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2SK208-GR(TE85L,F)
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2SK208-GR(TE85L,F)

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Toshiba Semiconductor and Storage

品牌:

Toshiba Semiconductor and Storage

型号:

2SK208-GR(TE85L,F)

编号:

D6165144

包装:

剪切带（CT） & Digi-Reel® 得捷定制卷带

批号:

-

封装:

-

描述:

JFET N-CH 50V 6.5MA SC59

数据手册
  • 产品参数
  • 数据手册PDF

详细描述：JFET N 通道 50 V 6.5 mA 100 mW 表面贴装型 SC-59


产品参数

产品属性 属性值
FET 类型 N 通道
不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off) 400 mV @ 100 nA
不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss) 2.6 mA @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 8.2pF @ 10V
供应商器件封装 SC-59
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
功率 - 最大值 100 mW
包装 卷带（TR），剪切带（CT），Digi-Reel® 得捷定制卷带
基本产品编号 2SK208
安装类型 表面贴装型
封装、外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
工作温度 125°C（TJ）
漏极电流 (Id) - 最大值 6.5 mA
电压 - 击穿 (V(BR)GSS) 50 V
系列 -
零件状态 在售

产品概述

产品概述：2SK208-GR(TE85L,F)

一、产品简介

2SK208-GR(TE85L,F) 是一款高性能的 N 通道结型场效应管（JFET），由知名半导体制造商东芝（Toshiba）生产。该器件设计用于各种电子应用，其主要优点包括高线性度、小功耗和广泛的工作温度范围。采用 SC-59 封装，确保了其在表面贴装电路中的易用性和可靠性。

二、基本参数

  1. FET 类型: N 通道
  2. 击穿电压 (V(BR)GSS): 50V
  3. 漏极电流（Id） - 最大值: 6.5mA
  4. 不同 Vds (Vgs=0) 时的漏极电流 (Idss): 2.6mA @ 10V
  5. 截止电压 (VGS off): 400mV @ 100nA
  6. 输入电容 (Ciss)（最大值）: 8.2pF @ 10V
  7. 功率 - 最大值: 100mW
  8. 工作温度: 125°C（TJ）
  9. 封装类型: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  10. 供应商器件封装: SC-59

三、应用场景

2SK208-GR(TE85L,F) 由于其范畴广泛的电压和电流参数，非常适合用于：

  • RF 放大器：在高频信号及小信号应用中，非常适合使用该 JFET 作为增益设备。
  • 开关电路：在低功耗开关应用中，2SK208-GR 可用于切换小信号，尤其是在手机、便携式设备等小型电路中。
  • 音频处理：该器件提供高线性度的放大特性，适合音频信号的处理，能够有效减少失真，提供清晰的输出音频。
  • 传感器电路：由于其高输入阻抗和小漏极电流，适合用于多种气体、温度或光传感器的信号放大。

四、性能特点

  1. 高线性度: 该 JFET 的设计使其具有优良的线性响应，极大地减少了失真，这在音频和RF放大器应用中至关重要。
  2. 小功耗: 功率仅为100mW，使其适合便携式设备，避免因功率过大导致的热问题。
  3. 宽工作温度范围: 能够在高达125°C 的环境下稳定工作，适合许多工业和汽车应用。
  4. 小输入电容: 考虑到其仅 8.2pF 的输入电容，2SK208-GR(TE85L,F) 是设计高频放大器时理想的选择。

五、安装与兼容性

2SK208-GR(TE85L,F) 将被封装在业界标准的 SC-59 中，适合表面贴装技术（SMT）。这种封装方式不仅轻巧，还能提供良好的热管理特性。此外，由于其广泛的兼容性，可以与其它标准电子元件轻松集成，简化了电路设计和组装过程。

六、总结

综上所述，2SK208-GR(TE85L,F)是一款具备卓越性能和多样应用场景的 N 通道结型场效应管，凭借其高线性度、低功耗以及适应广泛的工作温度，成为现代电子设计中不可或缺的元件之一。无论是用于新兴的高科技产品，还是在传统电子应用中，2SK208-GR 都将为设计师提供出色的解决方案。

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