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W25Q40CLSNIG

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Winbond Electronics

品牌:

Winbond Electronics

型号:

W25Q40CLSNIG

编号:

D3963066

包装:

管件

批号:

-

封装:

-

描述:

IC FLASH 4MBIT SPI/QUAD 8SOIC

  • 产品参数
  • 数据手册PDF

详细描述:FLASH - NOR 存储器 IC 4Mb SPI - 四 I/O 104 MHz 8-SOIC


产品参数

产品属性 属性值
DigiKey 可编程 已验证
供应商器件封装 8-SOIC
写周期时间 - 字,页 800µs
制造商 Winbond Electronics
包装 管件
基本产品编号 W25Q40
存储器接口 SPI - 四 I、O
存储器格式 闪存
存储器类型 非易失
存储器组织 512K x 8
存储容量 4Mb
安装类型 表面贴装型
封装、外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
工作温度 -40°C ~ 85°C(TA)
技术 FLASH - NOR
时钟频率 104 MHz
电压 - 供电 2.3V ~ 3.6V
系列 SpiFlash®
零件状态 在售

PDF描述:Flash, 4MX1, PDSO8, SOIC-8

产品概述

W25Q40CLSNIG 产品概述

W25Q40CLSNIG 是 WINBOND(华邦)推出的一款 4Mbit SPI NOR Flash 存储器(512K x 8),采用 SOIC-8 封装,面向嵌入式系统、工业控制与消费类电子的代码存储与数据保存应用。器件支持最高 104MHz 的 SPI 时钟,工作电压范围宽(2.3V~3.6V),在低功耗与可靠性之间取得平衡,适用于对启动代码、配置数据和固件升级有可靠性要求的场景。

一、主要规格

  • 存储容量:4 Mbit(512K x 8)
  • 接口类型:SPI(最高 104 MHz)
  • 工作电压:2.3 V ~ 3.6 V
  • 工作温度:-40 ℃ ~ +85 ℃
  • 待机电流:典型 10 μA
  • 擦写寿命:100,000 次(典型)
  • 数据保留(TDR):20 年
  • 页写入时间(Tpp):400 μs(典型)
  • 块擦除时间(tBE):150 ms @ 64 KB(典型)
  • 封装:SOIC-8

二、功能亮点

  • 支持标准 SPI 读写以及快速读取模式,系统启动与执行代码读取响应快;
  • 宽电压范围与低待机电流,适合电池供电与低功耗系统;
  • 高耐用性与长数据保留,满足工业级长期可靠性需求;
  • 小封装、占板面积小,利于空间受限的终端设备设计。

三、典型应用

  • MCU/SoC 引导与固件存储(Boot ROM、BIOS)
  • 工业控制器、智能仪表和仪器的参数/配置存储
  • 物联网节点、智能家居与消费电子设备的固件与数据保存
  • 可编程模块与外设固件升级存储

四、设计建议

  • 电源引脚旁放置合适的退耦电容(例如 0.1 μF)以抑制瞬态噪声;
  • SPI 总线保持良好走线、减少阻抗和串扰,尤其在 104 MHz 工作下;
  • 在需要防止误写场合,使用器件的写保护/保持管脚(若设计有)并配置外部上/下拉;
  • 布局时留意 SOIC-8 引脚散热与焊盘尺寸,保证可靠焊接与在线测量方便。

W25Q40CLSNIG 以其成熟的 NOR Flash 架构、工业级温度与长期数据保持能力,适合作为需要稳定、可重复擦写与长期保存数据的嵌入式存储解决方案。若需参考电气特性曲线或命令集与时序细节,请查阅 WINBOND 官方数据手册以获得完整规范与典型应用方案。

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