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SMF10A

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Eaton - Electronics Division

品牌:

Eaton - Electronics Division

型号:

SMF10A

编号:

D1497184

包装:

剪切带(CT) & Digi-Reel® 得捷定制卷带

批号:

-

封装:

-

描述:

TVS DIODE 10VWM 17VC SOD123FL

  • 产品参数
  • 数据手册PDF

详细描述:17V 夹子 11.8A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 SOD-123FL


产品参数

产品属性 属性值
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值) 17V
不同频率时电容 -
供应商器件封装 SOD-123FL
制造商 Eaton - Electronics Division
功率 - 峰值脉冲 200W
包装 卷带(TR),剪切带(CT),Digi-Reel® 得捷定制卷带
单向通道 1
安装类型 表面贴装型
封装、外壳 SOD-123F
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
应用 电信
电压 - 击穿(最小值) 11.1V
电压 - 反向断态(典型值) 10V
电流 - 峰值脉冲 (10、1000µs) 11.8A
电源线路保护
类型 齐纳
系列 SMF
零件状态 在售

PDF描述: 17V 夹子 11.8A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 SOD-123

产品概述

SMF10A(聚鼎PTTC)单向瞬态抑制二极管产品概述

一、产品核心定位与应用方向

SMF10A是聚鼎(PTTC)推出的单向瞬态抑制二极管(TVS),核心作用是快速响应电路中的瞬态过压脉冲(如雷击、静电放电、电源浪涌),将电压钳位在安全阈值内,防止后端敏感电子元件(MCU、传感器、通信芯片等)被击穿损坏。其设计聚焦小型化、宽温适配,可覆盖消费电子、汽车电子、工业控制等多领域的过压防护需求。

二、关键参数及技术价值解析

TVS管的性能核心在于"截止电压、导通响应、脉冲承载能力",SMF10A的参数针对性解决了低电压电路的防护痛点:

  1. 工作电压与导通阈值

    • 反向截止电压(Vrwm):10V → 电路正常工作时,反向电压不超过10V则器件截止,仅2.5μA漏电流,不影响电路功能;
    • 击穿电压:11.1V → 瞬态过压超过该值时,器件ns级快速导通,进入钳位模式;
    • 钳位电压:17V → 导通后稳定电路电压至17V以内,是保护后端元件的关键阈值(需匹配元件最大耐压)。
  2. 脉冲承载能力

    • 峰值脉冲功率(Ppp):200W@10/1000μs → 对应国际标准的10/1000μs脉冲波形(模拟雷击、静电干扰),可承受200W瞬时功率冲击;
    • 峰值脉冲电流(Ipp):11.76A → 由Ppp=钳位电压×Ipp推导(17V×11.76A≈200W),直接体现器件最大脉冲电流承载能力,覆盖多数低电压电路干扰强度。
  3. 环境适应性

    • 工作温度:-55℃~+150℃ → 远超常规消费电子器件,适配汽车发动机舱、工业高温环境等极端场景;
    • 封装:SMF → 表面贴装小型封装(类似0805尺寸),节省PCB空间,适合高密度电路设计(如手机主板、车载控制器)。

三、封装与可靠性优势

SMF封装赋予SMF10A两大核心优势:

  1. 小型化集成:体积紧凑,可直接贴装于PCB表面,无需额外插件空间,适配智能手机、可穿戴设备等小型化产品;
  2. 高可靠性:聚鼎作为专业过压保护厂商,SMF10A采用稳定芯片工艺,漏电流低(2.5μA),长期工作无性能衰减,符合汽车电子AEC-Q101等可靠性标准(适配宽温特性)。

四、典型应用场景

SMF10A的参数特性使其成为以下领域的理想防护器件:

  1. 消费电子:手机USB接口、平板充电端口、笔记本HDMI接口的过压保护(防止静电、电源浪涌损坏芯片);
  2. 汽车电子:车载传感器(胎压监测、摄像头)、ECU通信端口、车载音响电源的瞬态抑制(适配-40℃~+85℃车载环境);
  3. 工业控制:PLC输入输出模块、工业传感器、RS485/CanBus总线的过压防护(应对工业现场电磁干扰);
  4. 通信设备:路由器WAN/LAN端口、交换机接口的静电放电(ESD)与浪涌抑制。

五、选型与使用注意事项

  1. 电压匹配:后端电路正常工作电压需低于10V(Vrwm),避免器件误导通;
  2. 钳位兼容:后端元件最大耐压需高于17V,确保过压时不被损坏;
  3. 波形适配:Ppp参数针对10/1000μs波形,若为8/20μs等其他波形,需重新核算承载能力。

SMF10A以"小型化、宽温、高脉冲承载"为核心优势,是低电压敏感电路的可靠"防护盾",可有效降低瞬态干扰对电子系统的损坏风险。

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