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FZT849

型号：

FZT849

描述：

NPN硅平面高电流（高性能）晶体管[ NPN SILICON PLANAR HIGH CURRENT (HIGH PERFORMANCE) TRANSISTOR ]

品牌：

ZETEX[ ZETEX SEMICONDUCTORS ]

页数：

3 页

PDF大小：

63 K

下载PDF手册
SOT223 NPN SILICON PLANAR HIGH CURRENT  
(HIGH PERFORMANCE) TRANSISTOR  
ISSUE 3 - JANUARY 1996  
FZT849  
FEATURES  
*
*
*
*
*
Extremely low equivalent on-resistance; RCE(sat)36mΩ at 5A  
7 Amp continuous collector current (20 Amp peak)  
Very low saturation voltages  
C
Excellent gain charateristics specified upto 20 Amp  
Ptot =3 Watts  
E
C
PARTMARKING DETAILS -  
FZT849  
B
COMPLEMENTARY TYPE - FZT949  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICM  
VALUE  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
80  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
30  
V
6
V
Peak Pulse Current  
20  
A
Continuous Collector Current  
Power Dissipation at Tamb=25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
IC  
7
3
A
Ptot  
W
°C  
Tj:Tstg  
-55 to +150  
*The power which can be dissipated assuming the device is mounted in a typical manner on a  
P.C.B. with copper equal to 4 inch square minimum  
3 - 257  
FZT849  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
= 25°C unless otherwise stated)  
amb  
PARAMETER  
SYMBOL MIN. TYP.  
MAX. UNIT CONDITIONS.  
Collector-Base Breakdown  
Voltage  
V(BR)CBO  
V(BR)CER  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
80  
80  
30  
6
120  
120  
40  
V
V
V
V
IC=100µA  
Collector-Emitter Breakdown  
Voltage  
IC=1µA, RB ≤1kΩ  
IC=10mA*  
Collector-Emitter Breakdown  
Voltage  
Emitter-Base Breakdown  
Voltage  
8
IE=100µA  
Collector Cut-Off Current  
Collector Cut-Off Current  
Emitter Cut-Off Current  
50  
1
nA  
µA  
VCB=70V  
VCB=70V, Tamb=100°C  
ICER  
R ≤1kΩ  
50  
1
nA  
µA  
VCB=70V  
VCB=70V, Tamb=100°C  
IEBO  
10  
nA  
VEB=6V  
Collector-Emitter Saturation  
Voltage  
VCE(sat)  
35  
67  
168  
50  
mV  
mV  
mV  
mV  
IC=0.5A, IB=20mA*  
IC=1A, IB=20mA*  
IC=2A, IB=20mA*  
IC=6.5A, IB=300mA*  
110  
215  
350  
Base-Emitter  
Saturation Voltage  
VBE(sat)  
1.2  
V
V
IC=6.5A, IB=300mA  
IC=6.5A, VCE=1V*  
Base-Emitter Turn-On Voltage VBE(on)  
1.13  
300  
Static Forward  
Current Transfer Ratio  
hFE  
100  
100  
100  
30  
200  
200  
150  
65  
IC=10mA, VCE=1V  
IC=1A, VCE=1V*  
IC=7A, VCE=1V*  
IC=20A, VCE=2V*  
Transition Frequency  
fT  
100  
75  
MHz  
pF  
IC=100mA, VCE=10V  
f=50MHz  
Output Capacitance  
Switching Times  
Cobo  
VCB=10V, f=1MHz*  
ton  
toff  
45  
630  
ns  
ns  
IC=1A, IB1=100mA  
IB2=100mA, VCC=10V  
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤2%  
Spice parameter data is available upon request for this device  
3 - 258  
FZT849  
TYPICAL CHARACTERISTICS  
I
- Collector Current (Amps)  
I
- Collector Current (Amps)  
VCE(sat) v IC  
hFE v IC  
I
- Collector Current (Amps)  
I
- Collector Current (Amps)  
VBE(sat) v IC  
VBE(on) v IC  
V
- Collector Voltage (Volts)  
Safe Operating Area  
3 - 259  
厂商 型号 描述 页数 下载

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