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GD25Q128EWIGR

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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

品牌:

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

型号:

GD25Q128EWIGR

编号:

D3978616

包装:

剪切带(CT) & Digi-Reel® 得捷定制卷带

批号:

-

封装:

-

描述:

IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8WSON

  • 产品参数
  • 数据手册PDF

详细描述:FLASH - NOR 存储器 IC 128Mb SPI - 四 I/O 133 MHz 7 ns 8-WSON(5x6)


产品参数

产品属性 属性值
DigiKey 可编程 未验证
供应商器件封装 8-WSON(5x6)
写周期时间 - 字,页 70µs,2.4ms
制造商 GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
包装 卷带(TR),剪切带(CT),Digi-Reel® 得捷定制卷带
基本产品编号 GD25Q128
存储器接口 SPI - 四 I、O
存储器格式 闪存
存储器类型 非易失
存储器组织 16M x 8
存储容量 128Mb
安装类型 表面贴装型
封装、外壳 8-WDFN 祼焊盘
工作温度 -40°C ~ 85°C(TA)
技术 FLASH - NOR
时钟频率 133 MHz
电压 - 供电 2.7V ~ 3.6V
系列 -
访问时间 7 ns
零件状态 在售

PDF描述: FLASH - NOR 存储器 IC 128Mb SPI - 四 I/O 133 MHz 7 ns 8-WSON(5x6)

产品概述

GD25Q128EWIGR 产品概述

一、产品简介

GD25Q128EWIGR 是由 GigaDevice Semiconductor(香港有限公司)推出的一款高性能 NOR 闪存器件。作为一款非易失性存储器,GD25Q128EWIGR 采用先进的 SPI(串行外设接口)四 I/O 接口技术,具备高达 133 MHz 的时钟频率,适用于快速数据存储和处理需求。该产品具有 128 Mb(16M x 8)的存储容量,非常适合用于各种应用场景。

二、产品特点

  1. 高容量与高性能:GD25Q128EWIGR 的存储容量为 128 Mb(16M x 8),可以满足对大数据量存储的需求。同时, 访问时间高达 7 ns,写周期时间为 70 µs(字)和 2.4 ms(页),保证了存取数据的高效率。

  2. 宽电压范围:该器件的供电电压范围为 2.7V 到 3.6V,适应多种电源设计需求,确保在不同的应用环境中都能正常运行。

  3. 工作温度范围:GD25Q128EWIGR 的工作温度范围为 -40°C 到 +85°C,使其不仅适合于室温环境,而且支持工业级应用,能够在严苛条件下稳定工作。

  4. 小型封装:该产品采用 8-WDFN(裸露焊盘,5x6 mm)封装,体积小巧,适合于对空间要求严格的电子产品设计。

  5. 广泛的应用:GD25Q128EWIGR 可广泛应用于汽车电子、物联网设备、消费电子、工业控制、网络和通信等领域,特别是在需要大容量存储和快速存取的场合。

三、技术参数

  • 制造商:GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
  • 存储器类型:非易失性闪存
  • 存储格式:FLASH - NOR
  • 接口类型:SPI - 四 I/O
  • 时钟频率:最高可达 133 MHz
  • 写周期时间:70 µs (字),2.4 ms (页)
  • 访问时间:7 ns
  • 供电电压:2.7V ~ 3.6V
  • 操作温度范围:-40°C ~ 85°C
  • 封装类型:8-WDFN(裸露焊盘)

四、应用场景

GD25Q128EWIGR 的广泛应用涵盖多个领域:

  • 汽车电子:在汽车的控制单元中,用于存储配置数据和操作系统。
  • 物联网设备:在物联网传感器和执行器中,为监控与控制过程提供数据存储。
  • 消费电子:用于智能手机、平板电脑等设备的固件更新和数据存储。
  • 工业控制:在制造业中,用于机器控制和数据记录系统。
  • 网络与通信设备:为路由器、交换机等设备提供快速的数据存取方案。

五、总结

GD25Q128EWIGR 是一款集高性能、高容量和广泛应用于一体的 NOR 闪存器件。凭借其优越的技术参数和可靠的工作性能,它为现代电子产品的设计与开发提供了强有力的支持。无论是在消费电子、工业控制还是物联网等领域,该产品都是一个值得信赖的选择,为用户带来优质的存储解决方案。

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