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SMBJ45CA

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VIITOR SEMICONDUCTOR CO., LTD

品牌:

VIITOR SEMICONDUCTOR CO., LTD

型号:

SMBJ45CA

编号:

D454764

包装:

卷带(TR)

批号:

-

封装:

-

描述:

600W, 45V Unidirectional Transie

  • 产品参数
  • 数据手册PDF

详细描述:72.7V 夹子 8.3A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 DO-214AA(SMB)


产品参数

产品属性 属性值
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值) 72.7V
不同频率时电容 -
供应商器件封装 DO-214AA(SMB)
制造商 VIITOR SEMICONDUCTOR CO., LTD
功率 - 峰值脉冲 600W
包装 卷带(TR)
双向通道 1
安装类型 表面贴装型
封装、外壳 DO-214AA,SMB
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
应用 通用
电压 - 击穿(最小值) 50V
电压 - 反向断态(典型值) 45V
电流 - 峰值脉冲 (10、1000µs) 8.3A
电源线路保护
等级 汽车级
类型 齐纳
系列 -
资质 AEC-Q101
零件状态 在售

PDF描述: 72.7V 夹子 8.3A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 DO-214AA(SMB)

产品概述

SMBJ45CA 产品概述(MDD,DO-214AA/SMB)

一、产品简介

SMBJ45CA 是一款双向瞬态电压抑制二极管(TVS),封装为 DO-214AA(SMB),由 MDD 提供。器件针对瞬态浪涌和电气干扰设计,适合保护直流电源轨及敏感电子元件,尤其是在需要双向保护(正负向浪涌)的场合。

二、主要参数

  • 极性:双向(Bidirectional)
  • 反向工作电压 Vrwm:45 V
  • 击穿电压 Vbr(典型):55.3 V
  • 钳位电压 Vc(Ipp 测试时):72.7 V
  • 峰值脉冲电流 Ipp:8.3 A(10/1000 μs 波形)
  • 峰值脉冲功率 Ppp:600 W(10/1000 μs 波形)
  • 反向漏电流 Ir:1 μA(在 Vrwm 条件下,典型)
  • 工作温度范围:-65 ℃ ~ +150 ℃
  • 封装:DO-214AA / SMB
  • 标准测量波形:10/1000 μs(符合行业浪涌标准)

三、特性与优势

  • 高能量吸收能力:在 10/1000 μs 浪涌脉冲下可承受 600 W 峰值功率和 8.3 A 峰值电流,适合电源和配电级别的浪涌防护。
  • 低钳位电压:典型钳位 72.7 V,可在浪涌时有效限制电压,保护下游器件免受过压损坏。
  • 低漏电流:工作状态下漏电小(约 1 μA),对电源效率与静态功耗影响极小。
  • 宽工作温度:-65 ℃ 到 +150 ℃,满足工业级和恶劣环境应用需求。
  • 双向结构:可对正负向瞬变进行对称抑制,适用于交流接口或需双极保护的直流回路。

四、典型应用场景

  • 开关电源输入和输出保护
  • 工业控制设备、电机驱动器的电源防护
  • 通信设备与数据接口(需配合阻抗与滤波设计)
  • 电池管理与车辆电子(适配 24 V / 36 V 等电源系统时需确认对应 Vrwm)
  • 其他要求中高能量浪涌抑制的场合

五、选型与使用注意事项

  • 确认系统工作电压与 Vrwm 匹配:本型号 Vrwm 为 45 V,适合 45 V 级别及以下的保护;若系统常态电压接近此值,应选更高 Vrwm 的型号以避免误触发。
  • 考虑钳位电压与被保护器件耐压:钳位电压 72.7 V 为典型值,确保下游器件能承受该瞬态峰值。
  • 布局建议:将 TVS 靠近受保护端口或电源入口放置,走线短、截面大,以降低感性串联和提升散热性能。
  • 散热与功耗:在频繁或高能量冲击环境中,应预留良好散热路径和考虑器件功耗能力。
  • 安装工艺:符合 SMB 封装的焊接与回流温度规范,避免热循环导致机械应力。

六、包装与可靠性

  • 封装:DO-214AA(SMB),便于手工或自动贴装处理。
  • 环境可靠性:适合工业环境,宽温特性和低漏电流提升长期稳定性。
  • 推荐在电路板上配合熔断器、滤波电容或电感一起使用,以形成更完善的过流与过压保护方案。

总结:SMBJ45CA(MDD,SMB 封装)为一款针对中高能量瞬态设计的双向 TVS,具备较低的钳位电压、较高的能量吸收能力和宽温工作范围,适用于对浪涌抑制要求较高的工业与电源保护场合。在选型和布板时应注意系统常态电压、钳位兼容性及散热布局,以确保最佳保护效果。

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