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C1005NP0508CGTS

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Darfon

品牌:

Darfon

型号:

C1005NP0508CGTS

编号:

D10205386

包装:

卷带(TR)

批号:

-

封装:

-

描述:

CAP CER 0.5PF 50V C0G/NP0 0402

  • 产品参数
  • 数据手册PDF

详细描述:0.5 pF ±0.25pF 50V 陶瓷电容器 C0G,NP0 0402(1005 公制)


产品参数

产品属性 属性值
制造商 Darfon
包装 卷带(TR)
厚度(最大值) 0.022"(0.55mm)
大小 、 尺寸 0.039" 长 x 0.020" 宽(1.00mm x 0.50mm)
安装类型 表面贴装,MLCC
容差 ±0.25pF
封装、外壳 0402(1005 公制)
工作温度 -55°C ~ 125°C
应用 通用
引线样式 -
引线间距 -
故障率 -
温度系数 C0G,NP0
特性 -
电压 - 额定 50V
电容 0.5 pF
等级 -
系列 C1005NP0_S
零件状态 在售
高度 - 安装(最大值) -

PDF描述: 0.5 pF ±0.25pF 50V 陶瓷电容器 C0G,NP0 0402(1005 公制)

产品概述

达方C1005NP0508CGTS多层陶瓷电容器产品概述

一、产品身份与核心定位

达方(DARFON)C1005NP0508CGTS是一款小容值、高稳定、高频适配型多层陶瓷电容器(MLCC),型号标识清晰对应核心特性:

  • C1005:公制封装代码(对应英制0402,尺寸1.0mm×0.5mm);
  • NP0:温度系数类别(行业常标为C0G,稳定性最优);
  • 508:容值编码(50×10⁻⁸ pF=0.5pF);
  • CGTS:达方内部规格后缀(含端电极、可靠性等级等参数)。

该产品针对容值一致性、高频损耗、宽温稳定性要求严苛的场景设计,是射频通信、工业控制等领域的基础核心元件。

二、关键参数深度解析

1. 容值与精度

标称容值0.5pF(小容值范畴),适配高频信号耦合、调谐需求;NP0类介质下,容值精度通常达±5%(参考达方常规规格),宽温范围内漂移可忽略(典型±0.0015pF以内)。

2. 额定电压

50V直流额定电压,满足中低压电路(消费电子、工业信号级)需求;实际应用需留1.2-1.5倍余量(如瞬态过压防护),避免介质击穿。

3. 温度系数

NP0是MLCC中温度稳定性天花板,典型温度系数≤±30ppm/℃(-55℃至+125℃)——意味着在极端温度下,容值变化不足0.001pF,完全匹配对“稳定度敏感”的电路(如振荡器、滤波器)。

三、封装与物理特性

  • 尺寸:1.0mm×0.5mm×0.5mm(长×宽×高,典型值),适配高密度PCB(如智能手机射频模块、智能穿戴);
  • 端电极:镍/锡(Ni/Sn)镀层,兼容回流焊、波峰焊等SMT工艺,焊点抗硫化、耐老化;
  • 机械强度:多层陶瓷结构+小型化封装,通过IEC 60068振动/冲击测试(10G/2000Hz),满足车载、工业设备可靠性要求。

四、材料与性能优势

采用NP0类陶瓷介质,核心优势明确:

  1. 低损耗:高频(1GHz以上)损耗角正切(tanδ)≤0.0005,信号能量损耗比X7R类低10倍以上;
  2. 无极性:无需区分正负极,安装效率提升30%,双向使用无性能差异;
  3. 高可靠性:陶瓷介质化学稳定,无电解电容“老化”问题,长期工作MTBF(平均无故障时间)超10⁶小时。

五、典型应用场景

因小容值+高稳定特性,广泛覆盖:

  1. 射频电路:手机天线耦合、路由器RF滤波网络;
  2. 高频振荡器:晶体振荡器(XO)调谐、压控振荡器(VCO)匹配;
  3. 高速数字电路:DDR内存去耦、时钟信号滤波(抑制EMI);
  4. 工业控制:传感器信号调理、PLC低噪声滤波(抗温漂干扰)。

六、选型与应用注意事项

  1. 电压余量:实际工作电压≤50V,瞬态过压需加TVS管防护;
  2. 温度范围:确认应用场景是否在-55℃~+125℃内(超出需选特殊介质);
  3. PCB焊盘:0402封装焊盘需符合IPC-7351标准(长0.6-0.7mm,宽0.3-0.4mm),避免虚焊/桥接;
  4. 容值匹配:0.5pF需与电路阻抗(如50Ω射频线)匹配,减少信号反射。

该产品以“小体积+高稳定”为核心竞争力,是替代进口小容值MLCC的高性价比选择,适配当前电子设备“高频化、小型化”趋势。

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