产品描述:场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, -4.3A, SOT23
产品参数
| 产品属性 |
属性值 |
| 商品目录 |
场效应管(MOSFET) |
| 数量 |
1个P沟道 |
| 漏源电压(Vdss) |
30V |
| 连续漏极电流(Id) |
4.3A |
| 导通电阻(RDS(on)) |
70mΩ@4.5V,5.0A |
| 耗散功率(Pd) |
1.38W |
| 阈值电压(Vgs(th)) |
2.1V@250uA |
| 栅极电荷量(Qg) |
11.8nC@10V |
| 输入电容(Ciss) |
- |
| 反向传输电容(Crss) |
- |
| 工作温度 |
-55℃~+150℃ |
| 类型 |
P沟道 |
| 输出电容(Coss) |
- |
PDF描述:Power Field-Effect Transistor,