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首页 > 二极管 > BYG10M-E3/TR
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BYG10M-E3/TR

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5+

¥ 3.480000

¥ 17.4
10+

¥ 2.760000

¥ 27.6
100+

¥ 1.670000

¥ 167
500+

¥ 1.550000

¥ 775
1800+

¥ 1.440000

¥ 2592
3600+

¥ 1.330000

¥ 4788
5400+

¥ 1.220000

¥ 6588
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VISHAY

品牌:

VISHAY

型号:

BYG10M-E3/TR

编号:

E014472

包装:

-

批号:

-

封装:

-

描述:

二极管,SMD 1.5A 1000V

  • 产品参数
  • 产品概述

产品参数

产品属性 属性值
商品目录 场效应管(MOSFET)
数量 1个N沟道
漏源电压(Vdss) 400V
连续漏极电流(Id) 6.3A
导通电阻(RDS(on)) 550mΩ@10V,6A
耗散功率(Pd) 125W
阈值电压(Vgs(th)) 4V
栅极电荷量(Qg) 63nC@10V
输入电容(Ciss) 1.4nF
反向传输电容(Crss) 120pF@25V
工作温度 -55℃~+150℃
暂无产品概述

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