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VESD05A1-02V-G3-08

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Vishay General Semiconductor - Diodes Division

品牌:

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

型号:

VESD05A1-02V-G3-08

编号:

D1414545

包装:

剪切带(CT) & Digi-Reel® 得捷定制卷带

批号:

-

封装:

-

描述:

TVS DIODE 5VWM 12VC SOD523

  • 产品参数
  • 数据手册PDF

详细描述:12V 夹子 16A(8/20µs) Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 SOD-523


产品参数

产品属性 属性值
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值) 12V
不同频率时电容 130pF @ 1MHz
供应商器件封装 SOD-523
制造商 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
功率 - 峰值脉冲 192W
包装 卷带(TR),剪切带(CT),Digi-Reel® 得捷定制卷带
单向通道 1
基本产品编号 VESD05
安装类型 表面贴装型
封装、外壳 SC-79,SOD-523
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
应用 -
电压 - 击穿(最小值) 6V
电压 - 反向断态(典型值) 5V(最大)
电流 - 峰值脉冲 (10、1000µs) 16A(8、20µs)
电源线路保护
等级 汽车级
类型 齐纳
系列 -
资质 AEC-Q101
零件状态 在售

PDF描述: 12V 夹子 16A(8/20µs) Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 SOD-523

产品概述

VESD05A1-02V-G3-08 产品概述

一、产品简介

VESD05A1-02V-G3-08 是一款用于电路板级静电放电(ESD)保护的小型 TVS 二极管,封装为 SOD-523,2 引脚单通道设计。器件针对 5V 工作电压系统优化,具备快速钳位能力和高脉冲吸收能力,适合保护 I/O 接口和电源线免受瞬态过电压冲击。品牌为 VISHAY(威世),常以带卷盘(T/R)形式供货,便于自动贴片生产。

二、主要电气参数

  • 极性:双向(注意:描述中有“Uni-Dir”字样,但本参数表以“双向”为依据)
  • 额定反向截止电压 Vrwm:5V
  • 击穿电压(Vbr):6V(典型)
  • 钳位电压 Vc:12V(在 8/20µs 峰值脉冲下)
  • 峰值脉冲电流 Ipp:16A @ 8/20µs
  • 峰值脉冲功率 Ppp:192W @ 8/20µs
  • 反向漏电流 Ir:1µA(常温下)
  • 结电容 Cj:约 130pF(典型)
  • 通道数:单路
  • 防护等级/标准:符合 IEC 61000-4-2(ESD 抗扰度测试)
  • 封装:SOD-523,2 引脚,带盘装(T/R)

三、典型应用场景

  • 5V 或接近 5V 的数字接口保护(例如 USB 2.0、UART、GPIO 等低速接口)
  • 移动设备、便携式电子产品的外部接口防护
  • 工业控制、消费电子中对人体接触导致的静电放电防护
  • 作为板级保护元件,置于连接器处或信号入口处,防止浪涌传导到下游敏感器件

四、封装与可靠性要点

SOD-523 封装体积小,适合对 PCB 面积要求高的应用;同时兼容常见回流焊工艺,适用于自动化贴装。卷装(T/R)交付便于 SMT 生产线使用。器件在规定的脉冲幅值和波形(8/20µs)下能承受较高瞬态能量,但不适合做连续功率耗散元件,长期过载会导致失效。

五、设计注意事项

  • 结电容较高(约 130pF),对高速差分信号或高频信号线会产生可测的影响,若用于高速接口(如 USB3.0、HDMI 等)应优先选择低电容 TVS。
  • 放置位置:应尽量靠近被保护的连接器或 I/O 引脚,缩短走线以提高钳位效率并减少串扰。
  • 与地的连接应尽可能低感抗,保证瞬态电流有良好回流路径。
  • 对于电源线或对地单向保护要求,确认所用极性(双向 vs 单向)与系统拓扑匹配,以避免工作电压下的误导通。
  • 注意钳位电压(12V)对下游器件允许电压的影响,确保下游器件在此瞬态电压下不会损坏。
  • 漏电流为 1µA,适用于大多数应用,但对超低功耗待机电路仍需评估累计影响。

六、选型建议

当需要在有限 PCB 面积内为 5V 及相近电压系统提供板级 ESD 防护、并且对脉冲吸收能力有一定要求时,VESD05A1-02V-G3-08 是实用的选择。若目标是高速接口或对信号完整性要求极高的线路,应选择低结电容的 TVS 器件或采用多级保护方案;若电路仅需单向保护,可选用明确标注为 Uni-Dir 的对应型号以获得更低导通压降与更好的稳态特性。

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