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SMF6.0A

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Good-Ark Semiconductor

品牌:

Good-Ark Semiconductor

型号:

SMF6.0A

编号:

D1413252

包装:

剪切带(CT) & Digi-Reel® 得捷定制卷带

批号:

-

封装:

-

描述:

TVS, UNI-DIR, 200W, 6V, ESGA (SO

  • 产品参数
  • 数据手册PDF

详细描述:10.3V 夹子 19.4A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 SOD-123FL


产品参数

产品属性 属性值
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值) 10.3V
不同频率时电容 -
供应商器件封装 SOD-123FL
制造商 Good-Ark Semiconductor
功率 - 峰值脉冲 200W
包装 卷带(TR),剪切带(CT),Digi-Reel® 得捷定制卷带
单向通道 1
安装类型 表面贴装型
封装、外壳 SOD-123F
工作温度 -65°C ~ 150°C(TJ)
应用 通用
电压 - 击穿(最小值) 6.67V
电压 - 反向断态(典型值) 6V
电流 - 峰值脉冲 (10、1000µs) 19.4A
电源线路保护
等级 -
类型 齐纳
系列 -
资质 -
零件状态 在售

PDF描述: 10.3V 夹子 19.42A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 SOD-123F(SMF)

产品概述

SMF6.0A 产品概述

一、产品简介

SMF6.0A 是 UMW(友台半导体)出品的一款单向瞬态电压抑制器(TVS),封装为 SOD-123FL,专为静电放电(ESD)和电涌浪涌保护设计。器件能在瞬态过电压出现时快速钳位,有效保护下游敏感元件和接口电路,适合通信、消费类电子、工业控制等多种应用场景。

二、主要参数

  • 类型:TVS(单向)
  • 反向截止电压 Vrwm:6 V
  • 击穿电压(Vbr):6.67 V
  • 钳位电压 Vc(Ipp 时):10.3 V
  • 峰值脉冲电流 Ipp:19.4 A
  • 峰值脉冲功率 Ppp:200 W(10/1000 μs 波形)
  • 反向电流 Ir:400 μA
  • 防护等级:符合 IEC 61000-4-4(脉冲群)和 IEC 61000-4-2(静电放电)
  • 封装:SOD-123FL(表面贴装)

三、主要特性与优势

  • 响应速度极快,能在纳秒级别钳制瞬态电压,保护敏感器件免受瞬间高压损害。
  • 单向结构,适用于直流电源和信号线,需要在正向导通方向工作时提供保护。
  • Ppp=200 W(10/1000 μs)及 Ipp=19.4 A 表明对较大能量电涌有良好承受能力。
  • 小型 SOD-123FL 封装,便于高密度 PCB 布局与自动化贴装,热阻与焊接可靠性良好。
  • 满足 IEC 61000-4-2 / 4-4 抗扰度要求,适配常见静电与快速脉冲干扰场景。

四、典型应用

  • USB、串口、以太网等外部接口的 ESD 和浪涌保护
  • 电源输入端、开关电源次级回路的瞬态抑制
  • 工业控制接口、传感器信号线、安防设备及通信终端的保护元件

五、应用和布板建议

  • 建议将 TVS 器件尽量靠近需要保护的输入/接口端口放置,缩短引线长度以降低串联电感与环路电阻,从而提高钳位效率。
  • 对于高能量冲击,可结合串联阻抗(如熔断器、置入电阻)或并联多个 TVS 以分担能量。
  • 注意焊接温度曲线符合 SOD-123FL 的回流规范,避免重复高温导致性能退化。
  • 系统设计时核对工作电压 Vrwm(6 V)是否与被保护电路的常态电压相匹配,避免在正常工作条件下产生过大的漏电流。

六、可靠性与合规

SMF6.0A 在 ESD(IEC 61000-4-2)和脉冲群(IEC 61000-4-4)等标准下具备防护能力。长期可靠性依赖合理的热设计与合适的浪涌能量裕量,建议在选型时留有安全余量。

七、选型与注意事项

  • 若系统工作电压接近或超过 6 V,应选用更高 Vrwm 的 TVS 型号以避免持续泄漏或误触发。
  • 对于需要双向钳位的信号,改用双向 TVS 器件;本器件为单向,适合直流正向保护场景。
  • 量产前建议在实际系统上进行 ESD/浪涌试验验证,确认钳位电压、能量承受能力及热稳定性满足设计需求。

如需器件封装图、焊盘推荐尺寸或更详细的电气特性曲线,可提供具体需求以便进一步补充资料。

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