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ESD9L5.0ST5G

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onsemi

品牌:

onsemi

型号:

ESD9L5.0ST5G

编号:

D1406314

包装:

剪切带(CT) & Digi-Reel® 得捷定制卷带

批号:

-

封装:

-

描述:

TVS DIODE 5VWM 9.8VC SOD923

  • 产品参数
  • 数据手册PDF

详细描述:9.8V 夹子 1A(8/20µs) Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 SOD-923


产品参数

产品属性 属性值
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值) 9.8V
不同频率时电容 0.5pF @ 1MHz
供应商器件封装 SOD-923
制造商 onsemi
功率 - 峰值脉冲 -
包装 卷带(TR),剪切带(CT),Digi-Reel® 得捷定制卷带
单向通道 1
基本产品编号 ESD9L5.0
安装类型 表面贴装型
封装、外壳 SOD-923
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
应用 通用
电压 - 击穿(最小值) 5.4V
电压 - 反向断态(典型值) 5V(最大)
电流 - 峰值脉冲 (10、1000µs) 1A(8、20µs)
电源线路保护
类型 齐纳
系列 -
零件状态 在售

PDF描述:Transient Voltage Suppressors 瞬态电压抑制器

产品概述

ESD9L5.0ST5G 产品概述

一、产品简介

ESD9L5.0ST5G(品牌:DOWO/东沃)是一款单路、单向低容抗静电与浪涌保护二极管,采用紧凑的 SOD-923 封装,面向高速接口与敏感信号管脚的瞬态过压保护设计。器件兼顾低结电容与高脉冲吸收能力,适合在空间受限且要求高速信号完整性的应用场合使用。

二、主要性能特点

  • 钳位电压(VC):20V(典型条件下@峰值脉冲)
  • 峰值脉冲功率(Ppp):100W @ 8/20μs
  • 峰值脉冲电流(Ipp):4.5A @ 8/20μs
  • 反向静态截止电压(Vrwm):5V,击穿电压(Vbr):6V(象征性阈值)
  • 结电容(Cj):0.5pF,适合高速数据线(如 USB、HDMI、SATA 等)
  • 反向漏电流(Ir):≤1μA
  • 工作温度范围:-55 ℃ ~ +125 ℃
  • 符合 IEC 61000-4-2(静电放电)与 IEC 61000-4-5(浪涌)防护等级

三、电气与环境规格说明

器件以单向 TVS(瞬态电压抑制)形式工作,正常工作电压下反向漏电小于 1μA,可长期并联在线路上。大电流脉冲条件下钳位电压约 20V,Ppp=100W(8/20μs)表示短时浪涌时具有良好的能量吸收能力。超低结电容(0.5pF)有效降低对高速信号的影响,适用于要求高信号完整性的接口保护。

四、封装与物理特性

  • 封装:SOD-923,体积小,便于贴片自动化生产与高密度布板
  • 通道数:单路;极性:单向
  • 推荐布局:靠近被保护引脚放置,走线最短最粗以降低串联电阻与感抗,接地回路要短且低阻抗

五、典型应用场景

  • 移动终端、摄像头模块、高速数据接口(USB、MIPI、LVDS)
  • 工业控制和通信设备的信号线保护
  • 需要同时满足静电放电与雷击浪涌防护的板级保护点

六、选型与使用注意事项

  • 依据系统工作电压选择 Vrwm(本型号 Vrwm=5V,适合 5V 及以下系统保护)
  • 钳位电压随脉冲电流变化,设计时应考虑最大允许电压对下游器件的承受能力
  • 布局时将 TVS 与地线间的回路尽可能短,以提高释放效率并降低感性峰值
  • 高能脉冲多次冲击会引起器件发热或退化,关键场合建议配合熔断器或串联限流元件以提升系统可靠性

以上为 ESD9L5.0ST5G 的概述与应用建议。如需更详细的 IV 曲线、波形响应或封装图及焊接工艺参数,可提供器件数据手册进一步确认。

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