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800-1

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Microchip Technology

品牌:

Microchip Technology

型号:

800-1

编号:

D6159684

包装:

散装

批号:

-

封装:

-

描述:

BRIDGE RECT 3PHASE 50V 40A ME

  • 产品参数
  • 数据手册PDF
  • 产品概述

详细描述:桥式整流器 Three Phase 标准 50 V 底座安装 ME


产品参数

产品属性 属性值
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) 950 mV @ 10 A
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 20 µA @ 50 V
二极管类型 Three Phase
供应商器件封装 ME
制造商 Microchip Technology
包装 散装
基本产品编号 800
安装类型 底座安装
封装、外壳 ME
工作温度 -65°C ~ 150°C(TJ)
技术 标准
电压 - 峰值反向(最大值) 50 V
电流 - 平均整流 (Io) 40 A
系列 -
零件状态 在售

PDF描述:RECTIFIERS ASSEMBLIES THREE PHASE BRIDGES, 20-40 AMP, STANDARD HIGH EFFICIENCY, ESP 整流器组件三相桥梁, 20-40放大器,标准高效率, ESP

UPZ1005D800-1R5TF 产品概述

一、概述

UPZ1005D800-1R5TF 为顺络(Sunlord)系列微型磁珠(ferrite bead),封装尺寸为 0402(等同 1005 公制)。此器件针对 PCB 上高频噪声抑制与电源/信号线路的电磁干扰(EMI)控制设计,具有在 100MHz 时 80Ω 的阻抗性能,同时保持极低的直流电阻,适用于空间受限且要求良好 EMI 抑制的移动终端、物联网、摄像头、通信设备及消费电子电源滤波场景。

二、主要规格(关键参数)

  • 阻抗:80Ω @ 100MHz(公差 ±25%)
  • 直流电阻(DCR):70 mΩ(公差 ±25%)
  • 额定电流:1.5 A(持续通过电流能力)
  • 通道数:单通道(1)
  • 工作温度范围:-55 ℃ ~ +125 ℃
  • 封装:0402(1005)
  • 品牌:Sunlord(顺络)

三、器件特性与优势

  • 高频抑制效果明显:在 100MHz 附近具有较高阻抗,有效阻隔射频干扰进入或外溢。
  • 低功耗影响:70 mΩ 的低 DCR 降低了在直流通过时的压降与功耗,适合对电压敏感的电源轨。
  • 小型化封装:0402 尺寸便于在空间受限的 PCB 上近源放置,实现局部 EMI 控制。
  • 宽温度适应性:-55 ℃ 至 +125 ℃,可满足工业级与消费级不同温度环境要求。

四、典型应用场景

  • 手机、平板与可穿戴设备的电源去耦与 EMI 抑制。
  • 摄像头模组、无线模组、蓝牙/Wi‑Fi 前端的信号线与电源线滤波。
  • IoT 终端、消费电子、便携式电源管理电路中对开关噪声的抑制。
  • LDO 输出、DC‑DC 降压转换器后的滤波段,防止开关噪声回流至敏感电路。

五、布局与使用建议

  • 串联放置:磁珠作为串联元件使用,应直接放置在噪声源与负载或系统其他部分之间。
  • 靠近噪声源:将磁珠尽可能靠近噪声源(例如 DC‑DC 开关管或开关节点)以提高抑制效果。
  • 配合退耦电容:对于电源线,建议磁珠与旁路电容结合使用,形成高频滤波网络(磁珠串联、电容到地)。
  • 考虑电流裕量:额定 1.5A 为持续允许通过电流,若存在较大浪涌或起动电流,应选用更高额定值或进行适当裕量设计。
  • 机械应力:0402 为微小封装,贴装和手工处理时避免过大机械应力或多次重工。

六、选型与可靠性注意事项

  • 频率匹配:根据系统干扰频谱选择在目标频段阻抗较高的磁珠以获得最佳衰减。
  • 温升与功耗:在接近或超过额定电流时,器件会有一定功耗与温升,应评估实际工作点的温度影响。
  • 测试验证:在最终 PCB 上进行实际的 EMI 测试与直流压降验证,必要时通过网络分析仪或时域测试确认抑制效果。
  • 制造与回流:遵循顺络提供的焊接工艺规范进行回流焊,避免超温或长时间高温回流造成性能劣化。

结语:UPZ1005D800-1R5TF 以其在 100MHz 附近的高阻抗、低 DCR 与小尺寸优势,适合对空间与电性能有严格要求的消费与工业电子设计。针对具体应用场景,应结合电流要求与频谱特点进行合理布局与验证,以确保最佳的 EMI 抑制效果与系统可靠性。若需更详细的封装尺寸图、波形/阻抗曲线或推荐焊接曲线,请参考顺络官方数据手册或联系供应商获取完整规格文件。

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