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SMF12A_R1_00001

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Panjit International Inc.

品牌:

Panjit International Inc.

型号:

SMF12A_R1_00001

编号:

D1460651

包装:

剪切带(CT) & Digi-Reel® 得捷定制卷带

批号:

-

封装:

-

描述:

TVS DIODE 12VWM 19.9VC SOD123FL

  • 产品参数
  • 数据手册PDF

详细描述:19.9V 夹子 10.1A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 SOD-123FL


产品参数

产品属性 属性值
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值) 19.9V
不同频率时电容 -
供应商器件封装 SOD-123FL
制造商 Panjit International Inc.
功率 - 峰值脉冲 200W
包装 卷带(TR),剪切带(CT),Digi-Reel® 得捷定制卷带
单向通道 1
基本产品编号 SMF12
安装类型 表面贴装型
封装、外壳 SOD-123F
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
应用 通用
电压 - 击穿(最小值) 13.3V
电压 - 反向断态(典型值) 12V
电流 - 峰值脉冲 (10、1000µs) 10.1A
电源线路保护
类型 齐纳
系列 -
零件状态 在售

产品概述

SMF12A_R1_00001 产品概述

一、产品简介

SMF12A_R1_00001 是 PANJIT(强茂)推出的一款高性能单向 TVS(瞬态电压抑制)二极管,采用 SOD-123FL 小封装,专为汽车电子、通信接口、工业控制与消费类设备提供瞬态过压和静电放电(ESD)保护。该器件标称反向截止电压(Vrwm)为 12V,击穿电压(VBR)13.3V,钳位电压 19.9V,峰值脉冲功率可达 200W,能有效抑制突发高能脉冲,保护下游敏感电路。

二、主要参数

  • 类型:单向 TVS(ESD 保护二极管)
  • 封装:SOD-123FL(小型、低寄生)
  • 反向截止电压 Vrwm:12V
  • 击穿电压 VBR:13.3V
  • 钳位电压(典型):19.9V(在峰值脉冲电流条件下)
  • 峰值脉冲电流 Ipp:10.1A
  • 峰值脉冲功率 Ppp:200W(典型测试波形 10/1000µs)
  • 反向漏电流 Ir:2.5µA
  • 工作温度范围:-55°C ~ +150°C
  • 符合标准:IEC 61000-4-2(ESD 抗扰度)

三、关键特性

  • 高能量吸收:200W 峰值功率能力,能承受短时大能量冲击。
  • 低钳位:在指定脉冲电流下钳位电压 19.9V,降低对后级器件的瞬态应力。
  • 低漏电流:Ir 仅 2.5µA,适合对静态功耗敏感的应用。
  • 宽温度范围:-55°C 至 +150°C,适合严苛环境工作。
  • 小体积封装:SOD-123FL 有利于空间受限设计并降低寄生电容,适配高速信号线保护。

四、典型应用

  • USB、HDMI、Ethernet 等接口的端口保护
  • 汽车电子中 CAN、LIN 总线与传感器接口的过压与 ESD 防护
  • 工业控制、PLC 与变频器的输入输出保护
  • 消费电子产品的电源端口与信号线防护

五、封装与布局建议

  • 建议将 TVS 靠近受保护器件或接口放置,以最小化走线寄生与电感。
  • 为提高吸收能量能力,保证焊盘有良好散热通道并考虑多层板接地。
  • 对于高速差分线,注意器件的寄生电容对信号完整性的影响;SOD-123FL 比较适合兼顾保护与信号质量的场合。

六、可靠性与合规性

  • 满足 IEC 61000-4-2 ESD 抗扰度要求,适用于需要通过电磁兼容测试的产品。
  • 宽温度及低漏电特性使其在汽车与工业领域具有良好长期可靠性。
  • 推荐在实际应用中结合仿真与实验评估钳位性能与热耗散能力。

七、使用注意事项

  • 本器件为单向(UNI),请确认电路是否需要双向保护;双向场合需选择相应型号。
  • 在选择时关注测试条件(如脉冲波形与测试电流),以确保 Ppp、Ipp 与钳位数据在目标工况下满足要求。
  • 对于重复冲击或更高能量需求,应考虑并联或使用更高功率等级的保护方案。

SMF12A_R1_00001 以其高能量吸收、低漏电和紧凑封装,适合在对空间、可靠性和抗扰度有较高要求的电路中作为首选的瞬态抑制器件。请结合具体系统需求与数据手册进行最终选型与布局验证。

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