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首页 > 二极管 > S1B-E3/61T
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S1B-E3/61T

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5+

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¥ 11.1
100+

¥ 1.190000

¥ 119
500+

¥ 0.780000

¥ 390
1000+

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¥ 530
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VISHAY

品牌:

VISHAY

型号:

S1B-E3/61T

编号:

E014481

包装:

-

批号:

-

封装:

-

描述:

二极管,SMD 1.0A 100V

  • 产品参数
  • 数据手册PDF
  • 产品概述

产品参数

产品属性 属性值
商品目录 场效应管(MOSFET)
数量 1个N沟道
漏源电压(Vdss) 400V
连续漏极电流(Id) 6.3A
导通电阻(RDS(on)) 550mΩ@10V,6A
耗散功率(Pd) 125W
阈值电压(Vgs(th)) 4V
栅极电荷量(Qg) 63nC@10V
输入电容(Ciss) 1.4nF
反向传输电容(Crss) 120pF@25V
工作温度 -55℃~+150℃

PDF描述:DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

产品概述:S1B-E3/61T

一、概述

S1B-E3/61T是一款出色的通用二极管,来自于知名品牌VISHAY(威世)。该二极管采用表面贴装型(SMD)封装,型号为DO-214AC(SMA),其设计旨在满足广泛的电子应用需求,特别是需要高效电流整流和优良反向特性时。S1B-E3/61T在电源管理、开关电源、逆变器及其他需要整流功能的设备中表现出色,是现代电子工程师和设计师的理想选择。

二、主要参数

  1. 正向电压特性: S1B-E3/61T在1A的正向电流下,正向电压(Vf)为1.1V,这使其在电源设计中表现良好,能够有效降低功耗和热量。较低的正向电压 drops 也意味着在应用中可以提供更高的效率。

  2. 反向电压特性: 本二极管支持高达100V的直流反向电压(Vr),使其能够在高电压环境中稳定工作。同时,其反向泄漏电流在100V时仅为1µA,优异的参数保证了其在高电压情况下的可靠性,适用于对泄漏电流敏感的电路设计。

  3. 整流能力: S1B-E3/61T的平均整流电流(Io)为1A,具有良好的电流处理能力,能够满足大多数通用整流需求。这使其适用于多种电源和负载电流要求的应用场合。

  4. 反向恢复特性: 该二极管的反向恢复时间(trr)为1.8µs,属于标准恢复类型,适合对切换频率要求不高的应用。对于开关电源等电路,其反向恢复特性可以有效减少电磁干扰(EMI),保证电路的稳定性。

  5. 工作温度范围: S1B-E3/61T具有广泛的工作温度范围,其中结温可达-55°C到150°C。这种宽范围的适应性使得二极管可以在极端环境下正常工作,进一步扩大了其应用领域。

三、应用场景

由于其优良的电气特性和坚固的外形设计,S1B-E3/61T非常适合以下应用:

  1. 电源整流:在AC-DC电源转换中,作为整流器使用,有效转化交流电为直流电。

  2. 逆变器:在太阳能逆变器和其他电源系统中,可以提供高效的功率转换。

  3. 开关电源(SMPS):在开关电源模块中,该二极管可以有效地进行高频整流,减少能量损失。

  4. 电机驱动:在直流电机控制和驱动中,S1B-E3/61T可以用作保护二极管,有效抑制反向电流。

  5. 通用设备:适用于各类电子设备的保护电路,防止反向电流对敏感元器件造成损害。

四、结论

S1B-E3/61T通用二极管以其卓越的性能和多功能性,为电源工程师提供了可靠的解决方案。凭借其表面贴装便利性和高功率处理能力,该产品在电子电路设计中扮演着至关重要的角色。无论是用于高电压应用,还是需要良好整流性能的电源,S1B-E3/61T都能出色胜任。VISHAY(威世)以其精湛的制造工艺和卓越的产品质量,确保了S1B-E3/61T成为市场上值得信赖的元器件之一。

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