找货询价

一对一服务 找料无忧

专属客服

服务时间

周一至周六 8:30-17:30

QQ咨询

一对一服务 找料无忧

专属客服:823711899

服务时间

周一至周六 8:30-17:30

技术支持

一对一服务 找料无忧

专属客服

服务时间

周一至周六 8:30-17:30

售后咨询

一对一服务 找料无忧

专属客服

服务时间

周一至周六 8:30-17:30

当前位置: 壹壹捌首页 > 连接器 > IC / 晶体管插座 > IMBG120R090M1HXTMA1
图片源于供应商或网络,实物可能存在差异,请以实物为准

IMBG120R090M1HXTMA1

场效应管, SIC MOSFET, 单, N沟道, 1.2KV, 26A

价格阶梯

售价

折合1管

1+

¥ 93.790000

¥ 93.790000
10+

¥ 86.230000

¥ 86.230000
100+

¥ 75.360000

¥ 75.360000
500+

¥ 69.550000

¥ 69.550000
1000+

¥ 64.710000

¥ 64.710000

库存总量 (单位:个)

仓库

数量

购买数量

1 个/EA

总价金额: ¥ 93.79

加入购物车

立即购买

推荐替代

查看更多 >
暂无推荐
INFINEON

品牌:

INFINEON

型号:

IMBG120R090M1HXTMA1

编号:

E012298

包装:

批号:

封装:

毛量:

0.001克(g)

描述:

  • 产品详情
  • 数据手册PDF

产品描述:场效应管, SIC MOSFET, 单, N沟道, 1.2KV, 26A


产品参数

产品属性 属性值
商品目录 场效应管(MOSFET)
数量 1个N沟道
漏源电压(Vdss) 55V
连续漏极电流(Id) 110A
导通电阻(RDS(on)) 8mΩ@10V,62A
耗散功率(Pd) 200W
阈值电压(Vgs(th)) 4V
栅极电荷量(Qg) 146nC
输入电容(Ciss) 3.247nF
反向传输电容(Crss) 211pF
工作温度 -55℃~+175℃

类似型号

查看更多 >
品牌:

NICHICON

分类:

IC / 晶体管插座

品牌:

STMICROELECTRONICS

分类:

IC / 晶体管插座

品牌:

VISHAY

分类:

IC / 晶体管插座

品牌:

MULTICOMP PRO

分类:

IC / 晶体管插座

0.297291s