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SQJQ980EL-T1_GE3

场效应管, MOSFET, N沟道, 80V, 36A, 175度 C, 187W

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VISHAY

品牌:

VISHAY

型号:

SQJQ980EL-T1_GE3

编号:

E011797

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描述:

  • 产品详情
  • 数据手册PDF

产品描述:场效应管, MOSFET, N沟道, 80V, 36A, 175度 C, 187W


产品参数

产品属性 属性值
商品目录 场效应管(MOSFET)
数量 1个N沟道
漏源电压(Vdss) 400V
连续漏极电流(Id) 6.3A
导通电阻(RDS(on)) 550mΩ@10V,6A
耗散功率(Pd) 125W
阈值电压(Vgs(th)) 4V
栅极电荷量(Qg) 63nC@10V
输入电容(Ciss) 1.4nF
反向传输电容(Crss) 120pF@25V
工作温度 -55℃~+150℃

PDF描述:MOSFET 2 N-CH 80V POWERPAK8X8

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