=12-25V，  
RI=100Kohm  
RI_range  
V_RI_open  
Fosc_BM  
50  
26  
100  
2
150  
28  
Kohm  
V
RI电阻范围  
RI开路电压  
27  
KHz  
脉冲模式基准频率  
VDD=16V，RI=100Kohm  
Gate 驱动输出（GATE）  
VOL  
0.57  
V
V
输出低电平  
VDD=16V，Io=-20mA  
VDD=16V，Io=20mA  
VOH  
10.7  
输出高电平  
V_Clamp  
T_r  
18.8  
310  
80  
V
输出箝位电压  
输出上升时间  
输出下降时间  
nS  
nS  
VDD=16V，CL=1nF  
VDD=16V，CL=1nF  
T_f  
频率抖动  
Δf_OSC  
Freq_Shuffling  
RI=100Kohm  
RI=100Kohm  
-3  
3
%
频率调节范围/基频  
频率抖动  
63  
64  
65  
Hz  
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联系人：叶生  
电话：13714935185  
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QX1510  
V01  
特性曲线图  
Fosc(KHz) vs RI(KΩ)  
140.0  
120.0  
100.0  
80.0  
60.0  
40.0  
20.0  
0.0  
50  
68  
91  
120  
150  
RI(KΩ)  
VDD Operation Current VS LOAD(pF)  
50KHz  
65KHz  
100KHz  
6.00  
5.00  
4.00  
3.00  
2.00  
1.00  
0.00  
0
400  
800  
1200  
1600  
2000  
GATE Load(pF)  
深圳市世微半导体有限公司  
联系人：叶生  
电话：13714935185  
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QX1510  
V01  
功能描述  
FB  
并且  
输入端被激活的情况下才会有输出。  
QX1510  
是一款高集成度、高性能的电流模  
其他情况下，栅极驱动输出保持长时间关断的  
状态减少了开关损耗，从而尽可能地减少待机  
功耗。频率控制也减少了任何负载情况下工作  
时产生的音频噪声。  
式 PWM 控制器芯片。适用于笔记本电源适配  
器等中小功率的开关电源设备与开关电源转换  
器。极低的启动电流与工作电流、以及轻载或  
者无负载情况下的 Burst Mode 功能，都能有效  
的降低开关电源系统的待机功耗，提高功率转  
换效率。内置的同步斜坡补偿、反馈引脚的前  
沿消隐等功能不仅能减少开关电源系统的元器  
件数目，还增加了系统的稳定性，避免谐波振  
荡的产生。QX1510 还提供了多种全面的可恢  
复保护模式。主要特点功能描述如下：  
振荡器  
RI 和 GND 之间的电阻值决定了电流源对  
内部的电容的充放电时间，从而确定了 PWM  
的中心振荡频率。RI 和开关频率之间的关系根  
据以下公式确定：  
FOSC=6500/RI（Kohm） KHz  
启动电流和启动控制  
电流检测和前沿消隐  
QX1510 具有低启动电流 (3uA)，因此 VDD  
能很快充电上升到脱离 UVLO 的阈值电压以  
上，器件可以实现快速启动。大阻值的启动电  
阻可以被用来减少功耗，并且在应用中可以简  
化启动电路的设计，实现可靠的启动。对于一  
个典型的通用的 AC/DC 电源适配器设计（输入  
QX1510 具 有 逐 周 期 电 流 限 制 (Cycle-by  
-Cycle current limiting)功能。开关电流通过检测  
电阻输入到 SENSE 引脚。引脚内部的前沿消隐  
电路可以消除 MOSFET 开启瞬间由于缓冲二  
极管反向恢复造成的感应电压毛刺，因此  
SENSE  
RC  
滤波电路可以省去。  
输入端的外接  
90VAC-264VAC  
），一 个  
2MΩ 0.125W  
，
电压范围  
限流比较器在消隐期间被禁用而无法关断外部  
MOSFET。PWM 占空比由电流检测端的电压和  
FB 输入端的电压共同决定。  
启动电阻可以和一个 VDD 电容一起提供快速  
和低功耗的启动设计方案。  
工作电流  
内部同步斜坡补偿  
QX1510 具有低工作电流(1.35mA)。低工作  
PWM  
信号产生过程中，内置的斜坡补偿电  
Burst Mode  
电流以及  
控制电路可以有效地提高  
路可以在电流检测输入端的电压基础上叠加斜  
坡电压。这极大地增加了 CCM 模式下闭环的  
稳定性，避免了谐波振荡，减少了输出纹波电  
压。  
开关电源的转换效率，并且可以降低对 VDD  
保持电容的要求。  
脉冲模式 (Burst Mode)  
在空载或者轻载的情况下，开关电源中的  
MOSFET  
栅极驱动  
大部分功耗来自于  
的开关损耗、变压  
QX1510 的 GATE 引脚连接外部 MOSFET  
的栅极以实现开关控制。太弱的栅驱动强度会  
导致过大的开关损耗，而太强的驱动会产生过  
大的 EMI。QX1510 通过内建图腾柱栅极驱动  
电路的优化设计，实现了输出强度和死区时间  
控制两者之间的良好折中。从而可以更容易设  
器的磁芯损耗、以及缓冲电路的损耗。功耗的  
大小与一定时间内 MOSFET 的开关次数成正  
比。减少开关次数也就减少了功耗。QX1510  
置的 Burst Mode 功能，可以根据负载情况自动  
调节开关频率。当系统处于空载或轻载的情况  
下，FB 端的输入电压会处于脉冲模式(Burst  
EMI  
QX1510  
系统。  
计出理想的低待机损耗和  
Mode)  
的阈值电压  
(1.4V)  
之下。根据这个判断，  
还在栅极驱动输出端内置了 18.8V 的箝位电  
路，有效地保护了外接 MOSFET 开关管。  
系统进入脉冲模式控制方式工作。栅极驱动输  
出端只有在 VDD 电压低于预先设定的电平值，  
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联系人：叶生  
电话：13714935185  
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QX1510  
V01  
保护控制  
在输出过载的情况下，FB 电压被偏置得更  
高，当 FB 输入超过功率限制的阈值电压持续  
35ms 后，控制电路将关断 MOSFET。VDD 由  
变压器的辅助绕组输出提供。VDD 被箝位在  
28.5V。当 VDD 低于 UVLO 阈值电压的时候，  
MOSFET 被关断，芯片随后进入上电启动程序。  
QX1510 提供了全面的保护特性，系统可以  
获得最高可靠性。其中包括逐周期限流保护  
(OCP)，过载保护(OLP)，低压锁定(UVLO)。  
QX1510 内置的 OCP 保护电路可以有效地检测  
PWM 控制信号的占空比，并通过线电压的补  
偿确保在连续交流输入电压范围内获得恒定的  
输出功率限制。  
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QX1510  
V01  
封装数据信息  
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 		QX1511 [ QX1511是一款高精度隔离型AC-DC控制器， 适用于小功率的充电器和适配器等 ] 7 页

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