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X3C26P1-03S

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TTM Technologies, Inc.

品牌:

TTM Technologies, Inc.

型号:

X3C26P1-03S

编号:

D9011336

包装:

剪切带(CT) & Digi-Reel® 得捷定制卷带

批号:

-

封装:

-

描述:

RF DIR COUPLER 2.3GHZ-2.9GHZ SMD

  • 产品参数
  • 数据手册PDF

详细描述:RF 定向耦合器 LTE,WiMAX 2.3GHz ~ 2.9GHz 3dB 80W 2520(6450 公制)


产品参数

产品属性 属性值
供应商器件封装 SMD
制造商 TTM Technologies, Inc.
功率 - 最大值 80W
包装 卷带(TR),剪切带(CT),Digi-Reel® 得捷定制卷带
回波损耗 20.1dB
基本产品编号 X3C26P1
封装、外壳 2520(6450 公制)
应用 LTE,WiMAX
插损 0.2dB
系列 Xinger® III
耦合器类型 标准
耦合系数 3dB
隔离 20dB
零件状态 在售
频率 2.3GHz ~ 2.9GHz

PDF描述: RF 定向耦合器 LTE,WiMAX 2.3GHz ~ 2.9GHz 3dB 80W 2520(6450 公制)

产品概述

X3C26P1-03S 产品概述

一、产品简介

X3C26P1-03S 是 Anaren(安伦)提供的一款面向 LTE 与 WiMAX 频段的射频定向耦合器。工作频率覆盖 2.3 GHz 至 2.9 GHz,耦合系数为 3 dB(等比分配),适用于要求高隔离、低损耗的射频监测与功率分配场合。器件为表面贴装(SMD)封装,结构紧凑,便于批量生产与自动贴装。

二、主要特性

  • 频率范围:2.3 GHz ~ 2.9 GHz,覆盖 LTE/WiMAX 典型频段。
  • 耦合系数:3 dB,适用于定向等功率分配与测试分流。
  • 插入损耗:0.2 dB(典型),保证信号链路低损耗传输。
  • 回波损耗:20.1 dB(典型),输入端匹配良好,反射小。
  • 功率处理能力:80 W(额定/典型条件下),适合功率放大器输出监测或高功率传输路径。
  • 工作温度:-55 ℃ ~ +95 ℃,适应广泛环境条件。
  • 封装:SMD 2520(6450-公制),便于自动贴装与回流焊工艺。

三、技术规格(要点)

  • 参考阻抗:50 Ω。
  • 耦合精度与相位一致性良好,满足射频测量与功分应用需求。
  • 频率内稳定的隔离与通带响应,适合连续波与窄带信号处理。

四、典型应用

  • 基站与基站放大器(功率监测、前向/反向检测)
  • 无线基站测试夹具与射频测试设备
  • 无线接入设备(WiMAX、LTE)中的功率分配与取样
  • 重复器、放大器及发射链路的方向性测量与保护电路

五、封装与机械信息

器件为 SMD 2520(6450-公制)封装,尺寸小、重量轻,适合批量 SMT 贴装。机械与焊盘布局建议遵循厂方推荐的 PCB 焊盘尺寸与过孔设计,以确保良好焊接与散热性能。

六、安装与使用注意事项

  • 建议在 50 Ω 传输线系统中使用,以保证最佳匹配与最低反射。
  • 高功率应用时,应关注局部温升与散热路径,合理布局散热铜箔或散热层。
  • 焊接采用标准无铅回流工艺,遵循温度曲线以避免器件过热。
  • 若应用于测量场合,应在系统带内校准耦合系数与相位误差以保证精度。

七、可靠性与环境适配

X3C26P1-03S 设计用于宽温区间(-55 ℃ ~ +95 ℃),适合工业级与通信设备长期工作环境。对振动、冲击与热循环有良好耐受性,满足通信设备在野外或工业环境下的可靠性要求。

总结:X3C26P1-03S 以其宽带覆盖、低插入损耗、高回波损耗和较高功率处理能力,适用于 LTE/WiMAX 等无线通信系统中的功率监测、信号取样和功分用途,是需要高性能、可批量生产射频定向耦合器场合的理想选择。若需完整的引脚定义、详细尺寸图和环境应力测试数据,建议参照 Anaren 官方数据手册。

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