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X3C21P1-05S

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TTM Technologies, Inc.

品牌:

TTM Technologies, Inc.

型号:

X3C21P1-05S

编号:

D9012029

包装:

剪切带(CT) & Digi-Reel® 得捷定制卷带

批号:

-

封装:

-

描述:

RF DIR COUPLER 2GHZ-2.3GHZ SMD

  • 产品参数
  • 数据手册PDF

详细描述:RF 定向耦合器 通用 2GHz ~ 2.3GHz 5dB 60W 4-SMD,无引线裸焊盘


产品参数

产品属性 属性值
供应商器件封装 SMD
制造商 TTM Technologies, Inc.
功率 - 最大值 60W
包装 卷带(TR),剪切带(CT),Digi-Reel® 得捷定制卷带
回波损耗 -
基本产品编号 X3C21P1
封装、外壳 4-SMD,无引线裸焊盘
应用 通用
插损 0.15dB
系列 Xinger® III
耦合器类型 标准
耦合系数 5dB
隔离 -
零件状态 在售
频率 2GHz ~ 2.3GHz

产品概述

X3C21P1-05S 产品概述

一、产品概述

X3C21P1-05S 是 Anaren(安伦)推出的一款面向 2.0 GHz 至 2.3 GHz 频段的表面贴装(SMD)定向耦合器(RF DIR COUPLER)。该器件为射频系统提供精确的信号抽取与监测功能,具有极低的插入损耗与良好的回波性能,适配现代无线通讯与测试应用的严格要求。

二、主要技术参数

  • 工作频率:2.0 GHz ~ 2.3 GHz
  • 耦合系数:5 dB
  • 插入损耗:0.15 dB(典型)
  • 回波损耗:≥20 dB
  • 工作温度范围:-55 ℃ ~ +95 ℃
  • 封装形式:SMD(适合自动贴装与回流焊工艺)
  • 品牌:Anaren(安伦)

三、关键特性

  • 极低插入损耗(0.15 dB),可最大限度减少对主信号链的影响,适合对能量效率与信号完整性要求高的系统。
  • 良好回波损耗(≥20 dB),确保输入端的驻波较小,从而降低反射引起的性能退化。
  • 稳定的耦合值(5 dB),便于在功率监测、前端抽样及有源回路中实现可预测的分配比例。
  • 宽温度工作区间,适用工业级及恶劣环境应用。

四、结构与封装说明

X3C21P1-05S 采用标准耦合器四端口结构(输入、透射、耦合、隔离),为表面贴装封装,体积小、重量轻,兼容自动化贴片与回流焊流程,有利于大规模生产与高密度电路布局。

五、典型应用场景

  • 蜂窝基站、微基站与射频前端单元(REU)中的功率监测与抽样。
  • 无线通信终端、射频芯片配套解决方案中的方向性耦合与隔离测量。
  • 射频测试与测量设备中用于输出功率校准、功率探测器前置分流。
  • 天线监测、发射链路保护与回波检测应用。

六、安装与使用建议

  • 器件用于典型 50 Ω 阻抗系统,可与常用同阻抗传输线直接匹配。
  • 推荐遵循制造商推荐的焊盘布局与回流温度曲线,以确保机械与电性能的稳定。
  • 系统集成时应留意耦合器的方向性(输入与耦合端口标识),避免接反导致测量偏差。
  • 如用于高功率场合,须评估功率耗散与周边热设计,确保器件在额定温度范围内工作。

七、可靠性与环境适配

X3C21P1-05S 设计满足广泛温度与工业环境要求,-55 ℃ 至 +95 ℃ 的工作范围适合室外基站、工业通信设备等场景。建议在高湿、腐蚀性气氛或极端机械冲击场合进行额外封装或防护设计。

八、注意事项

  • 在选择器件前,请确认系统所需耦合方向与端口定义与 X3C21P1-05S 对应一致。
  • 对于需要更高隔离度或特殊功率等级的设计,应咨询供应商技术资料或选用相应产品系列。
  • 推荐在正式量产前进行板级测试与温度循环验证,确保在目标应用工况下性能满足需求。

如需完整的器件规格书(Datasheet)、封装图或推荐焊盘布局,可联系供应商或访问 Anaren 官方资料获取详尽技术文档。

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