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US1M-E3/61T

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vishay

品牌:

vishay

型号:

US1M-E3/61T

编号:

E014490

包装:

-

批号:

-

封装:

-

描述:

全新

  • 产品参数
  • 数据手册PDF

产品参数

产品属性 属性值
商品目录 场效应管(MOSFET)
数量 1个N沟道
漏源电压(Vdss) 400V
连续漏极电流(Id) 6.3A
导通电阻(RDS(on)) 550mΩ@10V,6A
耗散功率(Pd) 125W
阈值电压(Vgs(th)) 4V
栅极电荷量(Qg) 63nC@10V
输入电容(Ciss) 1.4nF
反向传输电容(Crss) 120pF@25V
工作温度 -55℃~+150℃

PDF描述:DIODE 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-214AC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMA, 2 PIN, Signal Diode

产品概述

US1M-E3/61T 产品概述

概述

US1M-E3/61T 是由威世(VISHAY)公司制造的一款高效快恢复二极管,专为高压应用设计。它具有出色的电气性能和广泛的应用领域,广泛用于开关电源、变换器以及各类电力电子设备中。它的主要特点包括优异的反向恢复时间、较高的反向耐压能力以及低的正向压降,确保其在高效能与可靠性之间取得良好的平衡。

关键参数

  • 反向恢复时间(trr): 75ns
  • 直流反向耐压(Vr): 1kV
  • 平均整流电流(Io): 1A
  • 正向压降(Vf): 1.7V @ 1A
  • 反向泄漏电流: 10µA @ 1000V
  • 不同 Vr、F 时电容: 10pF @ 4V, 1MHz
  • 安装类型: 表面贴装型
  • 封装/外壳: DO-214AC(SMA)
  • 工作温度范围: -55°C ~ 150°C

性能特点

US1M-E3/61T 的反向恢复时间为75ns,确保快速关断,适合高频应用。这使得该二极管非常适用于开关电源和其他需要快速切换的电力电子电路。在1A的平均整流电流工作下,正向压降仅为1.7V,较低的压降有助于提升整体效率,减少功耗。

其1kV的高反向耐压能力使其能够在要求严格的高压环境中可靠运行。即便在1kV的高压下,反向泄漏电流也仅为10µA,证明了其极低的泄漏特性。此外,该二极管的电容特性较好,在4V和1MHz条件下,电容值仅为10pF,为高速开关操作提供了优越的条件。

应用领域

US1M-E3/61T 广泛应用于各类电力电子设备,包括:

  • 开关电源
  • 直流-直流转换器
  • 逆变器
  • 电动机驱动
  • 高频电源模块

由于其高耐压与快速反向恢复的特性,该二极管在电力转换和信号整流中表现卓越,适合于多种工业和消费类应用。

安装与兼容性

US1M-E3/61T 采用DO-214AC(SMA)封装,适合表面贴装,使设计工程师可以便捷集成到现代电路板中。其相对小巧的尺寸也为高密度的电路设计提供了灵活性。此外,广泛的工作温度范围(-55°C ~ 150°C)确保了该产品能够在多种环境下稳定运行,无论是在严苛的工业环境还是在高温条件下,US1M-E3/61T 都能保持其优异的性能。

总结

综上所述,US1M-E3/61T 是一款高效、可靠的快恢复二极管,广泛适用于要求高的电力电子应用。凭借其出色的电气特性,低的正向压降以及适应性广泛的安装方式,VISHAY 的这一产品将是设计工程师在构建高效能电路时的理想选择。无论是在工业、消费电子还是电力转换领域,US1M-E3/61T 都能够提供优异的性能与可靠的支持,是电力电子领域不可或缺的重要元件。

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