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PESD5V0V1BL

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UMW(友台半导体)

品牌:

UMW(友台半导体)

型号:

PESD5V0V1BL

编号:

D1413226

包装:

剪切带(CT) & Digi-Reel® 得捷定制卷带

批号:

-

封装:

-

描述:

功能类型:降压型 工作电压:4.5V~40V 输出电压:12V 输出电流:3A 开关频率:150kHz 工作温度:-40℃~+125℃@(TJ) 同步整流:否 输出通道数:1 拓扑结构:降压式 静态电流(Iq):1123mA 开关管(内置/外置):内置 输出类型:固定 功能特性:过流保护

  • 产品参数
  • 数据手册PDF

详细描述:12.5V 夹子 4.8A(8/20µs) Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 SOD-882


产品参数

产品属性 属性值
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值) 12.5V
不同频率时电容 11pF @ 1MHz
供应商器件封装 SOD-882
制造商 UMW
功率 - 峰值脉冲 45W
包装 卷带(TR),剪切带(CT),Digi-Reel® 得捷定制卷带
双向通道 1
基本产品编号 PESD5
安装类型 表面贴装型
封装、外壳 SOD-882
工作温度 -55°C ~ 150°C(TA)
应用 以太网,电信
电压 - 击穿(最小值) 5.8V
电压 - 反向断态(典型值) 5V(最大)
电流 - 峰值脉冲 (10、1000µs) 4.8A(8、20µs)
电源线路保护
等级 汽车级
类型 齐纳
系列 UMW
零件状态 在售

PDF描述: 12.5V 夹子 4.8A(8/20µs) Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 SOD-882

产品概述

P E S D5V0V1BL 产品概述

一、产品简介

PESD5V0V1BL 是 DOWO(东沃)推出的一款单路双向瞬态抑制二极管(TVS),针对 5V 系统的静电放电(ESD)和雷击浪涌保护而设计。器件封装为 DFN1006-2L,小体积、低电容,适合高速信号线与电源线上集成保护。

二、主要电气参数

  • 极性:双向(双极性)
  • 反向截止电压 Vrwm:5V
  • 击穿电压 VBR(Itest):6.5V
  • 钳位电压(典型):10V(Ipp 条件下)
  • 峰值脉冲电流 Ipp:6A @ 8/20µs 波形
  • 峰值脉冲功率 Ppp:55W @ 8/20µs
  • 反向漏电流 Ir:500nA(常温)
  • 结电容 Cj:10pF
  • 通道数:单路
  • 防护等级:符合 IEC 61000-4-5(雷击浪涌)与 IEC 61000-4-2(ESD)测试标准

三、产品特性与优势

  • 双向钳位:支持正/负脉冲保护,适用于交流或双向信号接口。
  • 低钳位电压:在 6A 峰值冲击下钳位电压约 10V,能在高能脉冲到达时有效限制电压,保护后端器件。
  • 低漏电流:500nA 的低反向电流,有利于电池供电和低功耗电路。
  • 小电容:约 10pF,适合 USB、串行数据线等对带宽敏感的接口,减少对信号完整性的影响。
  • 小封装:DFN1006-2L 占位面积小,便于高密度 PCB 设计和自动贴装流程。

四、典型应用场景

  • USB、HDMI、MIPI 等高速数据接口的线路保护
  • 5V 电源轨和外部电源口的浪涌/ESD 保护
  • 工业控制、通信终端、便携式设备、车载电子(非车规级)输入口防护
  • PCB 边缘接口与外设连接器处作为第一道防护元件

五、设计与布局建议

  • 将 PESD5V0V1BL 放置于受保护线与接地之间的尽可能靠近接口处,走线短且宽。
  • 器件底部或邻近区域建议连接低阻抗公共地平面,并根据 PCB 热/电要求增加过孔。
  • 与滤波器、阻抗匹配网络配合使用时,注意器件电容对频率响应的影响,必要时在保护元件后侧保留阻容隔离。
  • 在高能环境下可并联多个同类器件或与更大功率的浪涌抑制器配合,以提高整体能量吸收能力。

六、合规与可靠性

PESD5V0V1BL 满足 IEC 61000-4-2 和 IEC 61000-4-5 的典型测试要求,适用于需要通过国际电磁兼容(EMC)测试的产品设计。器件在常温下具有稳定的漏电与击穿特性,适合量产应用。为获得长期可靠性,建议遵循厂商的回流焊工艺参数及静电防护规则。

七、封装与订购信息

  • 封装:DFN1006-2L(表面贴装)
  • 建议订购形式:卷带卷(Tape & Reel)便于高速贴片生产(具体请联系供应商确认包装形式与最小订购量)。

如需更详细的典型曲线、封装尺寸图或应用电路建议,可向 DOWO(东沃)或授权分销渠道获取器件数据手册与评估板资料。

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